逆变电路设计

逆变电路设计Tag内容描述：<p>1、单相半桥无源逆变电路的设计1概述1.1课题背景和意义功率MOSFET(金属氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管,除此之外还有MISFET、MESFET、JFET等几种。功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。为提高其集成度和耐压性,大都采用垂直结构(即VMOS)，如VVMOS（V型槽结构）、VUMOS、SIPMOS等。 图1如图1显示了一种SIPMOS（n沟道增强型功率MOSFET）的部分剖面结构。其栅极用导电的多晶硅制成,栅极与半导体之间有一层二氧化硅薄膜,栅极与源极位于硅片的同一面，漏极则在背面。从总体上看，漏极电。</p><p>2、莀蚄羃莄虿蚃肆膆薅螃膈莂蒁螂袇膅莇螁羀莀莃螀膂膃蚂蝿袂蒈薈螈羄芁蒄螇肆蒇莀螇腿芀蚈袆袈肂薄袅羁芈蒀袄肃肁蒆袃袃莆莂袂羅腿蚁袁肇莄薇袁膀膇蒃袀衿莃荿罿羁膆蚇羈肄莁薃羇芆膄蕿羆羆葿蒅薃肈节莁薂膀蒈蚀薁袀芀薆薀羂蒆蒂虿肅艿莈虿膇肂蚇蚈袇芇蚃蚇聿肀蕿蚆膁莅蒄蚅袁膈莀蚄羃莄虿蚃肆膆薅螃膈莂蒁螂袇膅莇螁羀莀莃螀膂膃蚂蝿袂蒈薈螈羄芁蒄螇肆蒇莀螇腿芀蚈袆袈肂薄袅羁芈蒀袄肃肁蒆袃袃莆莂袂羅腿蚁袁肇莄薇袁膀膇蒃袀衿。</p><p>3、武汉理工大学电力电子技术课程设计说明书目录摘要- 1 -1课题目的及要求- 2 -1.1 课题的目的- 2 -1.2课题的内容及要求- 2 -1.3 课题的意义- 2 -2 单相桥式逆变电路- 3 -2.1 电压型逆变电路- 3 -2.1.1 电压型逆变电路的特点：- 3 -2.1.2 单相全桥逆变电路的移相调压方式：- 3 -2。</p>