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模拟电子技术基础第

功率放大电路和电压。第十四讲 频率响应概述与 晶体管的高频等效电路。为放大电路提供稳定的偏置电流。6.2.1 差分式放大电路。5.5 多级放大电路的频率响应。放大电路。第二章 基本放大电路。2.3 放大电路的分析方法。2.5 晶体管放大电路的三种接法。2.7 基本放大电路的派生电路。二、放大电路的性能指标。

模拟电子技术基础第Tag内容描述:<p>1、第2章一阶动态电路的暂态分析习题解答。图2.1 习题2.1图解 电流源电流为分段计算电容电压期间时,期间s时,时 瞬时功率为 电容的储能为 2.2 在图2.2(a)中,电感,电流波形如图(b)所示,求电压、时电感吸收功率及储存的能量。图2.2 习题2.2图 解 由图2.2(b)可写出电流的函数时 2.3 在图2.3所示电路中,已知,求时的 和。图2.3 习题2.3电路图解2.4 电路如图2.4(a)所示,开关在时由“1”搬向“2”,已知开关在“1”时电路已处于稳定。求、和的初始值。(a)动态电路 (b)时刻的等效电路图2.4 习题2.4电路图解 在直流激励下,换路前动态。</p><p>2、第2章一阶动态电路的暂态分析习题解答。图2.1 习题2.1图解 电流源电流为分段计算电容电压期间时,期间s时,时 瞬时功率为 电容的储能为 2.2 在图2.2(a)中,电感,电流波形如图(b)所示,求电压、时电感吸收功率及储存的能量。图2.2 习题2.2图 解 由图2.2(b)可写出电流的函数时 2.3 在图2.3所示电路中,已知,求时的 和。图2.3 习题2.3电路图解2.4 电路如图2.4(a)所示,开关在时由“1”搬向“2”,已知开关在“1”时电路已处于稳定。求、和的初始值。(a)动态电路 (b)时刻的等效电路图2.4 习题2.4电路图解 在直流激励下,换路前动态。</p><p>3、本章以分析功率放大电路的输出功率、效率和非线性失真之间的矛盾为主线,逐步提出解决矛盾的措施。在电路方面,以互补对称功率放大电路为重点进行较详细的分析与计算,并介绍了集成功率放大器实例。,第9章 功率放大电路 Chapter 9: Low Frequency Power Amplifier,9.1 放大的主要特点 如前所述,放大电路实质上都是能量转换电路。从能量控制的观点来看,功率放大电路和电压放大电路没有本质的区别。但是,功率放大电路和电压放大电路所要完成的任务是不同的。 对电压放大电路的主要要求是使负载得到不失真的电压信号,讨论的主要指标是电。</p><p>4、第二十四讲 电压比较器,一、概述,二、单限比较器,三、滞回比较器,四、窗口比较器,五、集成电压比较器,一、概述,1. 电压比较器的功能:比较电压的大小。 广泛用于各种报警电路。 输入电压是连续的模拟信号;输出电压表示比较的结果,只有高电平和低电平两种情况。 使输出产生跃变的输入电压称为阈值电压。,2. 电压比较器的描述方法 :电压传输特性 uOf(uI),电压传输特性的三个要素: (1)输出高电平UOH和输出低电平UOL (2)阈值电压UT (3)输入电压过阈值电压时输出电压跃变的方向,3. 几种常用的电压比较器,(1)单限比较器:只有一个阈。</p><p>5、第二章,半导体二极管及其 基本电路,2.1 半导体的基本知识,物质按导电能力(电阻率)分: 导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3109 cm。 例如:硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。,半导体的导电特性,半导体的导电特性:,(可做成温度敏感元件,如热敏电阻)。,掺杂性:往纯净的半导体中掺入某些杂质,导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件,如二极管、三极管和晶闸管等)。,光敏性:当受到光照时,导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件,如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。,热敏性:当环境温度升高时,导电能力显著增。</p><p>6、题6.1判断图6-23所示各电路中的反馈支路是正反馈还是负反馈。如是负反馈,说明是何种反馈类型。(a) (b) (c)图6-21解:(1)电压并联负反馈;(2)电压串联正反馈;(3)电压串联负反馈题6.2 用理想集成运放组成的两个反馈电路如图6-22所示,请回答:1电路中的反馈是正反馈还是负反馈?是交流反馈还是直流反馈?2若是负反馈,其类型怎样?电压放大倍数又是多少?图6-22解:1.反馈类型分别是电压串联交直流负反馈,电流并联负反馈;2.放大倍数分别为4、题6.3判断图6-23中各电路所引反馈的极性及反馈的组态。(a) (b) (c)图6-23解。</p><p>7、5.2.1 乙类双电源互补对称功率放大电路,无输出电容的互补对称功放电路(OCL电路),(1)最大不失真输出功率Pomax,实际输出功率Po,(2)管耗PT,最大管耗与最大输出功率的关系:,(3)电源供给的功率PV,(4)效率,当,由于T1、T2导通时均组成射极输出器,所以该电路的特点是:,无输出变压器的互补对称功放电路(OTL电路),5.2.2 乙类单电源互补对称功率放大电路,(1)最大不失真输出功率Pomax,(4)效率,(2)电源供给的功率PV,(3)管耗PT,功率BJT的选择,(1)每只管子最大允许管耗,(3)通过BJT的最大集电极电流,(2)每只管子最大反向电压。</p><p>8、第十四讲 频率响应概述与 晶体管的高频等效电路,2013.07,第十四讲 频率响应概述与 晶体管的高频等效电路,一、频率响应的基本概念,二、放大电路的频率参数,三、晶体管的高频等效电路,四、场效应管的高频等效电路,一、频率响应的基本概念,1. 研究的问题: 放大电路对信号频率的适应程度,即信号频率对放大倍数的影响。 由于放大电路中耦合电容、旁路电容、半导体器件极间电容的存在,使放大倍数为频率的函数。 在使用一个放大电路时应了解其信号频率的适用范围,在设计放大电路时,应满足信号频率的范围要求。,2. 基本概念 (1)高通电路:信。</p><p>9、6.1 集成电路运算放大器中的恒流源, 镜像电流源, 多路电流源, 电流源作有源负载, 微电流源,在模拟集成电路中,广泛地使用电流源,为放大电路提供稳定的偏置电流,或作为放大电路的有源负载。,6.2 差分式放大电路, 直接耦合放大电路, 零点漂移,长尾差分式放大电路,组合差放,6.2.0 概述,6.2.1 差分式放大电路, 差分式放大电路中的一般概念,恒流源差分放大电路,共模负反馈差放,6.3 集成电路运算放大器,6.3.1 简单的集成电路运算放大器,6.3.2 通用型集成电路运算放大器,集成运放的特点:,电压增益高,输入电阻大,输出电阻小,差动放大 输入级,中。</p><p>10、第二十七讲 功率放大电路,2013.07,第二十七讲 功率放大电路,一、概述,二、互补输出级的分析计算,一、概述,1. 功率放大电路研究的问题 (1) 性能指标:输出功率和效率。 若已知Uom,则可得Pom。,最大输出功率与电源损耗的平均功率之比为效率。 (2) 分析方法:因大信号作用,故应采用图解法。 (3) 晶体管的选用:根据极限参数选择晶体管。 在功放中,晶体管通过的最大集电极或射极电流接近最大集电极电流,承受的最大管压降接近c-e反向击穿电压,消耗的最大功率接近集电极最大耗散功率。称为工作在尽限状态。,2. 对功率放大电路的要求,。</p><p>11、第四讲 晶体三极管,第四讲 晶体三极管,一、晶体管的结构和符号,二、晶体管的放大原理,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,多子浓度高,多子浓度很低,且很薄,面积大,晶体管有三个极、三个区、两个PN结。,中功率管,大功率管,二、晶体管的放大原理,扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB,漂移运动形成集电极电流IC。,少数载流子的运动,因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区,因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合,因集电区面。</p><p>12、第一章第一章 常用半导体器件常用半导体器件 自自 测测 题题 一、判断下列说法是否正确,用“”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型 半导体。 ( ) (2)因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 ( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。 ( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ) ( 5) 结 型 场 效 应 管 外 加 的 栅 -源 电 压 应 使 栅 -源 间 的 耗 尽 层 承 受 反 向 电 压,才能保证其 RGS大的特点。 ( ) 。</p><p>13、第七章第七章 信号的运算和处理信号的运算和处理 自自 测测 题题 一、判断下列说法是否正确,用“”或“”表示判断结果。 (1)运算电路中一般均引入负反馈。 ( ) (2)在运算电路中,集成运放的反相输入端均为虚地。 ( ) (3)凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。 ( ) (4)各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于 1。 ( ) 解:解: (1) (2) (3) (4) 二、现有电路: A. 反相比例运算电路 B. 同相比例运算电路 C. 积分运算电路 D. 微分运算电路 E. 加法运算电路 F. 乘方运算电路 选择一个合适的。</p><p>14、第一章第一章 常用半导体器件常用半导体器件 自自 测测 题题 一、判断下列说法是否正确,用“”和“”表示判断结果填入空内。 (1)在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型 半导体。 ( ) (2)因为 N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。 ( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。 ( ) (4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。 ( ) ( 5) 结 型 场 效 应 管 外 加 的 栅 -源 电 压 应 使 栅 -源 间 的 耗 尽 层 承 受 反 向 电 压,才能保证其 RGS大的特点。 ( ) 。</p><p>15、第一章 半导体基础知识 自测题 一、(1) (2) (3) (4) (5) (6) 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C 三、UO11.3V UO20 UO31.3V UO42V UO52.3V UO62V 四、UO16V UO25V。</p>
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