化学气相淀积

化学气相淀积Tag内容描述：<p>1、浮法在线化学汽相淀积镀膜技术手册秦皇岛玻璃工业研究设计院一九九六年五月一、化学汽相淀积法镀膜原理化学汽相淀积（CVD）工艺已成为膜制备方法中很重要的一类。本质上，CVD是一种材料的合成法。在这种方法中蒸汽相成份以化学方法反应形成固体薄膜，作为一种固相反应产物凝结在衬底上。反应应该接近或就在衬底表面上发生（复相反应），而且不应在气相下发生，以免粉末状淀积生成。反应的活化，可以用各种方法实现。已经观察到，工艺参数如衬底温度、气相压强、反应物的浓度、流率等，对淀积膜的性质有显著的影响。大约在五十年前，当耐熔。</p><p>2、集成电路制造技术 第六章 化学气相淀积,西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2010年3月,第六章 化学气相淀积,化学气相淀积：CVD，Chemical Vapour Deposition。 通过气态物质的化学反应，在衬底上 淀积一层薄膜的工艺过程。 CVD薄膜：集成电路工艺所需的几乎所有薄膜，如 SiO2、Si3N4、PSG、BSG（绝缘介质） 多晶硅、金属（互连线/接触孔/电极） 单晶硅（外延）等。 CVD特点：淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和 重复性好、台阶覆盖好、适用范围广、设备简单等 CVD系统：常压CVD（APCVD）、低压CVD（LPCVD）和 等离子增强CVD（。</p><p>3、第7章 化学气相淀积 (Chemical Vapor Deposition),微电子工艺(6)薄膜技术,第7章 化学气相淀积 (CVD),7.1 CVD概述 7.2 CVD工艺原理 7.3 CVD工艺方法 7.4 二氧化硅薄膜的淀积 7.5 氮化硅薄膜淀积 7.6 多晶硅薄膜的淀积 7.7 CVD金属及金属化合物薄膜,7.1 CVD概述,化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是把构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气以合理的流速引入反应室，在衬底表面发生化学反应并在衬底上淀积薄膜的工艺方法。 淀积的薄膜是非晶或多晶态，衬底不要求是单晶，只要是具有一定平整度，能经受淀积温度即可。,CVD淀。</p><p>4、集成电路制造技术第六章化学气相淀积,西安电子科技大学微电子学院戴显英2010年3月,第六章化学气相淀积,化学气相淀积：CVD，ChemicalVapourDeposition。通过气态物质的化学反应，在衬底上淀积一层薄膜的工艺过程。CVD薄膜：集成电路工艺所需的几乎所有薄膜，如SiO2、Si3N4、PSG、BSG（绝缘介质）多晶硅、金属（互连线/接触孔/电极）单晶硅（外延）等。CVD特点：淀积温度。</p><p>5、L 9 9 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 s J / T 1 0 3 1 1 一9 2 低压化学气相淀积设备 通用技术条件 G e n e r i c s p e c i f i c a t i o n o f l o w P r e s s u r e C h e m i c a l v a p o r D e p o s i t i o n s y s t e m 1 9 9 2 - 0 6 - 0 5 发布1 9 9 2 - 1 2 - 0 1 实施 中华人民共和国机械电子工业部发布 中华 人民 共 和国 电子 行 业标 准 低压化学气相淀积设备 通用技术条件 S J / T 1 0 3 1 1 -9 2 Ge n e r i c S p e c i f i c a t i o n o f l o w P r e s s u r e C h e mi c a l v a p o r D e p o s 。</p><p>6、第六章化学气相淀积,主讲：毛维mwxidian西安电子科技大学微电子学院,概述,化学气相淀积：CVDChemicalVapourDeposition。定义：一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。例如：热分解SiH4，SiH4=Si（多晶)+2H2(g)，SiH4+O2=SiO2（薄膜）+2H2CVD薄膜：SiO2、Si3N4、PSG、BS。</p><p>7、Chap.6化学气相沉积(CVD )、CVD的基本概念，特征和应用，1，CVD的基本模型和控制因素，2，3，CVD多晶硅和氮化硅的方法，4，5，CVD SiO2的特性和方法，CVD系统的构成和分类，1，精制内容， CVD的基本概念化学气相沉积(chemical vapor deposition ) :将含有构成薄膜元素的气体反应剂或液体反应剂的蒸汽以合理的流速导入反应室，用某种方法激活，在基。</p><p>8、第六章 化学气相淀积,主 讲：毛 维 西安电子科技大学微电子学院,概述,化学气相淀积：CVDChemical Vapour Deposition。 定义：一种或数种物质的气体，以某种方式激活后，在衬 底发生化学反应，并淀积出所需固体薄膜的生长技术。 例如： 热分解SiH4， SiH4 = Si（多晶)+2H2(g) ， SiH4+O2 = SiO2 （薄膜）+2H2 CVD薄膜：Si。</p><p>9、集成电路制造工艺,东华理工大学 彭新村 13687095856,第6章 化学气相淀积 (CVD),6.1 CVD概述 6.2 CVD工艺原理 6.3 CVD工艺方法 6.4 二氧化硅薄膜的淀积 6.5 氮化硅薄膜淀积 6.6 多晶硅薄膜的淀积 6.7 CVD金属及金属化合物薄膜,6.1 CVD概述,化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是把构成薄膜元素的气态反。</p>