双极型三极管

双极型三极管Tag内容描述：<p>1、4 双极结型三极管及放大电路基础 4.1 BJT 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极放大电路 4.2 基本共射极放大电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应 4.1 双极型三极管BJT 一个PN结二极管单向导电性 二个PN结三极管电流放大（控制） 4.1.1 BJT的结构简介 (a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管 分类：按频率分有高频管、低频管 按功率分有小、中、大功率管 按材料分有硅管、锗管 按结构分有NPN型和PNP型 三极管的不同封装形式 金属封装塑料封装大功率管 中功率管 。</p><p>2、第三章双极型三极管基本放大电路3-1 选择填空1.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______________。a. 发射结正偏，集电结反偏。 b. 发射结反偏，集电结正偏。c. 发射结正偏，集电结正偏。 d. 发射结反偏，集电结反偏。2晶体管工作在饱和区时，具有如下特点______________。a. 发射结正偏，集电结反偏。 b. 发射结反偏，集电结正偏。c. 发射结正偏，集电结正偏。 d. 发射结反偏，集电结反偏。3在共射、共集、共基三种基本组态放大电路中，电压放大倍数小于1的是______组态。a. 共射 b. 共集 c. 共基 d. 不确定4对于题3-1图所示放大电路中。</p><p>3、第六章 双极型晶体管的噪声特性,半导体器件物理,Physics of Semiconductor Devices,2007,3,30,双极型晶体管的噪声特性,噪声与噪声系数 晶体管的噪声源 电子器件和放大器的噪声等效电路 降低器件本身噪声的方法 常见噪声、干扰的简单识别方法,噪声是指落入信息信号通带内的任何不需要的信号,图1 噪声对信号的影响,干扰由系统外部产生的噪声 失真由系统电路产生的 线性失真和非线性失真,双极型晶体管的噪声特性,6.1 噪声与噪声系数,噪声,非相关噪声:,相关噪声:,无论信息信号是否出现,在任何时间都存在,仅在信息信号出现时产生，信号的失真和。</p><p>4、17第三讲双极型晶体管1.3 双极型晶体管半导体三极管有两大类型，一是双极型半导体三极管二是场效应半导体三极管双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种VCCS器件。1.3.1晶体管的结构及类型双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。中间部分称为基区，相连电极称为基极，用B或b表示（Base）；一侧称为发射区，相连电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示。</p><p>5、1.了解三极管的基本结构，熟悉其放大原理； 2.掌握三极管电流分配关系，熟悉其输入、输出特性。,1.3 晶体三极管,学习目标：,1.三极管的电流分配关系和放大原理； 2.三极管的输出特性曲线和基本参数。,学习重点：,一、晶体管的结构及类型,晶体三极管又称双极型晶体管、半导体三极管、三极管等。,发射区,集电区,基区,三极管的结构特点: （1）发射区的掺杂浓度集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。,半导体三极管由两个PN 结构成。类型:NPN 型和PNP 型。,c 集电极,e 发射极,b 基极,集电结(Jc),发射结(Je),集电极,二、电流分配。</p><p>6、第2章 双极型晶体三极管 和基本放大电路,2.1 双极型晶体三极管,2.2 晶体管放大电路的性能指标和工作原理,2.3 晶体管放大电路的图解分析法,2.4 等效电路分析法,2.5 其他基本放大电路,思考：2-1 2-16 习题：2-4 2-7 2-8 2-10 2-12 2-14 2-17 2-19 2-24 2-25,第2章 双极型晶体三极管 和基本放大电路,本章的重点与难点,本章所讲述的基本概念、基本电路和基本分析方法是学习后面各章的基础。 重点: 双极型晶体管的特性; 放大的概念; 放大电路的主要指标参数; 基本放大电路和放大电路的分析方法。包括共射、共集、共基放大电路的组成、工作原理。</p><p>7、泓域咨询MACRO/ 双极型功率晶体管项目可行性研究报告目录第一章 项目总论第二章 项目承办单位第三章 项目背景研究分析第四章 项目市场分析第五章 产品规划分析第六章 选址方案第七章 土建方案说明第八章 工艺概述第九章 环保和清洁生产说明第十章 职业保护第十一章 风险应对评估第十二章 节能方案分析第十三章 进度方案第十四章 项目投资分析第十五章 经济效益评估第十六章 项目综合评价结论第一章 项目总论一、项目概况（一）项目名称双极型功率晶体管项目（二）项目选址xxx高新技术产业开发区所选场址应避开自然保护区、风景名胜区、生。</p><p>8、1.3 双极型三极管,三极管的结构与符号 三极管的电流分配与控制 三极管的伏安特性曲线 三极管的主要参数,1.3.1 三极管的结构与符号,双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型和PNP型。,e-b间的PN结称为发射结(Je),c-b间的PN结称为集电结(Jc),中间部分称为基区，连上电极称为基极， 用B或b表示（Base）；,一侧称为发射区，电极称为发射极， 用E或e表示（Emitter）；,另一侧称为集电区和集电极， 用C或c表示（Collector）。,双极型三极管的符号中， 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。,三极管的结构与符号,发射区的。</p><p>9、2.1.1 双极型半导体三极管的结构 2.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 2.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 2.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 2.1.5 半导体三极管的参数 2.1.6 半导体三极管的型号,2.1 双极型半导体三极管,半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管,2.1 双极型半导体三极管,2.2 场效应半导体三极管,02 半导体三极管,双极型半导体三极管是由两种载 流子参与导电的半导体器件，它由两 个 PN 结组合而成，是一种CCCS器件。,场效应型半导体三极管仅由一种 载流子参与导电，是一种VCC。</p><p>10、双极型晶体管及相关器件,本章内容 双极型晶体管的工作原理 双极型晶体管的静态特性 双极型晶体管的频率响应与开关特性 异质结双极型晶体管 可控硅器件及相关功,双极型晶体管的工作原理,双极型晶体管(bipolar transistor)的结构 双极型晶体管是最重要的半导体器件之一，在高速电路、模拟电路 、功率放大等方面具有广泛的应用。双极型器件是一种电子与空穴皆参与导通过程的半导体器件，由两个相邻的耦合p-n结所组成，其结构可为p-n-p或n-p-n的形式。 如图为一p-n-p双极型晶体管 的透视图，其制造过程是以p型半 导体为衬底，利用热扩散的原理。</p><p>11、1.3双极型三极管,三极管的结构与符号三极管的电流分配与控制三极管的伏安特性曲线三极管的主要参数,1.3.1三极管的结构与符号,双极型半导体三极管的结构示意图如图所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。,e-b间的PN结称为发射结(Je),c-b间的PN结称为集电结(Jc),中间部分称为基区，连上电极称为基极，用B或b表示（Base）；,一侧称为发射区，电极称为发射极，用E或e表示（Emitter。</p><p>12、1.3 双极型半导体三极管,半导体三极管在英文中称为晶体管(Transister)，半导体三极管有两大类型，一是双极型半导体三极管(BJT)， 二是场效应半导体三极管(FET)。,双极型半导体三极管是由两种载流子参与导电的半导体器件，它由两个 PN 结组合而成，是一种电流控制电流源器件（CCCS）。,场效应型半导体三极管仅由一种载流子参与导电，是一种电压控制电流源器件（VCCS）。,1.3.1。</p><p>13、第6章双极型晶体管,6.1晶体管概述6.1.1晶体管基本结构从基本结构来看，晶体管由两个十分靠近的，分别称为发射结和集电结的P-N结组成。两个P-N结将晶体管划分为三个区：发射区、基区和集电区。由三个区引出的电极分别称为发射极、基极和集电极，用符号E、B、C（e、b、c）表示。晶体管的基本形式可分为PNP型和NPN型两种。,双极型晶体管重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了。</p><p>14、1,第三节 双极型三极管,三极管的结构,三极管中载流子的运动和电流分配关系,三极管的特性曲线,三极管的主要参数,总目录,下页,2,半导体三极管 晶体管 (transistor),制作材料：,分类 ：,它们通常是组成各种电子电路的核心器件。,双极型三极管又称为 ：,硅或锗,NPN型 PNP型,下页,上页,首页,3,一、 三极管的结构,三个区,NPN型三极管的结构和符号,N P N,下页,上页。</p><p>15、10:11,4.1 半导体三极管(BJT) 4.2 共射极放大电路 4.3 放大电路的分析方法 4.4 放大电路静态工作点的稳定问题 4.5 共集电极放大电路和共基极电路 4.6 组合放大电路 4.7 放大电路的频率响应,第四章 双极结型三极管及放大电路基础,10:11,4.1 双极型晶体管(BJT),4.1.1 晶体管的结构及类型,基极,发射极,集电极,NPN型,PNP型,10:11,基区：较薄。</p>