模拟电路考试试题

模拟电路考试试题Tag内容描述：<p>1、模拟测试电路与磁路模拟试题1一、填空题（每空1分，共20分）1一个有源二端网络，测得其开路电压为4V，短路电流为2A，则等效电压源为：= V， 。2电路的状态一般分为 、 、 。3有两个电容元件，则将这两个电容串联起来后的等效电容C=_________。4周期T=0.02S，振幅为50V、初相为的正弦交流电压u的瞬时值表达式为__________________。5RLC串联电路发生谐振时，其谐振频率_______________，若给定电源电压一定，电路中通过的电流__ __（填最大或最小），若要想保证选择性好，则Q0值应选__ _____（填高或低）。6纯电感元件在正弦交流电路中消耗。</p><p>2、自测题一一、判断题1因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ）2在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ T ）3处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ）二、单选题1半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。A外电场 B内电场 C掺杂 D热激发2用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。A正、反向电阻相等 B正向电阻大，反向电阻小C反向电阻比正向电阻大很多倍 D正、反向电阻都等于无穷大3二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升。</p><p>3、自测题一一、判断题1因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。（ F ）2在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ T ）3处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。（ F ）二、单选题1半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ）。A外电场 B内电场 C掺杂 D热激发2用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）。A正、反向电阻相等 B正向电阻大，反向电阻小C反向电阻比正向电阻大很多倍 D正、反向电阻都等于无穷大3二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升。</p><p>4、模拟电路试题库一、选择题（每题2分，共30分）答题说明：每题均有A、B、C、D四个备选答案，其中有且只有一个正确答案，将其选出，并涂在答题纸上。1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（ ）状态，但其两端电压必须（ ）它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（ ）状态。BA、正偏，大于，导通 B、反偏，大于，导通 C、正偏，小于，截止 D、反偏，小于，截止第1章 半导体器件；重点；回忆2、根据图示只晶体管的各极对地电压，可以判定此晶体管的属性和工作状态分别为DA、NPN管，放大区B、PNP管，放大区C、PNP管，截止区D、NPN管。</p><p>5、模拟电子技术模拟试题一一、 填空题：（每空1分 共40分）1、PN结正偏时（ ），反偏时（ ），所以PN结具有（ ）导电性。2、漂移电流是（ ）电流，它由（ ）载流子形成，其大小与（ ）有关，而与外加电压（ ）。3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（ ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（ ），等效成断开；4、三极管是（ ）控制元件，场效应管是（ ）控制元件。5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（ ），集电结（ ）。6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（ ），发射结压降（ ）。7、三极管放大电路共有三种。</p><p>6、模电题库长沙理工大学考试试卷试卷编号 01 拟题教研室（或教师）签名 电子教研室 教研室主任签名 课程名称（含档次） 模拟电子技术 课程代号 专 业 电类相关专业 层次（本、专） 本科 考试方式（开、闭卷） 闭卷 一、填空（本题共20分，每空1分）：1 整流电路的任务是__________；滤波电路的任务是__________。2 在PN结的形成过程中，载流子的扩散运动是。</p><p>7、模拟电子技术模拟试题卷库试卷一一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题共13小题，总计34分)2、(本小题2分)若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为( )。(a) 正、反向电阻相等(b) 正向电阻大 ，反向电阻小(c) 反向电阻比正向电阻大很多倍 (d) 正、反向电阻都等于无穷大3、(本小题2分)运算放大器电路如图所示，RF1和RF2均为反馈电阻，其反馈极性为 ( ) 。(a) RF1引入的为正反馈，RF2引入的为负反馈(b) RF1和RF2引入的均为负反馈(c) RF1和RF2引入的均为正反馈(d) RF1引入的。</p><p>8、自测题一 一 判断题 1 因为P型半导体的多数载流子是空穴 所以它带正电 F 2 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素 可将其改型为P型半导体 T 3 处于放大状态的三极管 集电极电流是多数载流子漂移所形成的 F 二 单选题 1 半导体中的少数载流子产生的原因是 D A 外电场 B 内电场 C 掺杂 D 热激发 2 用万用表测二极管的正 反向电阻来判断二极管的好坏 好的管子应为 C A 正 反向。</p>