CMOS与非门集成电路

CMOS与非门集成电路Tag内容描述：<p>1、CMOS与非门集成电路设计目录一、实践目的1二、实践要求1三、实验内容1（一）与非门1（二）Tanner Pro EDA工具简介1（三）使用S-Edit设计电路原理图2（四）T-Spice模拟分析7（五）L-Edit版图设计12（六）LVS比较20四、与非门工作曲线分析23（一）直流分析23（二）负载电容瞬态分析26五、实践总结30一、实践目的根据半导体集成电路和VLSI课程所学知识，以及数字电路等课程的知识，使用集成电路工艺完成CMOS与非门单元电路的设计。希望通过此单元电路的全面学习来完全掌握数字集成电路的设计流程，熟练掌握Tanner Pro EDA工具软件的使用。二。</p><p>2、CMOS与非门集成电路设计 目 录 一、实践目的 1 二、实践要求 1 三、实验内容 1 （一）与非门 1 （二）Tanner Pro EDA工具简介 1 （三）使用S-Edit设计电路原理图 2 （四）T-Spice模拟分析 7 （五）L-Edit版图设计。</p><p>3、TTL与非门及CMOS门电路实验,2,北航电工电子中心,实验目的,掌握TTL与非门主要参数及传输特性的测试方法。 了解CMOS非门电路的性能和特点。 熟悉TTL与CMOS器件的互连方法。,3,北航电工电子中心,TTL与非门主要参数,输出高电平UOH 指与非门有一个以上输入端接地或接低电平时的输出电平值。 空载时UOH必须大于标准高电平(USU = 2.4V )，接有拉电流负载时UOH将下降。 测试UOH的电路如图1所示。,图1 输出高电平UOH测试电路,4,北航电工电子中心,TTL与非门主要参数,图2 输出低电平UOL测试电路,输出低电平UOL 指与非门的所有输入端都接高电平的输出。</p><p>4、数字集成电路设计实验报告 数字集成电路设计实验 与非门电路实验 系部名称 电子工程学院 班 级 微电子07 学生姓名 班内序号 学号 一 S EDIT原理图绘制 二 T SPICE 2 1程序 SPICE netlist written by S Edit Win32 7。</p><p>5、带肖特基的T T L 双与非门集成电路的特点 北京东光 电工厂罗嘉谋 T TL数字电路按其工作状态大致可分为饱 和型 和非饱和型电路两种 标准型的 TTL 电路如图 l所 示 即国外的5 4 7 4 系列 是典型的饱和型逻辑电路 在这。</p><p>6、集成电路课程设计题目：四位与非门的电路设计专业：电子科学与技术班级：*学号：*姓名：*指导老师：* 一 课程设计的目的1. 学习Hspice的安装及使用，并通过网表文件来描述模拟电路，了解Hspice的内部元件库。2. 用MOS器件来设计四位逻辑输入与非门电路。二 课程设计内容运用HSPICE仿真软件以及网表文件来设计四位逻辑输入与非门电路。三 实验原理四输入与非门符号图及原理：当输入端A、B、C、D中只要有一个为低电平时，就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；仅当A、B、C、D全为高电平时，才会使四个串联的NMO。</p><p>7、标准分享网 w w w b z f x w c o m 免费下载 标准分享网 w w w b z f x w c o m 免费下载 w w w b z f x w c o m w w w b z f x w c o m 标准分享网 w w w b z f x w c o m 免费下载 w w w b z f x w c o m w w w b z f x w c o m 标准分享网 w w w。</p><p>8、差动放大器4 1 第四章差动放大器 磋估渔榴袭挝汪亦怎天掳演柑黎搜毫书翟边羚庙瞥庄簇屉莹寸谤兆瓷坚饭CMOS集成电路CMOS集成电路 差动放大器4 2 4 1单端与差动的工作方式 单端信号的参考电位为某一固定电位 通常为地电位 差动信号定义为两个结点电位之差 且这两个结点的电位相对于某一固定电位大小相等 极性相反 在差动信号中 中心电位称为 共模 CM 电平 共模电平 差动工作比单端工作有什么优点。</p><p>9、一、选择题 1.戈登摩尔在1965年预测，每个芯片上：个晶体管的数量将每月增加一倍。(二) A.12B.18C.20D.24 2.MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的影响引起的。(三) A.体衬偏置通道长度调制阈下传导 3.在CMOS模拟集成电路的设计中，我们通常让MOS晶体管在该区域工作。(四) A.亚阈值区、深三极管区、三极管区、饱和区 4.一旦金属氧化物半导体管出现，此时金。</p><p>10、实用文档 一 选择题 1 GordonMoore在1965年预言 每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番 B A 12B 18C 20D 24 2 MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的 C A 体B 衬偏C 沟长调制D 亚阈值导通 3 在CMOS模拟集成电。</p><p>11、CMOS集成电路的特点 l 功耗低 CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为零。实际上，由于存在漏电流，CMOS电路尚有微量静态功耗。单个门电路的功耗典型值仅为20mW，动态功耗（在1MHz工作频率时）也仅为几mW。 l 工作电压范围宽 CMOS集成电路供电简单，供电电源体积小，基本上不需稳压。国产CC400。</p><p>12、一、选择题1.GordonMoore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每个月翻一番。（B）A.12B.18C.20D.242. MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的效应产生的。（C）A. 体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在区。（D）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区。</p>