电子技术试题
半导体二极管和三极管、第十章。A、正、反向电阻相等 B、正向电阻大。Δ2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是 半导体。4mA C、30μA。1、在晶体管放大电路中。2. 正 反馈主要用于振荡等电路中。得分 评卷人 一、填空题(每空1分。共15分) 1、半导体三极管能够放大信号。
电子技术试题Tag内容描述:<p>1、电子技术实训题 维修电工(二级) 第 1 页 共 22 页 维修电工(二级)电子技术实训题 实训题一、组合逻辑控制移位寄存器 (1) 设计及接线 设计图示四位移位寄存器电路,并在电子技术实训装置上进行电路接线。 1)图示振荡电路是一个由 555 集成电路组成的多谐振荡器,要求元器件参数 R1 为 220K、R2 为 10K、电容为 F,使其频率为 6Hz,设计该电路, 画出其电路图,并列出计算公式确定元器件参数。 D C B A 控制逻辑 电路 DSR Q0 Q1 Q2 Q3 DSL S1 40194 S0 CP R 555 振荡电路 四个 LED 显示电路 维修电工(二级) 第 2 页 共 22 页 2)用。</p><p>2、第1章 检测题 (共100分,120分钟)一、填空题:1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ,少数载流子为 空穴 ,不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ,少数载流子为 自由电子 ,不能移动的杂质离子带 负 电。2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电。</p><p>3、一选择题:1、理想二极管的反向电阻为( B )。A零 B无穷大C约几百千欧D以上都不对1.在换路瞬间,下列各项中除( B )不能跃变外,其他全可跃变。(a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流4.在电感性负载两端并联一定值的电容,以提高功率因素,下列说法正确的是( D )。(A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率(C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时,若线电压,则相电压( D )。(a) (b) (c) (d)6.两个完全相同的交流铁心线圈,分别工作在电压相同而频率不同(f1f2)的两电源下,此时。</p><p>4、电路与电子技术复习题第4章一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。2、当PN结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。3、在N型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。4、三极管处在放大区时,其 集电结 电压小于零, 发射结 电压大于零。5、三极管的发射区 杂质 浓度很高,而基区很薄。6、在半导体中,温度变化时 少 数载流子的数量变化较大,而 多 数载流子的数量变化。</p><p>5、第1章 检测题 (共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 五 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 自由电子 ,少数载流子为 空穴 ,不能移动的杂质离子带 正 电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 三 价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为 空穴 ,少数载流子为 自由电子 ,不能移动的杂质离子带 负 电。2、三极管的内部结构是由 发射 区、 基 区、 集电区 区及 发射 结和 集电 结组成的。三极管对外引出的电极分别是 发射 极、 基 极和 集电 极。3、PN结正向偏置。</p><p>6、芀蒄薄袄羀芇葿袃肂蒃螈袂膅芅螄袂莇薁蚀袁肆莄薆袀腿蕿蒂衿芁莂螁袈羁薇蚇羇肃莀薃羆膅薆葿羆莈荿袇羅肇膁螃羄膀蒇虿羃节芀薅羂羂蒅蒁羁肄芈螀肀膆蒃蚆肀艿芆薂聿羈蒂薈肈膁莅袆肇芃薀螂肆莅莃蚈肅肅薈薄蚂膇莁蒀螁艿薇蝿螀罿荿蚅蝿肁薅蚁螈芄蒈薇螈莆芁袆螇肆蒆螂螆膈艿蚈螅芀蒄薄袄羀芇葿袃肂蒃螈袂膅芅螄袂莇薁蚀袁肆莄薆袀腿蕿蒂衿芁莂螁袈羁薇蚇羇肃莀薃羆膅薆葿羆莈荿袇羅肇膁螃羄膀蒇虿羃节芀薅羂羂蒅蒁羁肄芈螀肀膆蒃蚆肀艿芆薂聿羈蒂薈肈膁莅袆肇芃薀螂肆莅莃蚈肅肅薈薄蚂膇莁蒀螁艿薇蝿螀罿荿蚅蝿肁薅蚁螈芄蒈薇螈莆芁袆螇肆蒆。</p><p>7、模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9模拟电子技术试题汇编第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子,则多数载流子应是 电子 ,少数载流子应是 空穴 。2、 在N型半导体中,电子浓度 大于 空穴浓度,而在P型半导体中,电子浓度 小于 空穴浓度。 3、PN结反向偏置时,空间电荷区将变 宽 。4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。5、场效应管分为两大类:一类称为_结型场效应管___________,另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。</p><p>8、第九章:半导体二极管和三极管、第十章:基本放大电路一、单项选择题*1若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏,好的管子应为( C )A、正、反向电阻相等B、正向电阻大,反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大很多倍D、正、反向电阻都等于无穷大*2电路如题2图所示,设二极管为理想元件,其正向导通压降为0V,当Ui=3V时,则U0的值( D )。题2图A、不能确定B、等于0C、等于5VD、等于3V*3半导体三极管是具有( B )PN结的器件。A、1个B、2个C、3个D、4个5晶体管的主要特性是具有( D )。A、单向导电性 B、滤波作用 C、稳压作用。</p><p>9、电子技术题库电子技术基础题库适用班级:2012级电钳 3、4、5、6班备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。1、 填空题:第1章 半导体二极管1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体, 半导体 和绝缘体三类。2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是 半导体 。3、半导体具有 热敏特性、光敏特性、参杂的特性。4、PN结正偏时,P区接电源的 正极,N极接电源的负极。5、PN结具有 单向导电 特性。6、二极管的P区引出端叫 正极 或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。7、按二极管所用的材料不同。</p><p>10、电子技术题库电子技术基础题库适用班级:2012级电钳 3、4、5、6班备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。1、 填空题:第1章 半导体二极管1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体, 半导体 和绝缘体三类。2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是 半导体 。3、半导体具有 热敏特性、光敏特性、参杂的特性。4、PN结正偏时,P区接电源的 正极,N极接电源的负极。5、PN结具有 单向导电 特性。6、二极管的P区引出端叫 正极 或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。7、按二极管所用的材料不同。</p><p>11、一、填空题: (要求)1、电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体,例如 和 等。半导体中中存在两种载流子: 和 。纯净的半导体称为 ,它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种: 型半导体多数载流子是 ;型半导体多数载流子是 。当把P型半导体和N型半导体结合在一起时,在两者的交界处形成一个 结,这是制造半导体器件的基础。2、三极管的共射输出特性可以划分为三个区: 区、 区和 区。为了对输入信号进行线形放大,避免产生严重。</p><p>12、专升本复习演练 一、单选题 ( 每题 1 分 ) 1. 对差分放大电路而言,下列说法不正确的为()。 A 可以用作直流放大器 B 可以用作交流放大器 C 可以用作限幅器 D 具有很强的放大共模信号的能力 2. 关于 BJT 放大电路中的静态工作点(简称 Q 点),下列说法中不正确的是()。 A Q 点过高会产生饱和失真 B Q 点过低会产生截止失真 C 导致 Q 点不稳定的主要原因是温度变化 D Q 点可采用微变等效电路法求得 3. 深度负反馈的条件是指()。 A. 1+AF 1 C . 1+AF0 4. 在输入量不变的情况下,若引入反馈后() ,则说明引入的是负反馈。 A. 输入电。</p><p>13、电子技术题库电子技术基础题库适用班级:2012级电钳 3、4、5、6班备注:本学期进行到第七章;第一、二、三章是重点内容,要求掌握;第四、八章没有涉及。1、 填空题:第1章 半导体二极管1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为导体, 半导体 和绝缘体三类。2、导电性能介于导体和绝缘体之间物质是 半导体 。3、半导体具有 热敏特性、光敏特性、参杂的特性。4、PN结正偏时,P区接电源的 正极,N极接电源的负极。5、PN结具有 单向导电 特性。6、二极管的P区引出端叫 正极 或阳极,N区的引出端叫负极或阴极。7、按二极管所用的材料不同。</p><p>14、2010年劳动技术“电子技术” 技能考核试题(乙),工作原理: 图1是用LM555时基电路等元件构成的光控防盗报警器。用光敏三极管作为控制元件。当盗贼进入室内,开灯有光时,防盗报警器进入振荡工作状态,振荡频率在音频区,所以扬声器(蜂鸣器)发出警报声。,试题一:光控防盗报警器,多谐振荡器,接通VCC后,VCC经V、 R1和R2对C1充电。当uc上升到2VCC/3时,uo=0,T导通,C通过R2和T放电,uc下降。当uc下降到VCC/3时,uo又由0变为1,T截止,VCC又经V、 R1和R2对C1充电。如此重复上述过程,在输出端uo产生了连续的矩形脉冲。,安装制作要求:,1。</p><p>15、一、填空题1、最基本的逻辑运算是指(与、或、非)三种运算。2、在RLC串联电路中感抗和容抗相等时,电路中的电流达到最大值,这种现象称为(谐振)。3、用直流单臂电桥测量电阻时,如果按下电源和检流计按钮后,指针向“正”偏转,这时应(增加)比较臂的电阻值,反之应(减小)比较臂的电阻值。 4、晶体三极管的输出特性是指(基数电流Ib)为常数时(Ic与uc)之间的关系。 5、晶闸管触发电路的形式很多,但都由脉冲形成(同步移相)和(脉冲移相)几部分组成。 6 、当加到二级管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,该反。</p><p>16、03秋电子技术考试卷一(80%)一、 填空题(10分)1.半导体导电与金属导电机理本质差别为 ,常用本征半导体是 和 。2. 在内电场的作用下有规则的运动称为漂移运动。3.三极管主要参数有 、 、 ( 3个以上)4.当晶体三极管处于饱和或截止工作状态时, 之间如同一个开关。5.放大电路中,静态工作点设置太低易产生 失真,太高易产生 失真。6.直接耦合两个特殊问题是 和 . 7.组合逻辑电路的基本单元是 ,时序逻辑电路基本单元是 。8.化简 =。</p><p>17、选择1.放大电路中若负载电阻增大,则放大器的输出电阻( )A、增大 B、减小 C、不变 D、说不定怎样变化2.一个固定偏置的放大器,当其晶体管的=50时,IBQ=20 A,ICQ=1mA,现换一个为100的管子,则IBQ和ICQ分别为( )A、20A,2mA B、40A,4mA C、30A,3 mA D、10A,1mA3.设晶体管的为常数,如果增大下偏置电阻,则单级分压式偏置共发射极放大器的电压放大倍数的绝对值( )A、增大 B、减小 C、不变 D、说不定怎样变化.4.如果放大器在引入负反馈后,其输入电阻和输出电阻都减小了,则所引入的是( )A、电压串联负反馈 B、电压并联负反馈 C。</p>