霍尔式传感器

霍尔式传感器Tag内容描述：<p>1、II 目录 摘要I ABSTRACT.II 前言V 1 霍尔器件的介绍.1 1.1 霍尔器件与车速计的关系.1 1.2 霍尔器件的原理.3 1.3 霍尔接近开关.4 1.4 霍尔速度传感器内部.4 2 霍尔传感器与车速计.5 2.1 原理.5 2.2 关系图.6 2.3 计算机程序中的关系.7 2.4 执行器驱动控制电路11 3 车速计的介绍13 3.1 磁电式车速传感器.13 3.2 霍尔式车速传感器13 3.3 光电式车速传感器.14 4.1 概述.24 4.2 LWGY 基本型涡轮流量传感器 24 4.3 流量脉冲信号采集电路27 III 摘 要 霍尔传感器是一种当交变磁场经过时产生输出电压脉冲的传感器。 脉冲的幅度是由激励磁场的场强。</p><p>2、摘 要科学技术的发展对称重技术提出了更高的要求，尤其是微处理技术和传感技术的巨大进步，大大加速了这个进程。目前，电子秤在商业销售中的使用已相当普遍，但在市场上仍广泛使用的电子秤有很大局限性。这些电子秤体积大、成本高，又不便随身携带，而目前市场上流行的便携秤又大都采用杆式秤或以弹簧压缩、拉伸变形来实现计量的弹簧秤等，其计量误差大，又容易损坏。杆式秤和弹簧秤等计量器械将逐渐被淘汰。因此，一种能够在未来更方便、更准确的普及型电子秤的发展受到人们的重视，设计一种重量轻、计量准确、读数直观的民用电子秤迫在。</p><p>3、郑州科技学院 机械工程系第八章 霍尔传感器课题：霍尔传感器的原理及应用课时安排：2课次编号：12教材分析难点：开关型霍尔集成电路的特性重点：霍尔传感器的应用教学目的和要求1、了解霍尔传感器的工作原理；2、了解霍尔集成电路的分类；3、掌握线性型和开关型霍尔集成电路的特性；4、掌握霍尔传感器的应用。采用教学方法和实施步骤：讲授、课堂互动、分析教具：各种霍尔元件、霍尔传感器各教学环节和内容演示1：将小型蜂鸣器的负极接到霍尔接近开关的OC门输出端，正极接Vcc端。在没有磁铁靠近时，OC门截止，蜂鸣器不响。当磁铁靠近到一。</p><p>4、1,4.9 霍尔式传感器,霍尔传感器是利用半导体材料的霍尔效应进行测量的一种磁敏式传感器，一般由锗、硅、锑化铟、砷化铟等半导体材料制成。 它可以直接测量磁场及微位移量，已经广泛应用于电磁、压力、加速度、振动等的测量领域。 目前霍尔传感器已从分立元件发展到了集成电路的阶段，正越来越受到人们的重视，应用日益广泛。,2,1） 霍尔效应,在与磁场垂直的N型半导体薄片上通以电流I，由于N型半导体的载流子为电子，因此电子将沿与电流相反的方向运动。由于洛仑磁力的作用，电子发生偏转，一侧形成电子累积，另一侧形成正电荷累积，于是元。</p><p>5、第五章霍尔式传感器 5 1霍尔式传感器的工作原理5 2霍尔式传感器的基本测量电路5 3霍尔式传感器的误差与补偿5 4霍尔式传感器的应用 霍尔传感器是基于霍尔效应的一种传感器 1879年美国物理学家霍尔首先在金属材料中发现了霍尔效应 但由于金属材料的霍尔效应太弱而没有得到应用 随着半导体技术的发展 开始用半导体材料制成霍尔元件 由于它的霍尔效应显著而得到应用和发展 霍尔传感器广泛用于电磁测量 压力。</p><p>6、项目五霍尔式传感器 主要学习霍尔传感器的工作原理 霍尔集成电路的特性及其在检测技术中的应用 还涉及磁场测量技术 一 霍尔元件的结构及工作原理 半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中 磁场方向垂直于薄片 当有电流I流过薄片时 在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势EH 这种现象称为霍尔效应 磁感应强度B为零时的情况 c d a b 磁感应强度B较大时的情况 作用在半导体薄片上的磁场强度B越强 霍尔电势。</p><p>7、2017-02-17 1 4.15 霍尔式传感器霍尔式传感器 4.15. 1 霍尔式传感器工作原理 4.15.2 霍尔元件的特性及其补偿 4.15.3 霍尔集成电路 4.15.4 霍尔传感器的应用及实例 1 4.15. 1 霍尔式传感器工作原理 霍尔式传感器是基于某些半导体材料的霍尔效应原理制成 的。半导体薄片的两端通以电流 ，而在垂直方向施加磁 感应强度，在半导体的两侧会产生电动势，这一现象 称。</p><p>8、第8章 霍尔式传感器,主要内容 8.1 霍尔效应（重点） 8.2 霍尔系数和灵敏度（重点） 8.3 材料及结构特点 8.4 基本电路形式（重点） 8.5 电磁特性（重点） 8.6 误差分析及其补偿方法（重点、难点） 8.7 应用（重点）,8.1 霍尔效应（Hall-effect）,在与磁场垂直的N型半导体薄片上通以电流I，假设载流子为电子，它沿与电流I相反的方向运动。由于洛仑兹力fL的作用，电子将。</p><p>9、1,4.9 霍尔式传感器,霍尔传感器是利用半导体材料的霍尔效应进行测量的一种磁敏式传感器，一般由锗、硅、锑化铟、砷化铟等半导体材料制成。 它可以直接测量磁场及微位移量，已经广泛应用于电磁、压力、加速度、振动等的测量领域。 目前霍尔传感器已从分立元件发展到了集成电路的阶段，正越来越受到人们的重视，应用日益广泛。,2,1） 霍尔效应,在与磁场垂直的N型半导体薄片上通以电流I，由于N型半导体的载流子为电。</p>