光刻与刻蚀工艺

光刻与刻蚀工艺Tag内容描述：<p>1、集成电路制造技术 第八章 光刻与刻蚀工艺,西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2012年8月,主要内容,光刻的重要性 光刻工艺流程 光源 光刻胶 分辨率 湿法刻蚀 干法刻蚀,第八章 光刻与刻蚀工艺,IC制造中最重要的工艺：决定着芯片的最小特征尺寸占芯片制造时间的40-50%占制造成本的30% 光刻：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形转 移到光刻胶上。 刻蚀：通过腐蚀，将光刻胶上图形完整地转移到Si片上 光刻三要素：光刻机光刻版（掩膜版）光刻胶 ULSI对光刻的要求：高分辨率；高灵敏的光刻胶； 低缺陷；精密的套刻对准；,第八章 光刻与。</p><p>2、第八章 光刻与刻蚀工艺,光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，经过光照、显影，在光刻胶上留下掩模版的图形。 在集成电路制造中，利用光刻胶图形作为保护膜，对选定区域进行刻蚀，或进行离子注入，形成器件和电路结构。 随着集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小，期望进一步缩小光刻图形的尺寸。 目前已经开始采用线宽为0.2-0.1m的加工技术。,高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求光刻具有高分辨率。 高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵。</p><p>3、光刻、显影工艺简介,光刻胶( Photo-resist )概述 +PR 和 PR的区别 描述光刻工艺的步骤 四种对准和曝光系统,光刻胶概述,高分辨率 High Resolution； 高光敏性 High PR Sensitivity 精确对准 Precision Alignment,光刻胶是TFT制作的基本工艺材料之一：由树脂、感光化合物、溶剂 3 个基本部分组成；,具有光化学敏感性：被紫外光、电子束、X射线、电子束等曝光光源照射后，发生光化学反应，溶解度发生变化；,+PR & -PR,+PR & -PR基本原理,基板处理,涂胶 + 烘烤,曝光,显影、光刻,+PR & -PR 树脂分子结构,正胶：曝光时切断树脂聚合体主链和从链。</p><p>4、第八章光刻与刻蚀工艺 主讲 毛维mwxidian 西安电子科技大学微电子学院 绪论 光刻 通过光化学反应 将光刻版 mask 上的图形转移到光刻胶上 刻蚀 通过腐蚀 将光刻胶上图形完整地转移到Si片上光刻三要素 光刻机 光刻版 掩膜版 光刻胶ULSI对光刻的要求 高分辨率 高灵敏的光刻胶 低缺陷 精密的套刻对准 绪论 光刻胶三维图案 绪论 集成电路芯片的显微照片 绪论 接触型光刻机 步进型光刻机。</p><p>5、lithography Introduction光刻洁净室工艺流程光刻机光刻胶掩膜版 图形曝光与刻蚀 图形曝光 lithography 又译光刻术 利用掩膜版 mask 上的几何图形 通过光化学反应 将图案转移到覆盖在半导体晶片上的感光薄膜层上 称为光致抗蚀剂 光刻胶或光阻 resist 简称抗蚀剂 的一种工艺步骤这些图案可用来定义集成电路中各种不同区域 如离子注入 接触窗 contactwind。</p><p>6、lithography,Introduction光刻洁净室工艺流程光刻机光刻胶掩膜版,图形曝光与刻蚀,图形曝光（lithography，又译光刻术）利用掩膜版（mask）上的几何图形，通过光化学反应，将图案转移到覆盖在半导体晶片上的感光薄膜层上（称为光致抗蚀剂、光刻胶或光阻，resist，简称抗蚀剂）的一种工艺步骤这些图案可用来定义集成电路中各种不同区域，如离子注入、接触窗（contactwind。</p><p>7、第八章 光刻与刻蚀工艺,光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上光刻胶薄层，经过光照、显影，在光刻胶上留下掩模版的图形。 在集成电路制造中，利用光刻胶图形作为保护膜，对选定区域进行刻蚀，或进行离子注入，形成器件和电路结构。 随着集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小，期望进一步缩小光刻图形的尺寸。 目前已经开始采用线宽为0.2-0.1m的加工技术。,高分辨率。通常把线宽作为光刻水。</p><p>8、第八章 光刻与刻蚀工艺,主 讲：毛 维 西安电子科技大学微电子学院,绪论,光刻：通过光化学反应，将光刻版（mask）上的图形 转移到光刻胶上。 刻蚀：通过腐蚀，将光刻胶上图形完整地转移到Si片上 光刻三要素： 光刻机 光刻版（掩膜版） 光刻胶 ULSI对光刻的要求： 高分辨率；高灵敏的光刻胶； 低缺陷；精密的套刻对准；,绪论,光刻胶三维图案,绪论,集成电路芯片的显微照片,绪论。</p>