欧姆接触

欧姆接触Tag内容描述：<p>1、欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。理论：任何相接触的固体的费米能级（化学势）必须相等，费米能级和真空能级的差值称为功函数，因而，接触的金属和半导体具有不同的功函数。当两种材料相接触的时候电子会从低功函数的的一端流向另一端直到费米能级平衡；从而低功函数的材料带有少量正电荷，高功涵。</p><p>2、欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线（I-V curve）的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。理论：任何相接触的固体的费米能级（化学势）必须相等，费米能级和真空能级的差值称为功函数，因而，接触的金属和半导体具有不同的功函数。当两种材料相接触的时候电子会从低功函数的的一端流向另一端直到费米能级平衡；从而低功函数的材料带有少量正电荷，高功涵。</p><p>3、半导体的欧姆接触 (2012-03-30 15:06:47)转载标签： 杂谈分类： 补充大脑1、欧姆接触欧姆接触是指这样的接触：一是它不产生明显的附加阻抗；二是不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著的改变。从理论上说，影响金属与半导体形成欧姆接触的主要因素有两个：金属、半导体的功函数和半导体的表面态密度。对于给定的半导体，从功函数对金属半导体之间接触的影响来看，要形。</p><p>4、,1,.,2,8.2.3扩散理论及扩散理论和两极管理论的结合,当势垒的宽度比电子的平均自由程大得多时，电子通过势垒区要发生多次碰撞，这样的阻挡层称为厚阻挡层。扩散理论正是适用于厚阻挡层的理论。势垒区中存在电场，有电势的变化，载流子浓度不均匀。计算通过势垒的电流时，必须同时考虑漂移和扩散运动。设费米能级的降落全部在半导体中表面根据式,(8-2-11),.,3,势垒区内n不是恒定的,因而dEF/d。</p><p>5、GaN材料的欧姆接触研究进展摘要：III-V族GaN基材料以其在紫外光子探测器、发光二极管、高温及大功率电子器件方面的应用潜能而被广为研究。低阻欧姆接触是提高GaN基器件光电性能的关键。金属/GaN界面上较大的欧姆接触电阻一直是影响器件性能和可靠性的一个问题。对于各种应用来说，GaN的欧姆接触需要得到改进。通过对相关文献的归纳分析，本文主要介绍了近年来在改进n-GaN和p-GaN工艺。</p><p>6、2014年第33卷第2期 传感器与微系统(7 欧姆接触式向光 ，黄钦文 ，王蕴辉 (1电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室。 广东广州530610；2中北大学信息与通信工程学院，山西太原030051) 摘要：利用表面微加工工艺设计了一种双悬臂梁支撑的欧姆接触式关的材料为 过对开关驱动电压的理论分析得出，悬臂梁的刚度越低，下拉电压就会越小；又因为刚度与悬臂梁厚度的 三次方呈比例，所以，降低刚度最有效的办法就是减少梁的厚度。通过对开关的性能仿真发现：开关的闭 合电压为44V；触点的接触力为2245振频率为255 关闭合时，触点接触后并非立。</p><p>7、7 3 少数载流子的注入和欧姆接触少数载流子的注入和欧姆接触 7 3 1 少数载流子的注入少数载流子的注入 空穴 扩散运动空穴 扩散运动 漂移运动漂移运动 TkqVpp D00 exp0 电子 扩散运动电子 扩散运动 漂移运动漂移运动。</p><p>8、第43卷 第5期 厦门大学学报 自然科学版 Vol 43 No 5 2004年9月Journal of Xiamen University Natural Science Sep 2004 文章编号 043820479 2004 0520624204 Au Au2Be与GaP欧姆接触的表面分析 收稿日期 2003212219。</p><p>9、第 卷 第 期 年 月 半 导 体 学 报 国家高技术研究发展计划资助项目 批准号 通信作者 收到 定稿 中国电子学会 基 的欧姆接触高温特性 张跃宗 冯士维 张弓长 王承栋 吕长志 北京工业大学电子信息与控制工程学院 北京。</p><p>10、1998 - 11 - 10收稿;1999 - 01 - 11定稿 国家自然科学基金资助项目 本刊通讯编委 第20卷第4期半 导 体 光 电Vol. 20 No. 4 1999年8月Semiconductor OptoelectronicsAug. 1999 文章编号: 1001 - 5868(1999)04 - 0241 - 04 CTLM测量金属/半导体欧姆接触电阻率。</p><p>11、2 4多元化合物太阳电池 2 4 2 一 族太阳电池 CdTe superstrate结构是在玻璃衬底上依次长上透明氧化层 TCO CdS CdTe薄膜 而太阳光是由玻璃衬底上方照射进入 先透过TCO层 再进入CdS CdTe结 而在substrate结构 是先在适当的衬底上长上CdTe薄膜 再接着长CdS及TCO薄膜 其中以superstrate的效率最高 2 碲化镉太阳能电池原理 结构 透明导。</p><p>12、A b s t r a c t T h i sw o r kW a Ss u p p o r t e d b y t h eS t a t eS c i e n c ea n d T e c h n o l o g yM i n i s t r y o ft h eP R C h i n au n d e rt h ec o n t a c tN o G 2 0 0 0 0 6 8。</p><p>13、Au/ p2CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析 3 张连东,聂中明,傅 莉,查钢强,介万奇 (西北工业大学 材料学院,陕西 西安710072 ) 摘 要: 采用化学镀金法在高阻p2CZT(CdZnTe)晶 片表面制备Au电极,并用改进的圆环传输线模型 (Ring2 CTLM)测量了CZT电极的接触电阻,探讨了 大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响。 实验结果表明,200 退火可以显著改善欧姆特性,使 接触电阻率c显著减小,采用Ring2CTLM模型测得 CZT与金电极接触电阻率为0. 1524 cm2。通过 XPS分析了CZT与Au电极接触界面的成分,发现在 Au/ p2CdZnTe界面处形成了CdTeO3层,该。</p><p>14、第 2 7卷第 1 期 2 0 0 6年 2月 发 光 学 报 V o 1 2 7 N 1 CHI NES E J OURNAL OF LUM I NES CENCE F e b 2 0 0 6 文章编号 1 0 0 0 7 0 3 2 2 0 0 6 0 1 0 0 6 9 0 6 G a N基紫光 L E D的高反射率 p 型欧姆接触 张。</p>