GaN功率器件

GaN功率器件Tag内容描述：<p>1、GaN，SiC与Si性能比较 高压 高频 高温 GaN器件的优势 GaN器件具有比Si更好的性能： p 更快的Ton（100V/ns）， 更低的开关损耗 p 高击穿场强，更薄 的晶片 p 高电子迁移率，更低 的导通电阻 GaN器件的应用方向 器件特性与中小功率开关电源的发展极为契合 过去 现在 未来 l直插器件 l绕线式变压器 l表贴式器件 lPCB变压器 l更精简的系统架构 l无磁芯设计。</p><p>2、摘要：首先从器件性能和成本等方面分析了为何GaN功率器件是未来功率电子应用的首选技术方案，GaN功率器件具有无可比拟的性能优势，通过采用价格低且口径大的Si衬底，有望实现与硅功率器件相当的价格。其次，简要介。</p><p>3、第46卷第12期 2012年12月 电力电子技术 6，2 012 具有逆向导通能力的 进 一，姚 尧 ，张 波 ，刘 扬 (1中山大学，物理科学与工程技术学院，广东广州510275； 2电子科技大学，微电子与固体电子学院，四川成都610054) 摘要：介绍了一种具有逆向导通能力的电子迁移率晶体管(通过在 栅极与漏极之间插入一个肖特基电极并与源极连接，而相当于一个功 率开关与二极管反并联结构。通电阻与传统器 件制造上，需额外的光刻版及加工流程。因此，在电机驱动等需要反向续 流的功率系统中，供了一种更具成本优势的方案。 关键词：晶体管：逆向导通：体二。</p><p>4、氮化镓功率器件基础培训 工业电子事业部 邱勉为 2014 11 27 Samuel qiu 目录 2 常见的功率器件 MOSFET简介 GaN FET简介 GaN FET的应用 3 常见的功率器件 功率器件的作用 4 U I 电力电子开关系统的基本形式 5 常见的。</p><p>5、Recessed gate AlGaN/GaN modulation-doped field-effect transistors on sapphire T. Egawa, H. Ishikawa, M. Umeno, and T. Jimbo Citation: Applied Physics Letters 76, 121 (2000); doi: 10.1063/1.125676 Vie。</p><p>6、本科毕业论文GaN 基微波功率器件 AuSn 共晶界面失效仿真建模专业机械工程及自动化姓名指导教师评 阅 人20XX 年 X 月中国南京河海大学本科毕业论文BACHELORS DEGREE THESIS OF HOHAI UNIVERSITYFailure Simulation Modeling of AuSn Eutectic Interface of GaN based Microwave Power DeviceCollege： Major：Mechanical Engineering and AutomationName： Directed by：。</p><p>7、西安电子科技大学 硕士学位论文 GaN微波及THz功率器件设计与工艺研究 姓名：王中旭 申请学位级别：硕士 专业：微电子学与固体电子学 指导教师：杨林安 20100101 也丽如嘣 】棚沁， ，研仃】锄 哆，曲一行 曲谫恤毹啦 舢晰。</p><p>8、GaN纳米材料器件,纳米材料特性,四大效应：表面与界面效应、小尺寸效应、量子尺寸效应、宏观量子隧道效应 光学性质（尺寸小，减少对光的反射率） 热学性质（降低熔点） 磁学性质（高矫顽力以及超顺磁性) 力学性质（高强度，高韧性）,GaN纳米材料,纳米GaN优异性： 纳米结构中应力弛豫可有效的降低位错密度 尺寸小于光生载流子扩散长度，能够减小电子器件激活层中局域化效应 GaN纳米线没有线性位错，可以改。</p><p>9、2012 Copyrights Yole Dveloppement SA. All rights reserved. Power GaN GaN technologies for power electronic applications: Industry and market status & forecasts. 2012 edition 75, cours Emile ZOLA, F-69100 Villeurbanne, France Tel: +33 472 83 01 80 - Fax: +33 472 83 01 83 Web: http:/www.yole.fr Dow corning FBH EpiGaN AZZURRO FBH EPC Corp. IMEC YOLE DEVELOPPEMENT 2012 2 Copyrights Yole Dveloppement SA. All rights reserved. Power GaN: a Question of Bus。</p><p>10、GaN器件,白桦林 物理与微电子科学学院 2012年12月,GaN器件专题报告,报告内容,GaN介绍 GaN器件 GaN器件的应用 总结,GaN器件专题报告,GaN介绍 GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半。</p><p>11、浅析GaN基新型结构HEMT器件 姜文海 （南京电子器件研究所江苏南京） 摘要：近些年来，随着时代经济的飞速发展以及科技的进步，材料不仅仅有着较高的饱和电子迁移速度，同时也有着较高的击穿场强。对于基的器件而言，是实现毫米波功率器件的一种重要选择。分析基新型结构器件时，首先对基新型结构器件的发展历程进行回顾，其次对基新型结构器件的设计原理做了具体的分析，最后探讨了基新型结构器件的基本结构。 关键词：基；器件；毫米波 ：TN386.6：51540 ：50716 对于当前的基新型结构器件而言，由于存在极化效应所产生的较强的二维电子。</p><p>12、第 4 6卷第 1 2期 2 01 2年 1 2月 电力 电子 技 术 P o we r El e c t r o n ic s Vo 1 4 6，No 1 2 De c e mb e r 2 0 1 2 硅基 G a N功率半导体技术 周 琦 ，陈万军 ，张 波 ( 电子科技大学， 电子薄膜与集成。</p><p>13、GaN微电子器件的发展前景分析摘要：本文介绍了GaN材料的优良特性以及工艺上存在的问题；着重介绍了GaN微电子器件的发展和应用；GaN器件的前景和市场。关键词：GaN； GaN材料；GaN器件The Research of the GaN Microelectronic DevicesAbstract: This paper introduced the propertie。</p><p>14、电子技术基础II为考试课.平时成绩比例为50% ，并且此课程要有三次平时阶段测验或期中考试，各测验或考试成绩占平时成绩的60%，其它环节如作业、报告、考勤等占平时成绩的40%。,第6章 功率电路及功率器件,第1节 功率放大电路 第2节 直流电源 第3节 功率器件,主菜单,回 退,前 进,最 后,返 回,作 ？业,退 出,开 始,第6章 功率电路及功率器件,实际放大电路的负载中，电压uO、电流 i。</p><p>15、S i C和 G a N宽禁带器件技术综述 J W Mi l l i g a n S S h e p p a r d W P r i b b l e 摘要 宽禁带( WB G )器件为下一代军事和商用系统提供 了明显的优势。 S i C ( 碳 化硅集成电路) ME S F E T。</p><p>16、氮化镓 GaN 基半导体材料及器件 一 项目背景资料介绍 1 第三代半导体氮化镓 GaN 晶体 当今世界 被誉为IT产业发动机的半导体产业已诞生了以氮化镓 GaN 及其合金材料为代表的第三代材料 第一代和第二代半导体分别以硅。</p><p>17、密级： 中国科学院大学 U n i v e r s i t yo fC h i n e s eA c a d e m yo fS c i e n c e s 博士学位论文 2 0 1 3 年5 月 S t u d yo nG a N b a s e dH E M TM a t e r i a l sa n dD e v i c e sw i t h。</p>