绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管Tag内容描述：<p>1、2011-2015年中国IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产业研究与投资咨询报告第一章 功率件概述第一节 功率件器件的分类一、功率IC二、功率分立器件的分类1、功率分立器件2、功率晶体管3、IGBT第二节 功率器件的应用第三节 功率器件应用领域现状一、工业控制二、计算机三、网络通信四、消费电子五、汽车电子第四节 功率器件主要产品市场现状一、电源管理IC二、晶闸管三、IGBT四、达林顿管五、大功率晶体管六、MOSFET第二章 IGBT 产业发展的宏观经济环境分析第一节 国际经济环境一、金融危机的爆发二、金融危机对实体经济影响三、金融危机对 IGBT 产。</p><p>2、第一章 电力半导体器件,1.0 电力电子器件 概述 1.1 功率二极管 1.2 晶闸管 1.3 可关断晶闸管(GTO) 1.4 电力晶体管(GTR) 1.5 功率场效应晶体管(P-MOSFET) 1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 1.7 电力电子器件散热、串并联及缓冲保护,1.5 功率场效应晶体管全控型,1.5.1 P-MOSFET的结构与工作原理 1.5.2 P-MOSFET的基本特性 1.5.3 P-MOSFET的主要参数 1.5.4 P-MOSFET的安全工作区 1.5.5 P-MOSFET的门极驱动电路,1.5 功率场效应晶体管全控型,分为结型和绝缘栅型 通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET） 简称功率MOSFET（Po。</p><p>3、1,1.2.3 功率场效应晶体管,功率场效应晶体管是20世纪70年代中后期开发的新型功率半导体器件，通常又叫绝缘栅功率场效应晶体管，简称为PMOSFET，用字母PM表示。功率场效应晶体管已发展了多种结构型式，本节主要介绍目前使用最多的单极VDMOS、N沟道增强型PM，,2,因源极S与漏极D间存在寄生二极管。管子截止时，漏源间的反向电流就在此二极管内流动。因此，PMOSFET又可用图b表示。,在变流电路中，PMOSFET自身的寄生二极管流过反向大电流，可能会导致元件损坏。为避免电路中反向大电流流过PMOSFET，在它的外面常并接一个快速二极管VD2，串接一。</p><p>4、K 46 JB/T 8951.11999 绝缘栅双极型晶体管 1999-08-06 发布2000-01-01 实施 国 家 机 械 工 业 局 发 布 标准下载网( ) I 前 言 JB/T 8951.1 1999 标准下载网( ) 1 1范围 国家机械工业局 1999-08-06 批准。</p><p>5、广州沾钦僧 列孝的辅 季饶充电机泡 彻双极型 品钵 爆裂故障分衍殷整改墙施 张三多 卢 勇 段玉玲程婷 广州市地下铁道总公司 5 1 0 0 3 0 广州 第一作者 助理工程师 摘要对广州地铁 1 2 8号线增购列车在调试工作中发。</p><p>6、第一章 电力半导体器件,1.0 电力电子器件 概述 1.1 功率二极管 1.2 晶闸管 1.3 可关断晶闸管(GTO) 1.4 电力晶体管(GTR) 1.5 功率场效应晶体管(P-MOSFET) 1.6 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 1.7 电力电子器件散热、串并联及缓冲保护,1.5 功率场效应晶体管全控型,1.5.1 P-MOSFET的结构与工作原理 1.5.2 P-MOSFET的基本特性 1。</p>