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设计设计设计

机械工程学院毕业设计（论文）。功率MOSFET(金属－氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管。功率MOSFET为功率集成器件。大都采用垂直结构(即VMOS)。如VVMOS（V型槽结构）、VUMOS、SIPMO。毕业设计（论文）。坐标镗床的总体结构设计及电气原理设计。大学毕业设计（论文）任务书。题。

设计设计设计Tag内容描述：<p>1、单相半桥无源逆变电路的设计1概述1.1课题背景和意义功率MOSFET(金属氧化物-半导体场效应晶体管)是最重要的一种功率场效应晶体管,除此之外还有MISFET、MESFET、JFET等几种。功率MOSFET为功率集成器件，内含数百乃至上万个相互并联的MOSFET单元。为提高其集成度和耐压性,大都采用垂直结构(即VMOS)，如VVMOS（V型槽结构）、VUMOS、SIPMOS等。图1如图1显示了一种SIPMOS（n沟道增强型功率MOSFET）的部分剖面结构。其栅极用导电的多晶硅制成,栅极与半导体之间有一层二氧化硅薄膜,栅极与源极位于硅片的同一面，漏极则在背面。从总体上看，漏极电。</p>

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