模拟电子电路基础答案

模拟电子电路基础答案Tag内容描述：<p>1、温度为什么会影响半导体器件的性能？ 答：由于温度影响载流子的浓度，而载流子的浓度决定了半导体的导电性能，因此温度会影响半导体器件的性能。 如何从PN结电流方程来理解其单向导电性及其伏安特性？ 答：当PN结正向偏置且UUT时，i ISeU/UT ，电流随电压按指数快速变化，呈现出很小的电阻，说明PN结正向偏置时相当于开关导通，同时与伏安特性正向特性电流随电压的变化相同。 当PN反向偏置且U-UT时, i -IS，流过PN结的反向电流很小，说明PN结反向偏置时相当于开关断开，同时与伏安特性反向特性电流随电压的变化相同。 PN结的电容效应在什。</p><p>2、4.1 简述耗尽型和增强型MOS场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（VDS0V，VGSVT），画出P沟道增强型MOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压VGS产生沟道。随着VSG逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P型区”，它连接源区和漏区。如。</p><p>3、温度为什么会影响半导体器件的性能？ 答：由于温度影响载流子的浓度，而载流子的浓度决定了半导体的导电性能，因此温度会影响半导体器件的性能。 如何从PN结电流方程来理解其单向导电性及其伏安特性？ 答：当PN结正向偏置且UUT时，i ISeU/UT ，电流随电压按指数快速变化，呈现出很小的电阻，说明PN结正向偏置时相当于开关导通，同时与伏安特性正向特性电流随电压的变化相同。 当PN反向偏置且U-UT时, i -IS，流过PN结的反向电流很小，说明PN结反向偏置时相当于开关断开，同时与伏安特性反向特性电流随电压的变化相同。 PN结的电容效应在什。</p>