东南大学信息学院模电答案作业题

东南大学信息学院模电答案作业题Tag内容描述：<p>1、电子线路作业题,第二章,2-13,在图P2-13所示的电路中，已知两管的1 = 0.99，2 = 0.98。T2的IB2 = 1.5 mA，两管的ICBO很小，均可忽略，|VA|，VCC = 15 V，R = 100 ，并设两管均工作于放大模式，试 (1) 画出电路的共发射极大信号电路模型 (2) 计算电流IC1、IC2、IB1、IC和电压VCE (3) 比较两个单管的1、2与复合管(= IC/IB1)值,解：,略,2-15,解：(1) 先对基极偏置电路进行戴维南等效 减小RB1或者RE，增加RB2 或者RC都可能使 三极管进入饱和区 (2),图P2-15所示电路中，已知 = 0.98，VBE(on) = 0.7 V，ICBO 0 (1) 试求IB 、IC 、VCE (2) 若RE = 。</p><p>2、作 业,第五章,5-2,+,-,-,+,-,-,电压并联负反馈,电流并联正反馈,+,+,+,电流串联正反馈,电流并联负反馈,+,-,-,电压串联正反馈,电流串联负反馈,+,+,+,电压串联负反馈,vo1,vo2,+,-,-,电压串联负反馈,+,-,-,电压串联负反馈,5-3,图P5-3所示放大器电路中，试问有否反馈作用（单级或两级）？为什么？图中，电容C对信号均可视作短路。,5-9,在图P5-9所示的多级放大器交流通路中，应如何接入反馈元件，才能分别实现下列要求；(1) 电路参数变化时，vo变化不大，并希望有较小的输入电阻Rif，(2) 当负载变化时，io变化不大，并希望放大器有较大的输入电。</p><p>3、习 题,第三章,3-2 在图P3-2所示电路中，假设两管n、Cox相同，VGS(th)=0.75V，ID2=1mA，若忽略沟道长度调制效应，并设T1管的沟道宽长比(W/l) 是T2管的5倍。试问流过电阻R的电流IR值。,解:,3-6 在图P3-6所示电路中，已知增强型MOSFET的,，,，沟道长度调制效应忽略不计，试求IDQ、VGSQ、VDSQ、gm 、rds值 。,解:,IDQ、VGSQ,双电源供电的N沟道增强型MOSFET电路如图P3-7所示，已知VGS(th)=2V，nCox=200A/V2，W=40m ，l=10m。设=0，要求ID= 0.4mA，VD=1V，试确定RD，RS值。,3-7,解:,3-13,各种类型场效应管的输出特性曲线如图P3-13所示，试分别指。</p>