双极型晶体管

双极型晶体管Tag内容描述：<p>1、模拟电子技术基础课程教学辅助系统 是助教型多媒体课件，供教师上课使 用。 本课件2000年由高等教育出版社出版，2001 年获国家教学成果二等奖。考虑版权问题，在尚 未征得出版社同意之前，目前在网上只给出了封 面、编辑界面示意图，以及一小部分课程内容。 供评审专家和教师审阅。 用鼠标点击左下方或右下方的播放按键，即 可播放。按盘上的“”键，前进；按“”键后退 ；按“Esc”键，再用鼠标点击屏幕右上角的“”， 可退出。在播动画时，如提示有病毒，可按“确 定”键播放。 被 蔫 淡 卿 石 喉 伙 蕊 矛 壮 千 买 梧 筛 妓 链 辱 锐 。</p><p>2、5.6 双极型晶体管放大电路的动态分析 5.6.2 共集组态基本放大电路的动态分析 5.6.1 共射组态基本放大电路的动态分析 动态分析的基本步骤： 放大电路中频微变等效电路是在晶体管低频小信号模型 上，增加交流通路的相关元件而构成的。具体画法如下： (1) 先将晶体管的低频小信号模型画出； (2) 再将放大电路晶体管以外的交流通路的元件画出； (3) 在中频段，画的过程中将大容量的耦合电容、旁路电 容器短路，将直流电源交流短路； 现以能够稳定工作点的分压偏置共射放大电路为例进行 讨论，电路见图5.6.1。 5.6.1 共射组态基本放大电路的动。</p><p>3、大规模模拟集成电路1 MOS与双极型晶体管的比较 大规模模拟集成电路2 本讲内容 MOS晶体管模型 双极型晶体管模型 MOS与双极型晶体管的比较 大规模模拟集成电路3 从双极型到MOS晶体管的过度 大规模模拟集成电路4 SIA预测的集成电路工艺发展 大规模模拟集成电路5 Moore定律 大规模模拟集成电路6 ISSCC2005论文的分布情况 大规模模拟集成电路7 不同工艺条件下采用MPW方式 加工芯片的成本 大规模模拟集成电路8 MOS晶体管的版图示意 大规模模拟集成电路9 MOS晶体管版图： 大规模模拟集成电路10 MOS晶体管版图： 的值 大规模模拟集成电路11 N-阱 C。</p><p>4、3.4、 3.5,双极型晶体管模型 缓变基区晶体管,一 缓变基区晶体管,这个电场沿着杂质浓度增加的方向，有助于电子在大部分基区范围内输运这时电子通过扩散和漂移越过基区薄层，致使输运因子增加。,实际晶体管杂质分布是不均匀的，缓变的发射区掺杂对晶体管性能的影响很小，将予以忽略。基区的缓变杂质分布要引入一个自建电场：,P型半导体,N型半导体,？,杂质分布,x,爱因斯坦关系式,对大多数平面晶体管，基区复合可以忽略，则上式 In 是常数。,对于正向有源模式（ np0(xB)=0 ），基区电子分布为：,总的杂质原子数，称为根梅尔数。,xB,代替np0(0)。</p><p>5、The Brief Process of the Bipolar Junction Transistor双极型晶体管工艺流程简介Wafer start The first time oxidation The Si3N4 deposition Oxide/diffusion furnace to grow oxidation layer and diffuse the impuritiesSuper-sonic cleaner to clean the waferPECVD to deposit Si3N4 thin films。</p><p>6、泓域咨询MACRO/ 年产xxx双极型功率晶体管项目可行性研究报告年产xxx双极型功率晶体管项目可行性研究报告规划设计 / 投资分析 年产xxx双极型功率晶体管项目可行性研究报告目录第一章 概况第二章 项目背景及必要性第三章 项目调研分析第四章 项目建设内容分析第五章 项目选址第六章 工程设计可行性分析第七章 工艺先进性分析第八章 项目环境影响情况说明第九章 职业安全第十章 项目风险评价分析第十一章 节能评估第十二章 实施计划第十三章 投资方案分析第十四章 经营效益分析第十五章 综合评价结论第一章 概况一、项目承办单位基本情况（一。</p><p>7、1,第四章 双极型晶体管的功率特性,2,1 P-N结,2 npn管直流特性,3 频率特性,4 功率特性,5 开关特性,6，7结型和绝缘栅场效应晶体管,8 噪声特性,3,晶体管的输出功率受： 集电极最大电流ICM 最大耗散功率PCM 二次击穿特性（临界功率） 最高耐压BVcbo、BVceo 的限制。,第四章 双极型晶体管的功率特性,安全工作区,本章将围绕安全工作区的要求，讨论大功率（大注入）下的直流特性,4,4.1 集电极最大允许工作电流ICM,晶体管电流放大系数与集电极电流的关系见图4-1。 在大电流下，b0随Ic增加而迅速减小，限制了晶体管最大工作电流。 晶体管的电流放大。</p><p>8、第六章 双极型晶体管的噪声特性,半导体器件物理,Physics of Semiconductor Devices,2007,3,30,双极型晶体管的噪声特性,噪声与噪声系数 晶体管的噪声源 电子器件和放大器的噪声等效电路 降低器件本身噪声的方法 常见噪声、干扰的简单识别方法,噪声是指落入信息信号通带内的任何不需要的信号,图1 噪声对信号的影响,干扰由系统外部产生的噪声 失真由系统电路产生的 线性失真和非线性失真,双极型晶体管的噪声特性,6.1 噪声与噪声系数,噪声,非相关噪声:,相关噪声:,无论信息信号是否出现,在任何时间都存在,仅在信息信号出现时产生，信号的失真和。</p><p>9、17第三讲双极型晶体管1.3 双极型晶体管半导体三极管有两大类型，一是双极型半导体三极管二是场效应半导体三极管双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。1.3.1晶体管的结构及类型双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。中间部分称为基区，相连电极称为基极，用B或b表示（Base）；一侧称为发射区，相连电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示。</p><p>10、1.了解三极管的基本结构，熟悉其放大原理； 2.掌握三极管电流分配关系，熟悉其输入、输出特性。,1.3 晶体三极管,学习目标：,1.三极管的电流分配关系和放大原理； 2.三极管的输出特性曲线和基本参数。,学习重点：,一、晶体管的结构及类型,晶体三极管又称双极型晶体管、半导体三极管、三极管等。,发射区,集电区,基区,三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。,半导体三极管由两个PN 结构成。类型:NPN 型和PNP 型。,c 集电极,e 发射极,b 基极,集电结(Jc),发射结(Je),集电极,二、电流分配。</p><p>11、第2章 双极型晶体三极管 和基本放大电路,2.1 双极型晶体三极管,2.2 晶体管放大电路的性能指标和工作原理,2.3 晶体管放大电路的图解分析法,2.4 等效电路分析法,2.5 其他基本放大电路,思考：2-1 2-16 习题：2-4 2-7 2-8 2-10 2-12 2-14 2-17 2-19 2-24 2-25,第2章 双极型晶体三极管 和基本放大电路,本章的重点与难点,本章所讲述的基本概念、基本电路和基本分析方法是学习后面各章的基础。 重点: 双极型晶体管的特性; 放大的概念; 放大电路的主要指标参数; 基本放大电路和放大电路的分析方法。包括共射、共集、共基放大电路的组成、工作原理。</p><p>12、泓域咨询MACRO/ 双极型功率晶体管项目可行性研究报告目录第一章 项目总论第二章 项目承办单位第三章 项目背景研究分析第四章 项目市场分析第五章 产品规划分析第六章 选址方案第七章 土建方案说明第八章 工艺概述第九章 环保和清洁生产说明第十章 职业保护第十一章 风险应对评估第十二章 节能方案分析第十三章 进度方案第十四章 项目投资分析第十五章 经济效益评估第十六章 项目综合评价结论第一章 项目总论一、项目概况（一）项目名称双极型功率晶体管项目（二）项目选址xxx高新技术产业开发区所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生。</p><p>13、第二章 晶体三极管基础,（学时数：10）,2.1双极型晶体三极管 2.1.1 BJT的工作原理 2.1.2 BJT的静态特性曲线 2.1.3 BJT主要参数 2.1.4 BJT小信号模型 2.2结型场效应管 2.2.1 JFET的结构和工作原理 2.2.2 JFET的特性曲线及参数 2.2.3 JFET的小信号模型 2.3金属氧化物半导体场效应管 2.3.1 N沟道增强型MOSFET工作原理 2.3.2 N沟道耗尽型MOSFET工作原理 2.3.3 MOSFET小信号模型 2.3.4 场效应晶体管与双极型晶体管的比较,2.1 双极型晶体三极管BJT,按工作频率分：高频管、低频管,按功率分：小、中、大功率管,按材料分：硅管、锗管,按结构分：NPN。</p><p>14、第三章 双极晶体管（1）,BJT (Bipolar Junction Transistor),*,*,*,*,现代主流电子器件有两大类：BJT和FET。这些器件广泛的应用于通信、计算机及自动化等各个领域。,BJT于1948年发明于美国Bell实验室，通常有NPN、PNP两种基本结构，在电路中主要用作放大、开关等。,本章主要介绍BJT的结构、工作原理，重点介绍其载流子的运动规律和直流特性,分析方法：通过对器件工作时载流子的运动规律的分析，把器件的电学特性和器件内部结构、材料、工艺参数联系起来，为我们设计、使用晶体管提供相应的理论基础。,1、晶体管的分类、基本结构及杂质分布。</p><p>15、第三章 双极型晶体管的直流特性,内容,3.1 双极晶体管基础,3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数,3.3 缓变基区晶体管的电流放大系数,3.4 双极晶体管的直流电流电压方程,3.5双极晶体管的反向特性,3.6 基极电阻,3.1 双极晶体管的基础,由两个相距很近的pn结组成：,分为：npn和pnp两种形式,基区宽度远远小于少子扩散长度,2019/5/17,1、双极型晶体管的结构,双极型晶体管的结构示意图如图所示。 它有两种类型:npn型和pnp型。,e-b间的pn结称为发射结(Je),c-b间的pn结称为集电结(Jc),中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）；,一侧。</p><p>16、4.4 双极性晶体管,双极型晶体管是由三层杂质半导体构成的器件。它有三个电极，所以又称为半导体三极管、晶体三极管等，以后我们统称为晶体管。常见的晶体管其外形如图示。,晶体管的结构及电路符号,为了得到性能优良的晶体管，必须保证管内结构： .发射区相对基区要重掺杂； .基区要很窄（2微米以下）； .集电结面积要大于发射结面积。,例如：3DG6 即为硅NPN型高频小功率管。 3AX18即为锗PNP型低频小功率管。,晶体管类型,4.4.1 晶体管的工作原理,当晶体管处在发射结正偏、集电结反偏的放大状态下，管内载流子的运动情况可用下图说明。,.发。</p><p>17、第2章 半导体三极管及其电路分析,2.1 双极型半导体三极管 2.2 三极管基本应用电路及其分析 2.3 单极性半导体三极管及其电路分析,2.1 双极型半导体三极管,晶体管的几种常见外形,(Semiconductor Transistor),半导体三极管(晶体管，双极型晶体管)与二极管的主要区别 是它具有电流放大作用，而二极管没有。 因而三极管应用更加广泛。,2.1.1 晶体管的结构及类型,发射极 E,基极 B,集电极 C,发射结,集电结, 发射区, 集电区,emitter,base,collector,NPN 型,三极、两结、 三区。,一.结构:,PNP 型,集电极,基极,发射极,发射结,集电结,按材料分： 硅管。</p><p>18、1.3 双极型三极管,三极管的结构与符号 三极管的电流分配与控制 三极管的伏安特性曲线 三极管的主要参数,1.3.1 三极管的结构与符号,双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。,e-b间的PN结称为发射结(Je),c-b间的PN结称为集电结(Jc),中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）；,一侧称为发射区，电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter）；,另一侧称为集电区和集电极， 用C或c表示（Collector）。,双极型三极管的符号中， 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。,三极管的结构与符号,发射区的。</p><p>19、2-1,第二章 双极型晶体管及其放大电路,模拟电子技术基础,2-2,第二章 基本放大电路,2.1 双极型晶体管的工作原理 2.2 晶体管伏安特性曲线及参数 2.3 晶体管工作状态分析及偏置电路 2.4 放大器的组成及性能指标 2.5 放大器图解分析法 2.6 放大器交流等效电路分析法 2.7 共集电极放大器和共基极放大器 2.8 放大器的级联,2-3,2.1.1 基本结构,基极 base,发射极 emitter,集电极 collector,NPN型,集电极,基极,发射极,PNP型,2.1 双极型晶体管的工作原理 (bipolar junction transistor),2-4,NPN型三极管,PNP型三极管,2-5,基区：较薄，掺杂浓度低,集。</p>