习题解答第四章

习题解答第四章Tag内容描述：<p>1、第四章复习题1、 试简要说明对导热问题进行有限差分数值计算的基本思想与步骤。2、 试说明用热平衡法建立节点温度离散方程的基本思想。3、 推导导热微分方程的步骤和过程与用热平衡法建立节点温度离散方程的过程十分相似，为什么前者得到的是精确描述，而后者解出的确实近似解。4、 第三类边界条件边界节点的离散那方程，也可用将第三类边界条件表达式中的一阶导数用差分公式表示来建立。试比较这样建立起来的离散方程与用热平衡建立起来的离散方程的异同与优劣。5对绝热边界条件的数值处理本章采用了哪些方法？试分析比较之6什么是非稳态。</p><p>2、1 静止氖原子的谱线中心波长为632.8纳米，设氖原子分别以0.1C、O.4C、O.8C的速度向着观察者运动，问其表观中心波长分别变为多少？解答：根据公式（激光原理P136）由以上两个式子联立可得：代入不同速度，分别得到表观中心波长为：，解答完毕（验证过）2 设有一台麦克尔逊干涉仪，其光源波长为，试用多普勒原理证明，当可动反射镜移动距离L时，接收屏上的干涉光强周期性的变化次。证明：对于迈氏干涉仪的两个臂对应两个光路，其中一个光路上的镜是不变的，因此在这个光路中不存在多普勒效应，另一个光路的镜是以速度移动，存在多普勒效应。。</p><p>3、4.1 简述耗尽型和增强型MOS场效应管结构的区别；对于适当的电压偏置（VDS0V，VGSVT），画出P沟道增强型MOS场效应管，简要说明沟道、电流方向和产生的耗尽区，并简述工作原理。解：耗尽型场效应管在制造过程中预先在衬底的顶部形成了一个沟道，连通了源区和漏区，也就是说，耗尽型场效应管不用外加电压产生沟道。而增强型场效应管需要外加电压VGS产生沟道。随着VSG逐渐增大，栅极下面的衬底表面会积聚越来越多的空穴，当空穴数量达到一定时，栅极下面的衬底表面空穴浓度会超过电子浓度，从而形成了一个“新的P型区”，它连接源区和漏区。如。</p><p>4、解：,13-1 一厚度为d的“无限大”均匀带电导体板，单位面积上两面带电量之和为，试求如图所示距左板面距离为a的一点与离右板面距离为b的一点之间的电势差,（2）使球上电荷从零开始增加Q的过程中,外力共作功多少？,（1）当球已带有电荷q时，再将一个电荷元dq从无穷远处移到球上的过程中，外力作功多少？,解：（1）,（2）,13-2 假定从无限远处陆续移来微量电荷使一半径为R的导体球带电。,答：f1 f 2,13-3电量分别为+q、-q的两金属球，半径为R，两球心的距离为d，且d2R，其间的作用力设为f1，另有两个带电量相等的点电荷+q、-q，相距也是d，。</p><p>5、第四章习题解答 仅供参考 第四章习题解答 仅供参考 4 1 若有两个无符号数 xy分别存放在内部存储器 50H 51H 单元中 试编写一个程序实现10 xy 结果存人 52H 53H 两个单元中 习题 4 1 参考答案 ORG 0000H SJMP START ORG 0030H START MOV A 50H MOV B 10 MUL AB 50H x10 积的高 低字节分别在 B A 中 A。</p>