IGBT静态特性

IGBT静态特性Tag内容描述：<p>1、IGBT的动态特性与静态特性的研究IGBT动态参数IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。RGINT模块内部栅极电阻为了实现模块内部芯片均流，模块内部集成有栅极电阻。该电阻值应该被当成总的栅极电阻的一部分来计算IGBT驱动器的峰值电流能力。RGEXT外部栅极电阻外部栅极电阻由用户设置，电阻值会影响IGBT的。</p><p>2、IGBT的动态特性与静态特性的研究IGBT动态参数IGBT模块动态参数是评估IGBT模块开关性能如开关频率、开关损耗、死区时间、驱动功率等的重要依据，本文重点讨论以下动态参数：模块内部栅极电阻、外部栅极电阻、外部栅极电容、IGBT寄生电容参数、栅极充电电荷、IGBT开关时间参数，结合IGBT模块静态参数可全面评估IGBT芯片的性能。RGint：模块内部栅极电阻:为了实现模块内部芯片均流，模块内部集成有栅极电阻。该电阻值应该被当成总的栅极电阻的一部分来计算IGBT驱动器的峰值电流能力。RGext：外部栅极电阻：外部栅极电阻由用户设置，电阻值会。</p><p>3、IGBT 关断特性分析 摘 要 本文以 IGBT 的物理模型为研究对象 详细 分析 IGBT 关断过程中门 射极电压 门极电流及集电极 射 极电压 集电极电流的各种行为情况 并以英飞凌的 IGBT 参数为依据 建立 IGBT 的仿真测试模型 分析门 射极电压 门极电流及集电极 射极电压 集电极电流的情况 与理论 分析对比表明结果很好的吻合在一起 为进一步的应用 IGBT 提供参考 关键词 IGBT。</p><p>4、IGBT的开通过程 刘芳讲师 通识学类 上课日期 2015 04 26 企业学程 Content目录 01 1交 直 交过程 Vbus 1 35倍线电压有效值01 2IGBT 电压尖峰 电流尖峰 01 三相逆变构成 永大企业学程 通识学类 02 1换流过程02 2第二。</p><p>5、IGBT关断特性分析 【摘 要】本文以IGBT的物理模型为研究对象，详细分析IGBT关断过程中门-射极电压、门极电流及集电极-射极电压、集电极电流的各种行为情况；并以英飞凌的IGBT参数为依据，建立IGBT的仿真测试模型。</p><p>6、收稿日期 作者简介 李明 5 6 A6 BA 859 6 B M AHF FC N A6 5 6 56 CA GAF576 BA 56G5 AGO 6194 444 图 最大有效瞬态结壳热阻抗 参见图 在电路结构 器件开关电压 电流 和结壳温差一定的条件下 器件所通电流的有效值。</p><p>7、第 46 卷第 1 2 期 2012 年 12 月 电力 电子技 术 P ow er E leetro n i es V ol 4 6 N o 12 D eeem b er 20 12 IG BT静态参数测试方法研究 李更生 杨莉 徐 庆冲 张永健 西安电力电子技术研究所 陕西 西安7 1 0 0 6 1 摘要 通过对 I G B T器件静态参数测试方法的研究 初步设计 了基于 l月 bv i E。</p><p>8、CONTENT,1IGBT简介IGBT，绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），它是由BJT（双极结型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。BJT（BipolarJunctionTransistor）双极结型晶体管主要特征是：耐压高、电流大、开关特性好。缺点：驱动功率大、驱动电路复杂、开关速度慢。MOSFET绝。</p><p>9、收稿日期 1996 03 06 第26卷第5期 1996年10月 微 电 子 学 M icroelectronics Vol 26 No 5 Oct 1996 IGBT的传输特性分析 张 日文 李肇基 电子科技大学微电子研究所 四川成都 610054 摘 要 对绝缘栅双极晶体管 IGBT。</p><p>10、IGBT的特性和应用西安通信学院 王鸿麟西安理工大学 周晓军 摘要：本文介绍IR（International Rectifier）公司绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特性和应用。首先介绍了哭件的特性，并且与MOSFET 和双极型晶体管的特性作了对比，然后介绍了IGBT的主要参数以及应用中应考虑的几个重要问题，如：栅极驱动要求，功耗计算和散热器设计等。关键词： 绝缘栅双极型晶体管，跨导，锁定，电导率调制 1.引言 由于功率MOSFET具有开关速度快，峰值电流大，容易驱动，安全工作区宽，dV/dt耐量高等优点，在小功率电子设备中得到了广泛应用。但是由于导通特性。</p><p>11、分立IGBT技术与特性总览 “英飞凌杯”第二届嵌入式处理器和功率电子设计应用大奖赛 Page 217-Jan-08Copyright Infineon Technologies 2006. All rights reserved. Table of Contents Discrete IGBT and MOSFET Discrete IGBT and MOSFET IGBT Chip techn。</p><p>12、精品文档IGBT的工作原理和工作特性IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N一层的空穴（少子），对N一层进行电导调制，减小N一层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT的工作特性包括静态和动态两类：1静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。IGBT的伏安特性是。</p><p>13、CONTENT,1 IGBT简介 IGBT，绝缘栅双极晶体管（ Insulated Gate Bipolar Transistor ），它是由BJT（双极结型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。 BJT（Bipolar Junction Transistor）双极结型晶体管主要特征是：耐压高、电流大、开关特性好。 缺点：驱动功率大、驱动电路复杂、开关。</p><p>14、IGBT的工作原理和特点 IGBT的开关功能是通过施加正向栅极电压来形成沟道，从而为PNP晶体管提供基极电流并导通IGBT。相反，施加反向栅极电压以消除沟道，反向基极电流流动以关断IGBT。IGBT的驱动方法与场效应管基本相同，只需控制输入的N沟道场效应管，因此具有高输入阻抗特性。 在形成场效应晶体管沟道之后，空穴(少数载流子)从P基极注入到N层中，并且在N层上执行电导调制以降低N层的电阻。</p><p>15、CONTENT,1IGBT简介IGBT，绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），它是由BJT（双极结型晶体管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管）组合而成的全控型、电压驱动型半导体器件。BJT（BipolarJunctionTransisto。</p>