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肖特基势垒

第卷第期年月半导学报体五一二二二二二二二之二二二二二二二二非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究陈坤基何宇亮杜家方南京大学物理弄提要利用辉光放电由硅烷分解在常规的系统中获得了非晶态硅书。二极管的伏安特性曲线在约300K温度下测量。

肖特基势垒Tag内容描述：1、河南大学凝聚态物理专业2 0 0 5 级硕士学位论文2 0 0 8 0 6 一维Z n o 、S n 0 2 纳米结构肖特基势垒的光电输运性质研究中文摘要纳米材料由于其优异的物理化学性质引起了研究者的广泛注意，制备出的一维纳米线。2、用1热激活法测量Pt/n-Si肖特基二极管肖特基二极管肖特基基基的高度肖特基势垒高度奥兹化*物理系学号336011001447本实验中用热激活法测量的Pt/n-Si肖特基二极管质量为次n=1.223，有效里奇森常数* * 2 36.227实验中，二极管的伏安特性曲线在约300K温度下测量，并使用不同正向偏压电压下的电流值计算了质量系数和串联电阻。然后固定正向偏移约160mV，在不同温度条件下测量样。3、第19卷第11期半导体学报 Vol 19 No 11 1998年11月 CH I N ESE JOURNAL OF SEM ICONDUCTORS Nov 1998 李观启男 1940年出生教授从事微电子学方面的教学和研究曾勇彪男 1944年出生讲师从事微电子学方面的。4、第卷第期年月半导学报体五一二二二二二二二之二二二二二二二二非晶态硅薄膜的制备及其肖特基势垒的研究陈坤基何宇亮杜家方南京大学物理弄提要利用辉光放电由硅烷分解在常规的系统中获得了非晶态硅书。

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