晶体管开关特性

晶体管开关特性Tag内容描述：<p>1、第 5 章,晶体管的开关特性,5.1 二极管的开关作用和 反向恢复时间 5.2 开关晶体管的静态特性 5.3 晶体管开关的动态特性,开关晶体管开关原理 （静态特性） 晶体管到开关过程 （延迟过程、上升过程、 超量储存电荷消失过程、 下降过程） 晶体管的开关时间及减小的方法,晶体管（transistor，是转换电阻transfer resistor的缩写）是一个多重结的半导体器件。通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益。双极型晶体管（bipolar transistor），或称双极结型晶体管（bipolar junction transistor，BJT），是最重要。</p><p>2、3.1 晶体管的开关特性,3.1.1 晶体二极管开关特性,3.1.2 晶体三极管开关特性,3.1.1 晶体二极管开关特性,理想开关的特性：,(1) 开关S断开时，通过开关的电流i=0，这时开关两端点间呈现的电阻为无穷大。,(2) 开关S闭合时，开关两端的电压v=0，这时开关两端点间呈现的电阻为零。,(3) 开关S的接通或断开动作瞬间完成。,(4) 上述开关特性不受其他因素（如温度等）的影响。,二极管稳态开关特性,当外加正向电压时，正向电流随电压的增加按指数规律增加。图中Vth称为正向开启电压或门限电压，也称为阈值电压。,iD,vD,Vth,IS,O,图3-1-2 二极管伏安特。</p><p>3、第 5 章,晶体管的开关特性,5.1 二极管的开关作用和 反向恢复时间 5.2 开关晶体管的静态特性 5.3 晶体管开关的动态特性 5.4 习题,开关晶体管开关原理 （静态特性） 晶体管到开关过程 （延迟过程、上升过程、 超量储存电荷消失过程、 下降过程） 晶体管的开关时间及减小的方法,晶体管（transistor，是转换电阻transfer resistor的缩写）是一个多重结的半导体器件。通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益。双极型晶体管（bipolar transistor），或称双极结型晶体管（bipolar junction transistor，BJT），。</p><p>4、半导体器件物理,晶体管的开关特性 晶体管的击穿特性,3.10、3.11、3.12,一 开关波形和开关时间的定义,1理想晶体管的开关波形,晶体管开关电路,理想晶体管的输入和输出脉冲波形,当输入端为脉冲波形时，在理想的情况下，输出波形和输入波形完全相仿，只是被放大和倒相。,饱和压降,2实际晶体管的开关波形与开关时间,输入电压波形,基极电流波形,集电极电流波形,输出电压波形, 延迟时间, 上升时间, 贮存时间, 下降时间,0.1 ICS,0.9 ICS,晶体管的开关时间：,1、开启时间,2、关闭时间,0.9 ICS,开启时间和关闭时间大致在几纳秒到几十微秒范围内。,1。</p><p>5、半导体器件物理,晶体管的开关特性 晶体管的击穿特性,3.10、3.11、3.12,一 开关波形和开关时间的定义,1理想晶体管的开关波形,晶体管开关电路,理想晶体管的输入和输出脉冲波形,当输入端为脉冲波形时，在理想的情况下，输出波形和输入波形完全相仿，只是被放大和倒相。,饱和压降,2实际晶体管的开关波形与开关时间,输入电压波形,基极电流波形,集电极电流波形,输出电压波形, 延迟时间, 上升时间, 贮存时间, 下降时间,0.1 ICS,0.9 ICS,晶体管的开关时间：,1、开启时间,2、关闭时间,0.9 ICS,开启时间和关闭时间大致在几纳秒到几十微秒范围内。,1。</p><p>6、半导体器件物理,晶体管的开关特性 晶体管的击穿特性,3.10、3.11、3.12,一 开关波形和开关时间的定义,1理想晶体管的开关波形,晶体管开关电路,理想晶体管的输入和输出脉冲波形,当输入端为脉冲波形时，在理想的情况下，输出波形和输入波形完全相仿，只是被放大和倒相。,饱和压降,2实际晶体管的开关波形与开关时间,输入电压波形,基极电流波形,集电极电流波形,输出电压波形, 延迟时间, 上升时间, 贮存时间, 下降时间,0.1 ICS,0.9 ICS,晶体管的开关时间：,1、开启时间,2、关闭时间,0.9 ICS,开启时间和关闭时间大致在几纳秒到几十微秒范围内。,1。</p><p>7、半导体器件物理,晶体管的开关特性 晶体管的击穿特性,3.10、3.11、3.12,一 开关波形和开关时间的定义,1理想晶体管的开关波形,晶体管开关电路,理想晶体管的输入和输出脉冲波形,当输入端为脉冲波形时，在理想的情况下，输出波形和输入波形完全相仿，只是被放大和倒相。,饱和压降,2实际晶体管的开关波形与开关时间,输入电压波形,基极电流波形,集电极电流波形,输出电压波形, 延迟时间, 上升时间, 贮存时间, 下降时间,0.1 ICS,0.9 ICS,晶体管的开关时间：,1、开启时间,2、关闭时间,0.9 ICS,开启时间和关闭时间大致在几纳秒到几十微秒范围内。,1。</p><p>8、第 5 章,晶体管的开关特性,5.1 二极管的开关作用和 反向恢复时间 5.2 开关晶体管的静态特性 5.3 晶体管开关的动态特性 5.4 习题,开关晶体管开关原理 （静态特性） 晶体管到开关过程 （延迟过程、上升过程、 超量储存电荷消失过程、 下降过程） 晶体管的开关时间及减小的方法,晶体管（transistor，是转换电阻transfer resistor的缩写）是一个多重结的半导体器件。通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益。双极型晶体管（bipolar transistor），或称双极结型晶体管（bipolar junction transistor，BJT），。</p><p>9、2门电路,2.1概述,1、门电路,3、分立元件门电路和集成门电路,2、高低电平与正负逻辑,高电平为1，低电平为0称为正逻辑,高电平为0，低电平为1称为负逻辑,2.2二极管和三极管的开关特性,二极管导通条件及导通时的特点:,较大的反向漂移电流,出现大量的反向电流的原因：,在数字电路中，三极管是作为开关使用的。三极管截止相当于开关断开；三极管饱和相当于开关闭合；因此我们最关心三极管截止和饱和时的。</p><p>10、第 5 章,晶体管的开关特性,5.1 二极管的开关作用和 反向恢复时间 5.2 开关晶体管的静态特性 5.3 晶体管开关的动态特性 5.4 习题,开关晶体管开关原理 （静态特性） 晶体管到开关过程 （延迟过程、上升过程、 超量储存电荷消失过程、 下降过程） 晶体管的开关时间及减小的方法,晶体管（transistor，是转换电阻transfer resistor的缩写）是一个多重结的半导体。</p>