高鸿业第七版第一章题答案

高鸿业第七版第一章题答案Tag内容描述：<p>1、1 第第1章 静力学公理和物体的受力分析章 静力学公理和物体的受力分析 1-1 画出下列各图中物体 A，ABC 或构件 AB，AC 的受力图。未画重力的各物体的自 重不计，所有接触处均为光滑接触。 P 2N F 1N F A (a) (a1) P N F A T F (b) (b1) PB A 2N F 3N F 1N F (c) (c1) A B 2 P 1 P Ax F Ay F T F (d) (d1) F B F A F BA (e) (e1) 2 AB F Ax F B F Ay F q (f) (f1) A B F C C F A F (g) (g1) A C 1 P C F Ax F Ay F B 2 P (h) (h1) B F C Ax F A D C F Ay F (i) (i1) (j) (j1) A B。</p><p>2、Chapter 1IntroductionDiscussion Questions1. In the domestic case, accounting is an information service that provides financial information about a domestic entity to domestic users of that i。</p><p>3、Chapter 1IntroductionDiscussion Questions1. In the domestic case, accounting is an information service that provides financial information about a domestic entity to domestic users of that information. International accounting is distinctive in that the entity being reported on is either a multinational company with operations and transactions that transcend national boundaries or involves an entiiy with reporting obligations to readers who are located outside the reporting entitys c。</p><p>4、第一章习题1设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：（K）=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计算电子自能带。</p><p>5、第一章习题1设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：（K）=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解：根据： 得补充题1分别计算Si（100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）Si在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图。</p><p>6、第一章习题 1设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为： （K）= （1）禁带宽度; （2）导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时。</p><p>7、第一章习题 1设晶格常数为 a的一维晶格，导带极小值附近能量 Ec(k)和价带极大值附 近能量 EV(k)分别为： Ec= 0 2012021202 36)(,(3mkhkEmkhV。 试 求 ：为 电 子 惯 性 质 量 ， na4.,1 （1）禁带宽度; （2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量; （4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1） eVmkEkE EdkmkEEcmdkkmkVCgVc 64.012)(43(,06430382430)(2122022021010 因 此 ： 取 极 大 值处 ，所 以又 因 为 得价 带 ： 取 极 小 值处 ，所 以 ： 在又 因 为 ：得 ：由导 带 ： 0432*8)(1dkmkCn sNkkpmdEmkkVn /1095.74。</p><p>8、第一章习题1设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量EV(k)分别为：Ec=（1）禁带宽度;（2） 导带底电子有效质量;（3） 价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试。</p><p>9、第一章习题 1 设晶格常数为a的一维晶格 导带极小值附近能量Ec k 和价带极大值附近能量EV k 分别为 Ec 1 禁带宽度 2 导带底电子有效质量 3 价带顶电子有效质量 4 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解 1 2 晶格。</p><p>10、第一章习题1设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k和价带极大值附近能量EV(k分别为：Ec=（1）禁带宽度;（2）导带底电子有效质量;（3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）2. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107 V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶。</p><p>11、第一章习题 1 设晶格常数为a的一维晶格 导带极小值附近能量Ec k 和价带极大值附近能量EV k 分别为 Ec 1 禁带宽度 2 导带底电子有效质量 3 价带顶电子有效质量 4 价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解 1 2 晶格常。</p>