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拉扎维模拟CMOS集成电路设计

gdong@西电...西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计模拟集成电路设计第1章绪论董刚gdong@微电子学院西电微电子学院-董刚-模拟集成电路设计模拟集成电路设计任课教师董刚办公地点。

拉扎维模拟CMOS集成电路设计Tag内容描述:<p>1、模拟集成电路设计第1章绪论,董刚gdong微电子学院,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,模拟集成电路设计,任课教师董刚办公地点:老校区科技楼A710B电话:88202562Email:gdong,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,课程概况,专业核心课程之一4学分4624学时目标培养学生具有初步的CMOS模拟集成电路分析能力,了解模拟集成电路基本模块的分析方法和设计过程答疑:课间或。</p><p>2、西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,模拟集成电路设计第1章绪论,董刚gdong微电子学院,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,模拟集成电路设计,任课教师董刚办公地点:老校区科技楼A710B电话:88202562Email:gdong,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,课程概况,专业核心课程之一4学分4624学时目标培养学生具有初步的CMOS模拟集成电路分析能力,了解模拟集成电路。</p><p>3、模拟集成电路设计 课程摘要 采用当今流行的CMOS工艺,讨论模拟集成电路 的分析和设计。 建立模拟集成电路设计的基础- - - - 工艺和器件模型 讨论模拟集成电路分析、设计和仿真的原理 层次化、自下而上的分析方法。 直观的、基于简单分析模型的分析方法。 电路设计步骤 模拟工具的正确使用 参考书 1.P.R.Gray “Analysis and Design of An。</p><p>4、模拟集成电路设计 课程摘要 采用当今流行的CMOS工艺 讨论模拟集成电路 的分析和设计 建立模拟集成电路设计的基础 工艺和器件模型 讨论模拟集成电路分析 设计和仿真的原理 层次化 自下而上的分析方法 直观的 基于简单分析模型的分析方法 电路设计步骤 模拟工具的正确使用 参考书 1 P R Gray Analysis and Design of Analog Integrated Circuits。</p><p>5、模拟集成电路设计,第7章噪声(一),董刚,gdong,微电子学院,1,),2,上一讲频率特性电路性能指标随信号频率的变化特性,考虑电容、电感等参数对频率敏感的元件的影响,Av=,VYVX,用s域分析法来分析频率特性密勒定理,Z1=,Z(1Av),Z2=,Z1(1Av),一种为了方便电路分析而进行的电路转换X和Y之间只有一个信号通路时往往不适用,阻抗Z和信号主通路并联时适用极点-节点的关联。</p><p>6、模拟集成电路设计,第7章噪声(二),董刚,gdong,微电子学院,1,1,2,In,MOS,2,2,2,上一讲,噪声的统计特性平均功率,Pav=limtT,+T/2T/2,2x(t)dt,噪声谱(功率谱密度PSD)幅值分布(时域)相关噪声源和非相关噪声源,噪声的类型,Vn=4kTR(f),环境噪声和器件噪声热噪声和闪烁噪声,In,2,=,4kTR,(f),Vn,MOS,=,K1C。</p><p>7、模拟集成电路设计,第7章噪声(二),董刚,gdong,微电子学院,1,1,2,In,MOS,2,2,2,上一讲,噪声的统计特性平均功率,Pav=limtT,+T/2T/2,2x(t)dt,噪声谱(功率谱密度PSD)幅值分布(时域)相关噪声源和非相关噪声源,噪声的类型,Vn=4kTR(f),环境噪声和器件噪声热噪声和闪烁噪声,In,2,=,4kTR,(f),Vn,MOS,=,K1C。</p><p>8、模拟集成电路设计,第7章 噪声(一),董刚,gdongmail.xidian.edu.cn,微电子学院,1,),2,上一讲 频率特性 电路性能指标随信号频率的 变化特性,考虑电容、电感等参数对频 率敏感的元件的影响,Av =,VY VX,用s域分析法来分析频率特 性 密勒定理,Z1 =,Z (1 Av ),Z2 =,Z 1 (1 A v ),一种为了方便电路分析而进 行的电路转换 X和Y之间只有一个信号通 路时往往不适用,阻抗Z和信号主通路并联时 适用 极点-节点的关联 每个节点对应一个极点 节点之间有相互作用时不再 是每个节点贡献一个极点,H ( s ) = = A v 0 ,V out V in ( 1 +,( s ) s p 1,)( 1 +,1。</p><p>9、实验二 单级放大器的设计 一 实验目的及任务 1 掌握单级放大器的原理和性能 2 设计一个采用电阻做负载的共源级放大器 二 实验相关知识 1 采用电阻做负载的共源级放大器电路的大信号分析 如果输入电压从零开始增大 M1截止 Vout VDD 如图2 1 b 当Vin接近VTH时 M1开始导通 电流流经RD 使Vout减小 如果VDD不是非常小 M1饱和导通 我们可以得到 Vout VDD RD12。</p><p>10、,模拟集成电路原理,第4章差分放大器,董刚,gdong,微电子学院,1,.,2,小信号等效电路,MOS管的小信号模型是基础,MOS管的低频小信号等效电路,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,.,3,小信号等效电路,MOS管的高频小信号等效电路在分析高频特性时才用到该模型第6章“频率特性”开始用到,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,.,4,小信号等效电路,实例带源极负反馈的放。</p><p>11、,第二章作业答案,.,2.1、W/L=50/0.5,假设|VDS|=3V,当|VGS|从0上升到3V时,画出NFET和PFET的漏电流VGS变化曲线解:,NMOS管:假设阈值电压VTH=0.7V,不考虑亚阈值导电当VGS0.7V时,NMOS管工作在饱和区,NMOS管的有效沟道长度Leff=0.5-2LD,则,.,PMOS管:假设阈值电压VTH=-0.8V,不考虑亚阈值导电当|VGS|<。</p><p>12、西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,模拟集成电路设计第2章MOS器件物理基础,董刚gdong微电子学院,西电微电子学院董刚模拟集成电路设计,授课内容,绪论,重要性、一般概念,单级放大器,无源/有源电流镜,差动放大器,放大器的频率特性,噪声,运算放大器,反馈,稳定性和频率补偿,共源、共漏、共栅、共源共栅,定性分析、定量分析、共模响应、吉尔伯特单元,弥勒效应、极点与节点关系、各类单级放大器频。</p><p>13、西电微电子:模拟集成电路原理,Bandgap Ref Ch. 11 # 1,第十一章 带隙基准,董 刚 Email:gdongmail.xidian.edu.cn 2010年,医长绵议任苦歹弹锣晰咳裕谜深石旁敌殖寥砌噪豫肖押幼君常此咖砌堡赐模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一章带隙基准,西电微电子:模拟集成电路原理,Bandgap Ref Ch. 11 # 2,本讲内容,概述 与电源无关的偏置 与温度无关的基准 PTAT电流的产生 恒定Gm偏置 实例分析,朵痉卓衡镊顷擒凶巴修做摄列玖喷湛诽摘型碟吵进写鹅洛安别兜侈型遵佃模拟CMOS集成电路设计(拉扎维)第十一。</p>
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