集成电路工艺基础

集成电路工艺基础Tag内容描述：<p>1、1 SiO2的结构和性质:分为结晶形和非结晶形（无定形），均由Si-O四面体组成：中心-硅原子，四个顶角-氧原子，形成O-Si-O键桥，相邻四面体靠此键桥连接。结晶形SiO2由Si-O四面体在空间规则排列所构成。非结晶形SiO2依靠桥键氧把Si-O四面体无规则地连接起来，构成三维的玻璃网络体。热氧化制备SiO2的过程中，是氧或水汽等氧化剂穿过SiO2层，到达Si-SiO2界面，与Si反应生成SiO2 ，而不是Si向SiO2外表面运动、在表面与氧化剂反应生成SiO2。2 SiO2的掩蔽作用:按杂质在网络中所处的位置可分为两类：网络形成者和网络改变者。网络形成者（剂）-可。</p><p>2、电子科技大学中山学院 Chap 4 离子注入 v核碰撞和电子碰撞 v注入离子在无定形靶中的分布 v注入损伤 v热退火 电子科技大学中山学院 离子注入 v 离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的 过程，注入能量介于1KeV到1MeV之间，注入深度平均可达 10nm10um。离子剂量变动范围，从用于阈值电压调整的 1012/cm2到形成绝缘埋层的1018/cm2。 v 相对于扩散，它能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较 低的工艺温度。 v 离子注入已成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。一般 CMOS制程，大约需要612个或更多的离子注入步骤。 电子科技大学中山学。</p><p>3、Chap 4 离子注入,核碰撞和电子碰撞 注入离子在无定形靶中的分布 注入损伤 热退火,离子注入,离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程，注入能量介于1KeV到1MeV之间，注入深度平均可达10nm10um。离子剂量变动范围，从用于阈值电压调整的1012/cm2到形成绝缘埋层的1018/cm2。 相对于扩散，它能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。 离子注入已成为VLSI制程上最主要的掺杂技术。一般CMOS制程，大约需要612个或更多的离子注入步骤。,离子注入应用,隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断 调整阈值电压用的沟道掺杂 CM。</p><p>4、1,2.3 MOS集成电路工艺基础,在前面的讨论中，我们已看到多个晶体管的平面图形和剖面结构（图2-1），那么，它们是怎么在硅片上形成的呢?在这一节中，将介绍集成电路的基本加工工艺技术，稍后将介绍简化的CMOS集成电路加工工艺流程，并讨论有关的技术问题。,2,2.3.1 基本的集成电路加工工艺 2.3.2 集成电路生产线 2.3.3 深亚微米工艺特点 2.3.4 制造影响设计 2.3.5 CMOS集成电路加工过程简介 2.3.6 CMOS工艺的主要流程 2.3.7 Bi-CMOS工艺技术 2.3.8 体硅CMOS工艺设计中阱工艺的选择,3,2.3.1 基本的集成电路加工工艺 在计算机及其VLSI设计系。</p><p>5、Chap 9 金属化与多层互连,金属化 金属及金属性材料在集成电路技术中的应用 金属化的作用 将有源元件按设计的要求联结起来形成一个完整的电路和系统 提供与外电源相连接的接点 互连和金属化不仅占去了相当的芯片面积。</p><p>6、电子爱好者电子技术论坛，第7章离子注入，电子爱好者电子技术论坛，离子注入概述，离子注入首次应用于原子物理和核物理研究，并在20世纪50年代中期被提议引入半导体制造，电子爱好者电子技术论坛，离子注入，是掺杂半导体的另一种方法。杂质被电离成离子并聚焦成离子束，离子束在电场中被加速以获得极高的动能，然后被注入硅(称为“靶”)中以实现掺杂。离子束是带电原子或分子的束，可被电场或磁场偏转，并在高压下加速以获。</p>