模拟电子技术基础简明教程

模拟电子技术基础简明教程Tag内容描述：<p>1、1 1 第三章 放大电路的频率响应 第一节第一节 频率响应的一般概念频率响应的一般概念 幅频特性和相频特性幅频特性和相频特性 下限频率、上限频率和通频带下限频率、上限频率和通频带 频率失真频率失真 波特图波特图 高通电路和低通电路高通电路和低通电路 下页下页总目录总目录 一、 幅频特性和相频特性 A A umum 0.7070.707A Aum um f f HH f f L L BWBW 9090 0 0 180180 0 0 -270-270 0 0 | |A A u u | | f f O O f f 0 00 0 单管共射放大电路的频率特性 幅频特性幅频特性 相频特性相频特性 由于电抗性元件的作用，由于电抗性元件的作用。</p><p>2、第一章 半导体器件 1.1 半导体的特性 1.2 半导体二极管 1.3 双极型三极管(BJT) 1.4 场效应三极管 1.1 半导体的特性 1. 导体：电阻率 109 cm 物质。如橡胶、 塑料等。 3. 半导体：导电性能介于导体和半导体之间的物 质。大多数半导体器件所用的主要材料是硅(Si)和锗 (Ge)。 半导体导电性能是由其原子结构决定的。 硅原子结构 图 1.1.1 硅原子结构 (a)硅的原子结构图 最外层电子称价电子 价电子 锗原子也是 4 价元素 4 价元素的原子常常用 + 4 电荷的正离子和周围 4 个价电子表示。 +4 (b)简化模型 1.1.1 本征半导体 +4 +4 +4+4+4 +4 +4 +4 。</p><p>3、模拟电路基础 12级复习资料一、填空题1在P型半导体中，多数载流子是（ 空隙 ），而少数载流子是（ 自由电子 ）。2在N型半导体中，多数载流子是（ 自由电子 ），而少数载流子是（ 空隙 ）。3当PN结反向偏置时，电源的正极应接（ N ）区，电源的负极应接（ P ）区。4当PN结正向偏置时，电源的正极应接（ P ）区，电源的负极应接（ N ）区。5为了保证。</p><p>4、第一节集成放大电路的特点,集成电路的发展,集成电路的分类,集成放大电路的主要特点,下页,总目录,一、集成电路的发展,下页,集成电路简称IC(IntegratedCircuit)，是20世纪60年代初期发展起来的一种半导体器件，它是在。</p><p>5、第二章 放大电路的基本原理,2.1 放大的概念,2.2 单管共发射极放大电路,2.3 放大电路的主要技术指标,2.4 放大电路的基本分析方法,2.5 工作点的稳定问题,2.6 放大电路的三种基本组态,2.7 场效应管放大电路,2.8 多级放大电路,2.1 放大的概念,本质：实现能量的控制。,在放大电路中提供一个能源，由能量较小的输入信号控制这个能源，使之输出较大的能量，然后推动负载。,小能量对大能。</p><p>6、第二章放大电路的基本原理,2.1放大的概念,2.2单管共发射极放大电路,2.3放大电路的主要技术指标,2.4放大电路的基本分析方法,2.5工作点的稳定问题,2.6放大电路的三种基本组态,2.7场效应管放大电路,2.8多级放大电路,2.1放大的概念,本质：实现能量的控制。,在放大电路中提供一个能源，由能量较小的输入信号控制这个能源，使之输出较大的能量，然后推动负载。,小能量对大能量的控制作用称为放大。</p><p>7、第十章直流电源,10.1直流电源的组成,10.2单相整流电路,10.3滤波电路,10.4倍压整流电路,10.5硅稳压管稳压电路,10.6串联型直流稳压电路,10.7集成稳压器,10.8开关型稳压电路,10.9可控整流电路,10.1直流电源的组成,图 10.1.1直流电源的组成,电网电压,电源 变压器,整流电路,滤波器,稳压电路,负载,10.2单相整流电路,10.2.1单。</p>