模拟电子技术复习题
1. 设图中VD为普通硅二极管。1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素。1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素。A.二 B.三 C.四 D.五。2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素。2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素。硅二极管的门槛电压约为 0.5V。
模拟电子技术复习题Tag内容描述:<p>1、模拟电子技术 综合复习资料第一章 常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中,测得晶体管的各个电极的电位如下图所示,该晶体管的类型是 A A. NPN型硅管 B. PNP型硅管 C. NPN型锗管 2V 6VD. PNP型锗管 1.3V 2、三极管各个电极的对地电位如下图所示,可判断其工作状态是 D A. 饱和 B. 放大C. 截止 D. 已损坏 3、 在如下图所示电路中,当电源V=5V时,测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V,则电流的大小将是 C。</p><p>2、模拟电子技术应用(二)复习题及答案1. 设图中VD为普通硅二极管,正向压降为 0.7V,试判断VD是否导通,并计算UO的值。(a)设VD断开,求得UO0.45V,小于硅二极管的死区电压,所以VD截止,UO0.45V (b)VD导通,UO2.3V2. 计算下图电路中二极管上流过的电流ID。设二极管的正向导通压降为0.7V,反向电流等于零。(a) ,VD截止,(b)3. 电路如图所示,VD为理想二极管,画出各电路的电压传输特性(曲线),并标明转折点坐标值。4. 已知电路中,二极管正向压降为0.7V,画出各电路中uO1、uO2波形,并注明其电压幅值。5. 在如图所示电路中,已知。</p><p>3、模拟电子技术复习题综合(第1、2章)一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于4、在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于5、本征半导体温度升高以后, C 。A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 。</p><p>4、填空题1在常温下,硅二极管的门槛电压约为 0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;锗二极管的门槛电压约为 _0.1_V,导通后在较大电流下的正向压降约为_0.2_V。2、二极管的正向电阻 小 ;反向电阻 大 。3、二极管的最主要特性是 单向导电性 。结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。4、二极管最主要的电特性是 单向导电性 ,稳压二极管在使用时,稳压二极管与负载并联,稳压二极管与输入电源之间必须加入一个 电阻 。5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分,其中研究在平滑、连续变化的电压或电流。</p><p>5、模拟电子技术复习题综合(第1、2章)一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五2、在P型半导体中,自由电子浓度 C 空穴浓度。A.大于 B.等于 C.小于3、本征半导体温度升高以后, C 。A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。A.电子 B.空穴 C.离子 D.分子5、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A 。A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。。</p><p>6、模拟电子技术自测题2.1.1在绝对零度(0K)时,本征半导体中_________ 载流子。A. 有 B. 没有 C. 少数 D. 多数2.1.2在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,进入导带,产生_________。A. 负离子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子-空穴对2.1.3半导体中的载流子为_________。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 电子和空穴2.1.4.N型半导体中的多子是_________。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子2.1.5.P型半导体中的多子是_________。A. 电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子2.2.1当PN结外加正向电压时,扩散电流_________漂移电流。A. 大于 B. 小于。</p><p>7、模拟电子技术复习题综合(第1、2章)一、 选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素,形成N型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五2、在N型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素,变成为P型半导体。A.二 B.三 C.四 D.五3、在本征半导体中,自由电子浓度 B 空穴浓度。A.大于 B.等于。</p><p>8、,第1页,V1=6V,V2=12V,D,S,R,【例】电路如图所示,UD=0.7V,试估算开关断开和闭合输出电压UO 。,【解】: 当开关断开时,二极管因加正向电压而导通,故输出电压为: UO=VI-UD6V-0.7V=5.3V,当开关闭合时,二极管因外加反向电压而截止,故输出电压为: UO=V2=12V,第1章 常用半导体器件,.,第2页,三极管工作状态。</p>