硅片制绒和清洗

硅片制绒和清洗Tag内容描述：<p>1、硅片制绒和清洗,2,目录,硅片表面损伤层的形成及处理方法 绒面腐蚀的原理 影响绒面质量的关键因素及分析 工艺控制方法 化学清洗原理 安全注意事项,3,概 述,硅片表面处理的目的：,4,硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程,单晶硅,多晶硅,5,硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割,6,硅片表面的机械损伤层 （三）机械损伤层,7,硅片表面的机械损伤层 （三）切割损伤层的腐蚀（初抛）,线切割损伤层厚度可达10微米左右。 一般采用20%的碱溶液在90条件腐蚀 0.51min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到610um/min 。 初抛时间在达到去。</p><p>2、硅片制绒和清洗,概述,硅片表面的处理目的： 去除硅片表面的机械损伤 清除表面油污和金属杂质 形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收,硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程,多晶硅,单晶硅,硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割,硅片表面的机械损伤层 （三）机械损伤层,粗抛,粗抛 原理：各个晶面在高浓度的碱溶液将不再具有各项异性腐蚀特性 目的：去除表面的机械损伤层以及其它杂质 一般采用20%的碱溶液在90条件腐蚀 0.51min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到610um/min 。 粗抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减。</p><p>3、硅片制绒和清洗,概述,硅片表面的处理目的： 去除硅片表面的机械损伤 清除表面油污和金属杂质 形成起伏不平的绒面，增加硅片对太阳光的吸收,硅片表面的机械损伤层 （一）硅锭的铸造过程,多晶硅,单晶硅,硅片表面的机械损伤层 （二）多线切割,硅片表面的机械损伤层 （三）机械损伤层,粗抛,粗抛 原理：各个晶面在高浓度的碱溶液将不再具有各项异性腐蚀特性 目的：去除表面的机械损伤层以及其它杂质 一般采用20%的碱溶液在90条件腐蚀 0.51min以达到去除损伤层的效果,此时的 腐蚀速率可达到610um/min 。 粗抛时间在达到去除损伤层的基础上尽量减。</p>