金属和半导体的接触

金属和半导体的接触Tag内容描述：<p>1、第七章金属与半导体的接触，本章内容，金属与半导体的接触(4小时)金属与半导体的接触及其能级图；少数载流子注入和欧姆接触。重点：金属与半导体接触的能带图，少数载流子的注入过程和欧姆接触的必要条件。7.1金属-半导体接触及其能级图，金属功函数，7.1.1金属和半导体的功函数，虽然金属中的电子可以在金属中自由移动，但它们中的大多数都处于比体外低的能级。金属的功函数随着原子序数的增加而周期性变化。关于功。</p><p>2、第 七 章,金 属 和 半 导 体 的 接 触 Metal-Semiconductor Contact,1、金属与半导体形成的肖持基接触和欧姆接触，阻挡层与反阻挡层的形成； 2、肖特基接触的电流电压特性扩散理论和热电子发射理论，即肖特基势垒的定量特性；（详细阐述） 3、欧姆接触的特性。,主要内容（三大点，约10课时）：,2、MESFET( metal-semiconductor field-ef。</p><p>3、第七章 金属和半导体的接触,林 硕 E-mail: linshuo_,7.1 金属半导体接触 及其能带图,本章内容提要,金半接触及其能级图 整流特性 少子注入和欧姆接触,金属半导体接触,整流接触：微波技术和高速集成电路,欧姆接触：电极制作,成为界面物理重要内容,半导体器件重要部分,能级图,整流特征,欧姆接触,7.1 金属半导体接触及其能级图,1.金属与半导体的功函数,功函数：金属中的电。</p><p>4、第七章 金属和半导体的接触,主要内容,7.1 金属和半导体接触及其能级图 7.2 金属和半导体接触整流理论 7.3少数载流子的注入和欧姆接触,掌握阻挡层与反阻挡层的形成，肖特基势垒的定量特性，欧姆接触的特性。,一、功函数,1.金属的功函数Wm,金属的功函数表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到表面外的真空中所需要的最小能量。,E0为真空中电子的能量，又称为真空能级。,7.1 金属。</p><p>5、第八章 金属和半导体的接触,.1 金属半导体接触及能级图,1. 金属和半导体的功函数,金属中的电子绝大多数所处的能级都低于体外能级。,金属功函数的定义: 真空中静止电子的能量 E0 与 金属的 EF 能量之差，即,上式表示一个起始能量等于费米能级的电子，由金属内部逸出到真空中所需要的最小值。,金属中的电子势阱,EF,Wm 越大, 金属对电子的束缚越强,在半导体中，导带底 EC 和价带顶。</p>