晶体管调压器

晶体管调压器Tag内容描述：<p>1、高频晶体管混频器 一 实验目的 1 加深对晶体管混频器基本原理的理解 2 掌握高频晶体管混频器的设计和调试方法 二 实验仪器 直流电压源 高频信号发生器 示波器 万用表 多孔板及相关元器件 3 实验原理 3 1 电路原理 vin1 VCC Rb1 R b2 Re Ce Vout L C Cin1 Cout Cin2 vin2 混频器的实质是非线性电路 通过器件的非线性效应产生新的频率分量 最后通过。</p><p>2、武汉理工大学晶体管器件课程设计说明书I课程设计任务书学生姓名：专业班级：电子0803班指导教师：工作单位：信息工程学院题目：基于晶体管的迟滞电压比较器的设计初始条件：具较扎实的电子电路的理论知识及较强的实践能力；对电路器件的选型及电路形式有一定的了解；具备晶体管电路的基本设计及基本调试能力；能够正确使用实验仪器进行电路的调试与检测；使用适当的软件进行仿真和制作PCB板图。要求完成的主要任务：1.采用晶体管设计电路完成一个迟滞电压比较器的设计；2.利用仿真软件Pspice或Multisim仿真电路，并学习PROTEL软件，并用其。</p><p>3、封面,6.10 晶体管倍频器,西藏班公湖,返回,引言,本页完,引言,倍频器是一种输出频率等于输入频率整数倍的电路，用以提高频率，其优点为,返回,1、发射机主振器的频率可以降低，对稳频有利。振荡器的频率越高，频率稳定度应越低。一般主振器频率不宜超过5MHz。因此发射频率高于5MHz，一般宜采用倍频器。,2、在采用石英晶体稳频时，振荡频率越高，晶体越薄，越易振碎，所以一般石英晶体的频率限制在20MHz以下。超过这一频率，就宜在石英振荡器后加倍频器。,3、如果中间级既可工作于放大状态，也可工作于倍频状态，就可以在不扩展主振器波段的情。</p><p>4、2019/7/22,1,第三节 晶体管与 集成温度传感器,2019/7/22,2,第三节 晶体管与集成温度传感器,1. 测温原理,一、晶体管温度传感器,PN结的 温度特性,二极管的正向电压降UD以 -2mV/ 变化,2019/7/22,3,第三节 晶体管与集成温度传感器,通常，灵敏度为负。低温时，砷化镓PN结比硅管更好；而硅的线性度较好。,1. 热敏二极管,NPN集电极电流恒定时，Vbe随环境温度变化。,2. 热敏三极管,2019/7/22,4,三 集成温度传感器,集成温度传感器（温度IC）将温度敏感元件和放大、运算和补偿等电路采用微电子技术和集成工艺集成在一片芯片上，从而构成集测量、放大。</p><p>5、1,1.2.3 功率场效应晶体管,功率场效应晶体管是20世纪70年代中后期开发的新型功率半导体器件，通常又叫绝缘栅功率场效应晶体管，简称为PMOSFET，用字母PM表示。功率场效应晶体管已发展了多种结构型式，本节主要介绍目前使用最多的单极VDMOS、N沟道增强型PM，,2,因源极S与漏极D间存在寄生二极管。管子截止时，漏源间的反向电流就在此二极管内流动。因此，PMOSFET又可用图b表示。,在变流电路中，PMOSFET自身的寄生二极管流过反向大电流，可能会导致元件损坏。为避免电路中反向大电流流过PMOSFET，在它的外面常并接一个快速二极管VD2，串接一。</p><p>6、实验二 晶体管开关特性 限幅器与钳位器 1 实验目的 1 观察晶体二极管 三极管的开关特性 了解外电路参数变化对晶体管开关特性的影响 2 掌握限幅器和钳位器的基本工作原理 2 实验原理 1 晶体二极管的开关特性 由于晶体。</p><p>7、嚷亘勤秘 一 孚像才 几电 源 系锐饭障枪仲实例 录像机的 电源稳压电路主要有 串联型 和开关型两种 早 期生产的录像机一般采用 串联稳压电源 这种电源配有较 为 笨重的变压器 各路 电压 由变压器次 级相 应绕组提供 后期 生产的录像机大部 分都以开关型 稳压 电源取代了串联稳压 电 源 各 路输出电压的控制也由集成电路替代了分立 元件结 构 录像机的整个电源系 统具有如下特点 1 输出 电压。</p><p>8、l 单片机在晶闸管交流调压器中的应用 张秀丽 荆楚理工学院湖北荆门4 4 8 0 0 0 摘要 介绍调压器中触发嚣的微犁计算机化 以及如何合理地利用单片机的定时 中断及位操作等功能 关键词 单片机晶闸管变流调压器触发器 中图分类号 I N 4 文献标识码 A文章编号 1 6 7 1 7 5 9 7 2 0 0 9 0 2 2 0 1 1 1 0 2 近年来 单片微型计算机技术迅速发展 价格便宜。</p><p>9、第章 电感器 变压器 二极管和晶体管 电感器 重要提示 电感器在电子电器中的应用相对电阻器和电容器要少得多 但是电感器与其他元器件 构成的电路其分析难度较大 电感器种类和外形特征 电感器种类 表 所示是电感器划。</p>