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模拟电子技术基础课后习题答案
第三部分习题与解答习题1客观检测题一填空题1在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度而少数载流子的浓度则与温度有很大关系2当PN结外加正向电压时扩散电流大于漂移电流耗尽层...实用文档第二章习题解答21电话线路上的直流电压约为50V用于电话机通话时的直流电源话机内部电路对电压有极性的要
模拟电子技术基础课后习题答案Tag内容描述:<p>1、第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。2、当PN结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。3、在N型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。二判。</p><p>2、实用文档第二章 习题解答2-1 电话线路上的直流电压约为50V,用于电话机通话时的直流电源。话机内部电路对电压有极性的要求。话机电路中有一个导向电路,如题2-1图所示。外线与话机引线相接时不必考虑电压极性。试说明其工作原理。答:当外线与话机引线相接时,如果话机引线的上端接正、下端接负,则电源正端经过D1,话机内的其他电路、D4到电源负端,形成电流回路,此时二极管D1、D4正向。</p><p>3、第一章 半导体基础知识自测题一、(1) (2) (3) (4) (5) (6) 二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、UO11.3V UO20 UO31.3V UO42V UO52.3V UO62V四、UO16V UO25V五、根据PCM200mW可得:UCE40V时IC5mA,UCE30V时IC6.67mA,UCE20V时IC10mA,UCE10V时IC20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图略。六、1、UOUCE2V。2、临界饱和时UCESUBE0.7V,所以七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流。</p><p>4、1 第一章第一章第一章第一章 半导体基础知识半导体基础知识半导体基础知识半导体基础知识 自测题自测题 一、 (1)(2)(3)(4)(5)(6) 二、 (1)A(2)C(3)C(4)B(5)AC 三、UO11.3VUO20UO31.3VUO42VUO52.3VUO62V 四、UO16VUO25V 五、根据 PCM200mW 可得:UCE40V 时IC5mA,UCE30V 时IC6.67mA,UCE 20V 时IC10mA,UCE10V 时IC20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。图 略。 六、1、 V2V mA6 . 2 A26 V CCCCCE BC b BEBB B = = = = RIU II R U I UOUCE2V。 2、临界饱和时UCESUBE0.7V,所以 = = = = k4 .45 V A6 .28 mA86. 。</p><p>5、1 图 P1 2 第 1 章 半导体二极管及其电路分析 1 1 某二极管在室温 300K 下的反向饱和电流为 0 1pA 试分析二极管外加电压 在 0 5V 0 7V 之间变化时 二极管电流的变化范围 解 由于 1 T D U u SD eIi 由题意知 IS 0 1pA。</p><p>6、1 第一章第一章第一章第一章 半导体基础知识半导体基础知识半导体基础知识半导体基础知识 自测题自测题 一 1 2 3 4 5 6 二 1 A 2 C 3 C 4 B 5 AC 三 UO1 1 3VUO2 0UO3 1 3VUO4 2VUO5 2 3VUO6 2V 四 UO1 6VUO2 5V 五 根据 PCM 200mW 可得 UCE 40V 时IC 5mA UCE 30V 时IC 6 67mA。</p><p>7、1 图 P1 2 第 1 章 半导体二极管及其电路分析 1 1 某二极管在室温 300K 下的反向饱和电流为 0 1pA 试分析二极管外加电压 在 0 5V 0 7V 之间变化时 二极管电流的变化范围 解 由于 1 T D U u SD eIi 由题意知 IS 0 1pA。</p><p>8、第二章基本放大电路 习题解答 2 1放大电路由哪几部分组成 各元器件的作用是什么 组成部分 信号源 晶体管 输出负载 电源偏置电路 各元器件作用 三极管VT 电流放大元件 偏置电阻Rb 一是给发射结提供正偏电压通路 二是。</p><p>9、模拟电子技术课后答案 第一章 自测题 一 1 2 3 4 5 6 二 1 A 2 C 3 C 4 B 5 A C 三 UO1 1 3V UO2 0 UO3 1 3V UO4 2V UO5 2 3V UO6 2V 四 UO1 6V UO2 5V 五 根据PCM 200mW可得 UCE 40V时IC 5mA UCE 30V时IC 6 67mA U。</p><p>10、第三部分 习题与解答 习题1 客观检测题 一 填空题 1 在杂质半导体中 多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系 2 当PN结外加正向电压时 扩散电流 大于 漂移电流 耗尽层。</p><p>11、精品文档 1欢迎下载 第二章第二章 2 12 1 UUAB45 0 2 22 2 a 导通 截止 b 导通 截止 c 导通 截止 d 导 2 D 1 D 2 D 1 D 1 D 2 D 2 D 通 截止 1 D 2 42 4 a b c d e 1 3VU o1 0VU o2 1 3VU o3 2VU o4 1 3VU o5 f 2VU o6 2 52 5 1 2 DB 0I DAR 1mAII。</p><p>12、数字电子技术基础习题集项目一习题1. 将下列二进制数转换为十进制数(1)10101 (2)0.10101 (3)1010.1012. 写出下列八进制数的按权展开式(1)(247)8 (2)(0.651)8 (3)(465.43)83. 将下列十六进制数转换为十进制数(1)(6BD)16 (2)(0.7A)16 (3)(8E.D)164. 将下列十进制数转换为二进制数,小数部分精确到小数点后第四位(1)(47)10 (2)(0.786)10 (3)(53.634)105. 将下列二进制数转换为八进制数(1)(10111101)2 (2)(0.11011)2 (3)(1101011.1101)26. 将下列二进制数转换为十六进制数(1)(11011。</p><p>13、1 数字电子技术基础教程数字电子技术基础教程 习题与参考答案习题与参考答案 (20129) 韦逸华韦逸华 第第 1 章章 习题与参考答案习题与参考答案 【题 1-1】 将下列十进制数转换为二进制数、八进制数、十六进制数。 (1)25;(2)43;(3)56;(4)78 解:(1)25=(11001)2=(31)8=(19)16 (2)43=(101011)2=(53)8=(2B)16 2 (3)56=(111000)2=(70)8=(38)16 (4) (1001110)2、 (116)8、 (4E)16 【题 1-2】 将下列二进制数转换为十进制数。 (1)10110001;(2)10101010;(3)11110001;(4)10001000 解:(1。</p><p>14、第一章 数制和码制 1 1概述 电子电路中的信号 模拟信号 数字信号 幅度随时间连续变化的信号 例 正弦波信号 锯齿波信号等 幅度和时间都是离散的 模拟信号 数字信号 数字信号的表示方式 1 采用二值数字来表示 即0 1数。</p><p>15、模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示,已知,二极管导通电压降。试画出和的波形,并标出幅值。解:通过分析可知:(1) 当时,(2) 当时,(3) 当时,总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算AO两端的电压。解:对于(a)来说,二极管是导通的。采用理想模型来说,采用恒压降模型来说,对于(c)来说,二极管是导通的,二极管是截止的。采用理想模型来说,采用恒压降模型来说,1.3 判断题图1.3电路中的二极管D是导通还是截止?用。</p>
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