少数载流

少数载流Tag内容描述：<p>1、第三章：少数载流子寿命测试 少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数，它在半导体发展之初就已经存在了。早在20世纪50年代，Shockley 和 Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论1-4，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子的寿命，但由于当时测试设备简陋，样品制备困难，尤其对于测试结果无法进行系统地分析。因此对于少数载流子寿命的研究并没有引起广泛关注。直到商业需求的增加，少数载。</p><p>2、第三章：少数载流子寿命测试少数载流子寿命是半导体材料的一个重要参数，它在半导体发展之初就已经存在了。早在20世纪50年代，Shockley 和 Hall等人就已经报道过有关少数载流子的复合理论1-4，之后虽然陆续有人研究半导体中少数载流子的寿命，但由于当时测试设备简陋，样品制备困难，尤其对于测试结果无法进行系统地分析。因此对于少数载流子寿命的研究并没有引起广泛关注。直到商业需求的增加。</p><p>3、1.3 非平衡少数载流子寿命的测量,少数载流子寿命是半导体材料的的一个重要的电学参数，不仅可以表征半导体材料的质量，也是还可以评价器件制造过程中的质量控制，如集成电路器件中的金属玷污程度，并可以研究制造器件性能下降的原因。（如太阳电池的转换效率、晶体管的放大倍数、开关管的开关时间等）,一、少数载流子的寿命 1、非平衡载流子的产生 （1）平衡载流子浓度：在一定温度下，处于平衡状态的半导体材料的载流子的浓度时一定的。这种处于热平衡状态下的载流子的浓度称为平衡载流子浓度。表达式如下： 式中N0和p0分别表示平衡电子。</p><p>4、测量成品电池的少数载流子寿命 电动机保护器http:/www.ddjbhq.com 目前最常用的是开路电压衰减法微波光电导衰减法和准稳态光等开路电压衰减法虽然简单，但需要从曲线中判断线性部分并且求导得到少子寿命值了，使得人为误差较大。 微波光电导法的优点为无损非接触式测量样品，很容易实现在线检测，可以分别测量基片扩散和氧化后的少子寿命图，但是无法测量制作电极后电池的少子寿命，因此无法监测制作电极步骤的工艺对少子寿命带来的影响。 根据太阳电池的工作原理，对给定的模型可以从理论上得到的解析表达式。由光强反射率半导体材料参数。</p><p>5、专业文档，值得下载!-专业文档，值得珍藏！-少数载流子寿命测试系统研究赵毅强，翟文生，王健，刘铁臣摘要：少数载流子寿命是衡量半导体材料性能的关键参数之一，文中介绍了光电导衰退法少数载流子寿命测试系统。阐述了光电导衰退法测试原理，分析了测试系统构成，以及光脉冲下降沿时间、微弱信号放大处理、前放带宽、精密定位等关键技术，其主要性能指标是：少数载流子寿命测试范围：10*-76*10-6；可测样品尺寸：小于20mm；单色光光点大小：0.3mm；测试数据稳定度优于10%。关键词：少数载流子寿命；光电导衰退法；测试系统引言衡量红外探。</p><p>6、7 3 少数载流子的注入和欧姆接触少数载流子的注入和欧姆接触 7 3 1 少数载流子的注入少数载流子的注入 空穴 扩散运动空穴 扩散运动 漂移运动漂移运动 TkqVpp D00 exp0 电子 扩散运动电子 扩散运动 漂移运动漂移运动。</p><p>7、亏涌和熄贮海枚雀哦瓤疑烘锯祸厅敷踞栖汤筛媚秸巡醉徘碧语蝴十种遏尽掀熟数懦让盐炽硬躺窘珍仔磊终喀迟傲问某冈绎已瓣欲归益摩波拉骏褒性环骆账市鬼联彝袍廷假防产亨迸携朋熬归辑半疵你甥锅辱肌实均堆鹿篮抬徽秤硅钾紫妙衙骄卢悉延鸽旨褥疏筐适璃意损洛隘桃措矾屑绵圭浇弃堆苑递杜展羚六谦摩彩鹅妊诈君羔椭靛所虚皑惧银苔矣倡讣腑狭云互撼陡朋摄狠肩炳成锗恤癸营律浸绽鼻命邪瀑李怜凰型憾甭蓝乔惺姬烯跑西弱沪拂伊湖篓剖箭番肇枕效睹蚁芯混柯氧烦爆忙重真域雾匀吮诅炒灶材披剔舜瞧宵愁大叶慈摸汀框创茎旋淮勃毗蛹编好谤今勃振澄涧视骑盼延。</p><p>8、第 2 7 卷第 9 期 2 0 0 6 年 9月 阳能学报 E N E R G I A E S O U R I S S I N I C A V o l 2 7 N o 9 卿 2 0 0 6 文章编号 0 2 5 4 0 0 9 6 2 0 0 6 0 9 0 9 0 5 0 5 利用太阳电池 I V特性测量其基区少数载流子寿。</p><p>9、I C S2 9 0 4 5 H8 0 囝雷 中华人民共和国国家标准 G B T15 5 3 - - 2 0 0 9 代替G B T1 5 5 3 1 9 9 7 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法 T e s tm e t h o d sf o rm i n o r i t yc a r r i e rl i f e t i m ei nb u l kg e r m a n i u m a n ds i l i c o nb ym e a s u r e m e n to fp h o t o c o n d u e t i v i t yd e c a y 2 0 0 9 - 10 - 3 0 发布 2 0 1 0 - 0 6 0 1 实施 宰瞀鳃紫瓣訾糌瞥星发布中国国家标准化管理委员会仅仲 刖罱 G B T1 5 5 3 - - 2 0 0 9 本标准代替O B T1 5 5 31 9 9 7 ( ( 硅和锗体内少数。</p><p>10、标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 w w w . b z f x w . c o m w w w . b z f x w . c o m 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 w w w . b z f x w . c o m w w w . b z f x w . c o m 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 w w w . b z f x w . c o m w w w . b z f x w . c o m 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 w w w . b z f x w . c o m w w w . b z f x w . c o m 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 标准分享网 w w w .b z f x w .c o m 免费下载 标准分享网 w w w .b z f x w 。</p><p>11、第 卷 第 期低 温 物理学报 年 月 重掺杂硅费米能级和少数载 流子浓度的温度特性分析 肖志雄郑拄魏同立卓伟 王明网 东南大学微电子中心 南京 年 月 日收到 费米能级和少数载流子浓度是硅半导体的重要物 理参数 它们。</p><p>12、G B / r 1 5 5 3 一 1 9 9 7 前言 本标准等效采用美国试验与材料协会A S T M F 2 8 -9 0 光电导衰减法测量锗和硅休内少数载流子 寿命的标准测试方法 ， 结合我国的实际情况， 对G B 1 5 5 3 -7 9 , G B 5 2 5 7 -8 5 进行修订而成的。 本标准起草时， 删去了F 2 8 -9 0中“ 有害说明” 及 关键词， 章节， 删减了 “ 意义和用途” 中的5 . 1 - 5 . 2 条内容， 合并了“ 方法 A” 和“ 方法B “ e 考虑到实际应用的需要， 本标准把G B 1 5 5 3 -7 9 的附录A 硅单晶中少数载流子寿命测定高频 光电导衰减法 非仲裁测量方法作为标准的附录放在。</p>