开关特性.

开关特性.Tag内容描述：<p>1、第 5 章,晶体管的开关特性,5.1 二极管的开关作用和 反向恢复时间 5.2 开关晶体管的静态特性 5.3 晶体管开关的动态特性 5.4 习题,开关晶体管开关原理 （静态特性） 晶体管到开关过程 （延迟过程、上升过程、 超量储存电荷消失过程、 下降过程） 晶体管的开关时间及减小的方法,晶体管（transistor，是转换电阻transfer resistor的缩写）是一个多重结的半导体器件。通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益。双极型晶体管（bipolar transistor），或称双极结型晶体管（bipolar junction transistor，BJT），。</p><p>2、二极管开关的通断是受两端电压极性控制。,三极管开关的通断是受基极 b 控制。,1、三极管的三种工作区域,三、晶体三极管开关特性,饱和区,放大区,截止区,饱和区iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的 数值较小，一般vCE0.7 V(硅管)。此时 发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。,截止区iC接近零的区域，相当iB=0的曲线的下方。 此时，发射结反偏，集电结反偏。,放大区iC平行于vCE轴的区域， 曲线基本平行等距。 此时，发射结正偏，集 电结反偏，电压大于 0.7 V左右(硅管) 。,1、三极管的三种工作区域,饱和区,放大区,截止区,三极管工作在放。</p><p>3、 数字电子技术基础 数字电子技术基础 第八讲 逻辑门电路概述第八讲 逻辑门电路概述 半导体器件的开关特性半导体器件的开关特性半导体器件的开关特性半导体器件的开关特性 数字电子技术基础 数字电子技术基础 第八讲 。</p><p>4、3.1 晶体管的开关特性,3.1.1 晶体二极管开关特性,3.1.2 晶体三极管开关特性,3.1.1 晶体二极管开关特性,理想开关的特性：,(1) 开关S断开时，通过开关的电流i=0，这时开关两端点间呈现的电阻为无穷大。,(2) 开关S闭合时，开关两端的电压v=0，这时开关两端点间呈现的电阻为零。,(3) 开关S的接通或断开动作瞬间完成。,(4) 上述开关特性不受其他因素（如温度等）的影响。,二极管稳态开关特性,当外加正向电压时，正向电流随电压的增加按指数规律增加。图中Vth称为正向开启电压或门限电压，也称为阈值电压。,iD,vD,Vth,IS,O,图3-1-2 二极管伏安特。</p><p>5、第 5 章,晶体管的开关特性,5.1 二极管的开关作用和 反向恢复时间 5.2 开关晶体管的静态特性 5.3 晶体管开关的动态特性 5.4 习题,开关晶体管开关原理 （静态特性） 晶体管到开关过程 （延迟过程、上升过程、 超量储存电荷消失过程、 下降过程） 晶体管的开关时间及减小的方法,晶体管（transistor，是转换电阻transfer resistor的缩写）是一个多重结的半导体器件。通常晶体管会与其他电路器件整合在一起，以获得电压、电流或是信号功率增益。双极型晶体管（bipolar transistor），或称双极结型晶体管（bipolar junction transistor，BJT），。</p>