硅单晶中氧

硅单晶中氧Tag内容描述：<p>1、一 硅单晶中氧 碳的分布情况1 氧 在硅单晶中 以间隙氧的形式存在 1 硅中氧的含量 直拉单晶硅 4 1017 3 1018原子 cm3多晶硅 1016 1017原子 cm3 2 最大溶解度 熔硅 2 2 1018原子 cm3固体硅 2 75 1018原子 cm3 3 分布。</p><p>2、一、硅单晶中氧、碳的分布情况1、氧：在硅单晶中，以间隙氧的形式存在（1）硅中氧的含量：直拉单晶硅：4101731018原子/cm3多晶硅：10161017原子/cm3（2）最大溶解度：熔硅：2.21018原子/cm3固体硅：2.751018原子/cm3（3）分布：硅单晶中的氧，由于分凝作用在晶体中呈条纹状分布，头部高，尾部低。,（4）间隙氧对硅单晶结构和性能产生的影响：1）可以增加硅片的机械强。</p><p>3、一、硅单晶中氧、碳的分布情况1、氧：在硅单晶中，以间隙氧的形式存在（1）硅中氧的含量：直拉单晶硅：4101731018原子/cm3多晶硅：10161017原子/cm3（2）最大溶解度：熔硅：2.21018原子/cm3固体硅：2.751018原子/cm3（3）分布：硅单晶中的氧，由于分凝作用在晶体中呈条纹状分布，头部高，尾部低。,（4）间隙氧对硅单晶结构和性能产生的影响：1）可以增加硅片的机械强。</p><p>4、第一，硅单晶中的氧、碳的分布1，氧：硅单晶中作为间隙氧存在的硅的氧含量：超单晶硅：41017至31018原子/cm3多晶硅：1016至1017原子/cm3(，(4)间隙氧对硅单晶结构和特性的影响：1)提高硅的机械强度，避免弯曲和翘曲等变形。2)形成热捐赠者后，装置的电阻率和反向击穿电压发生变化，形成堆垛机故障和涡流缺陷。3)形成氧气沉淀，引起电位、堆积层错误等缺陷。2，碳：硅单晶中1间隙氧的形态存。</p><p>5、三、红外光谱法测单晶硅中氧、碳的含量 1、硅中氧和碳的红外吸收光谱。如图所示,氧的特征峰： （1）波长为1=8.3m(波数为1205.cm-), 此吸收波峰主要为分子对称伸缩振动产生的，吸收峰强度很小。 (2) 波长为2=9m(波数为1105.cm-), 此吸收波峰主要为分子弯曲振动产生的，吸收峰强度最大。 （3）波长为3=19.4m(波数为515.cm-), 此吸收波峰主要为分子反对称伸缩振动产。</p><p>6、三、红外光谱法测单晶硅中氧、碳的含量 1、硅中氧和碳的红外吸收光谱。如图所示,氧的特征峰： （1）波长为1=8.3m(波数为1205.cm-), 此吸收波峰主要为分子对称伸缩振动产生的，吸收峰强度很小。 (2) 波长为2=9m(波数为1105.cm-), 此吸收波峰主要为分子弯曲振动产生的，吸收峰强度最大。 （3）波长为3=19.4m(波数为515.cm-), 此吸收波峰主要为分子反对称伸缩振动产。</p>