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光电探测器的物理基础

3.1.3 光电探测器的性能参数。而探测器的性能由特定工作条件下的一些参数来表征。一、光电探测器的工作条件。光电探测器的性能参数与其工作条件密切相关。要注明有关的工作条件。主要工作条件有。第二章 光电探测器的物理基础。光电探测与信号处理。2.1 半导体物理基础。以及和第IV族等价的化合物(GaAs、GaN等)。

光电探测器的物理基础Tag内容描述:<p>1、第三章光电探测器,3.1 光电探测器的物理基础 3.2 光电子发射探测器 3.3 光电导探测器 3.4 光伏探测器 3.5 热电探测器 3.6 光电成值器件 3.7 各类光电探测器的性能及应用比较,第三章光电探测器,3.1 光电探测器的物理基础 3.2 光电子发射探测器 3.3 光电导探测器 3.4 光伏探测器 3.5 热电探测器 3.6 光电成值器件 3.7 各类光电探测器的性能及应用比较,3.1 光电探测器的物理基础,3.1.1 光辐射与度量 3.1.2 光电探测器概述 3.1.3 光电探测器的性能参数 3.1.4 光电探测器的噪声,3.1.1 光辐射与度量,光的基本性质回顾 1.光是一种电磁波物质 2.电。</p><p>2、1,3.1.3 光电探测器的性能参数,光电系统一般都是围绕光电探测器的性能进行设计的,而探测器的性能由特定工作条件下的一些参数来表征。 实际参量 参考参量 测量条件,2,一、光电探测器的工作条件,光电探测器的性能参数与其工作条件密切相关,在给出性能参数时,要注明有关的工作条件。这一点很重要,因为只有这样,光电探测器才能互换使用。 主要工作条件有: 1辐射源的光谱分布 2电路的通频带和带宽 3工作温度 4光敏面尺寸 5偏置情况,3,1.辐射源的光谱分布,很多光电探测器(特别是光子探测器),其响应是辐射波长的函数。仅对一定的波长范。</p><p>3、1,3.1.3 光电探测器的性能参数,光电系统一般都是围绕光电探测器的性能进行设计的,而探测器的性能由特定工作条件下的一些参数来表征。 实际参量 参考参量 测量条件,2,一、光电探测器的工作条件,光电探测器的性能参数与其工作条件密切相关,在给出性能参数时,要注明有关的工作条件。这一点很重要,因为只有这样,光电探测器才能互换使用。 主要工作条件有: 1辐射源的光谱分布 2电路的通频带和带宽 3工作温度 4光敏面尺寸 5偏置情况,3,1.辐射源的光谱分布,很多光电探测器(特别是光子探测器),其响应是辐射波长的函数。仅对一定的波长范。</p><p>4、1,第二章 光电探测器的物理基础,华中科技大学,光电探测与信号处理,2,第二章 光电探测器的物理基础,3,2.1 半导体物理基础,4,一本征半导体,我们将第IV族(最外层轨道有四个电子)的元素(Si、Ge等),以及和第IV族等价的化合物(GaAs、GaN等),且掺杂极少杂质的半导体的结晶,称之为本征半导体(intrinsic semiconductor ),5,6,7,二杂质半导体,(Extrinsic semiconductor),8,(donor ),9,10,(acceptor),11,12,13,能带:一定能量范围内的许多能级(彼此相隔很近)形成一条带,称为能带 允许带:允许被电子占据的能带。允许带之间的范围是。</p><p>5、1,第二章 光电探测器的物理基础,华中科技大学,光电探测与信号处理,2,第二章 光电探测器的物理基础,3,2.1 半导体物理基础,4,一本征半导体,我们将第IV族(最外层轨道有四个电子)的元素(Si、Ge等),以及和第IV族等价的化合物(GaAs、GaN等),且掺杂极少杂质的半导体的结晶,称之为本征半导体(intrinsic semiconductor ),5,6,7,二杂质半导体,(Extrinsic semiconductor),8,(donor ),9,10,(acceptor),11,12,13,能带:一定能量范围内的许多能级(彼此相隔很近)形成一条带,称为能带 允许带:允许被电子占据的能带。允许带之间的范围是。</p>
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