真空技术基础
1.1 气体分子运动论的基本概念 1.2 气体的流动状态和真空抽速 1.3 真空泵简介 1.4 真空的测量。1.1.1 气体分子的运动速度及其分布 气体分子运动论。第一章 薄膜制备的真空技术基础。大部分的现代薄膜材料制备都是在真空或是较低的气压下进行的。
真空技术基础Tag内容描述:<p>1、薄膜材料与技术 Thin Film Materials & Technologies,武涛 副教授 2012年 秋季学期,课程简介,总学时数:24 学时,每周 4 学时,5-10 周,课程性质:材料类专业 院级任选课,学习:薄膜材料的合成制备、形成机制、成分结构、性质性能 掌握:薄膜材料的基本概念、一般规律 和 工艺方法 !,教材:,唐伟忠:薄膜材料制备原理、技术及应用(第2版), 冶金工业出版社,2003,郑伟涛:薄膜材料与薄膜技术(第2版), 化学工业出版社,2008,课程简介,主要参考书: 1、田民波,薄膜技术与薄膜材料,清华大学出版社,2006 2、M.Ohring,薄膜材料科学(。</p><p>2、薄膜制备的真空技术基础,1,1 薄膜制备的真空技术基础,1.1 气体分子运动论的基本概念 1.2 气体的流动状态和真空抽速 1.3 真空泵简介 1.4 真空的测量,薄膜制备的真空技术基础,2,1.1 气体分子运动论的基本概念,固体,液体,气体,薄膜制备的真空技术基础,3,1.1.1 气体分子的运动速度及其分布 气体分子运动论: 气体分子一直处无规热运动; 平均运动速度取决于温度; 分子之间和分子与器壁之间相互碰撞。 结果:气体分子的速度服从一定统计分布, 气体本身对外显示一定的压力。,薄膜制备的真空技术基础,4,理想气体模型: 气体分子之间除相互碰撞的。</p><p>3、第一章 薄膜制备的真空技术基础,大部分的现代薄膜材料制备都是在真空或是较低的气压下进行的,都涉及到气相的产生、输运以及反应的过程。 因此,这一章中,我们先对有关气体的基本性质进行简要的回顾,然后对最常用的真空技术的基础知识进行简单的介绍。,第一章 薄膜制备的真空技术基础,1.1气体分子运动论的基本概念 1.2真空的基本概念 1.3 各类真空泵简介 1.4 真空测量技术 1.5 几种典型真空系统的建立,1.1 气体分子运动论的基本概念,1. 描述气体分子状态的宏观物理量-P、T、V 理想气体:气体分子之间除了相互碰撞的瞬间外,完全不存在相。</p><p>4、第一章 真空技术基础,本章主要内容: 稀薄气体的基本性质 真空的获得 真空的测量 真空的基本知识 真空配件、检测,定义 真空:低于一个大气压的气体状态。 “相对真空”,“绝对真空”? 特点:压强(Pressure)低,分子稀薄, 分子的平均自由程长。,电学特性,输运特性,真空的性质可由压强、单位体积分子个数、 气体的密度等表示,用“真空度”及“压强”两个参量来衡量真空的程度。 帕斯卡(pascal)=1牛/米2,国际单位制 托(Torr)=133.322Pa=1/760atm单位,描述真空的独特单位 此外,mmHg、atm、bar等。,The only one which is legal,Relat。</p><p>5、真空及薄膜基础 我们生产的为非晶硅薄膜太阳能电池 了解PECVD设备及工艺需要对真空镀膜有一个了解 并且对半导体物理及薄膜知识有一定的认识 我们先对薄膜的概念做一个粗略的了解 薄膜 在严格的学术意义上 认为只有聚。</p><p>6、第二章真空技术基础 真空与薄膜材料与技术有何关系 几乎所有的现代薄膜材料制备都需要在真空或较低的气压条件下进行 都涉及真空下气相的产生 输运和反应过程 了解真空的基本概念和知识 掌握真空的获得和测量技术基础知识 是了解薄膜材料制备技术的基础 真空蒸发 溅射镀膜和离子镀等常称为物理气相沉积 PhysicalVaporDeposition PVD 基本的薄膜制备技术 它们均要求沉积薄膜的空间要有一定的。</p><p>7、真空技术基础FundamentalVacuumTechnologyPlan 田永 沈烨 陈路Report 陈路1 真空的介绍2 真空的获得3 真空的测量 真空 这一术语译自拉丁文Vacuo 其意义是虚无 真空应理解为气体较稀薄的空间 在指定的空间内 低于一个大气压力的气体状态统称为真空 自然真空 宇宙空间所自然存在的人为真空 人类利用真空泵抽取所获得的绝对真空 完全没有气体的空间状态相对真空 气体。</p><p>8、真空技术基础及其应用现状,刘甲朋,1,精编课件,一、真空概述,2,精编课件,1643年。伽利略(Galileo Galilei)的弟子托里拆利(Evangelista Torricelli)在意大利佛罗伦萨市(Florence)做了一个著名的实验,将一端密封的长管注满水银并倒置在盛有Hg(汞)的槽里时,发现了密封的玻璃管中760mm水银柱顶端产生的真空。从而证实了大气的压力可支撑760mm汞柱的重。</p>