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文档简介

中华人民共和国国家标准硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法 14146一93of 压测量方法。测量范围为10;1,10;, 方法原理汞探针与硅外延片表面接触，形成一个肖特基势垒在汞探针一与硅外延片之间加一反向偏压，结的势垒宽度向外延层中扩展。结的势垒电容(C)及其随电j (V)的变化率( do/势垒扩展宽度(，)和其相应的载流子浓度C N(x)有如下关系:N (x)二,1)。.2式中:二M;N(x)载流子浓度，,e电子电荷1. 602 X 10-,C;:硅的相对介电常数，值为8. 859 X 10-,F/c m;要测得(,dc/d。和A, ，便可由式(1)和式(2)计算得到势垒扩展宽度二处的N(c)p 1. 15 g/p 1. 45 g/化学纯。阻率大于2 99 % 5氮气，纯度大于99.5%25C )国家技术监督局1993一02一06批准1993一10一0，实施 1 000 精度不低于1。级测垦频率为。11直流电压为,高频交流电压不大于250 精度不低干。5级，出电压为。一200 V，连续可调，电压波动小大11%程为。5标准电容和测量频率卜其精度不低)- n. 2,小分度值为。前后、左右移动。d。的测量误差最大为1_2l;kA/反向电流密度上升速率为3 - 不能进行正常测量时，可对试样表面进行处理。a，用氢氟酸腐蚀试样30、干在温度150试样在温度约450对湿度不大于6500，时电缆应不与标准电容连接)量并记录电容值(量并记录电容值(大面积圆片时，5一1. 0 察试 贫程缓慢地使汞探针与试样表面接触，调节接触面积施加。据电容仪的读数，选择合适的量程6，确调节接触面积。量势垒电容势垒电容值C:降低A% 复6. 6. 6%，直到接近击穿或反向电流密度大士30 1,A/即停比测量66. 8测量完毕，将反向偏压降至零，)刃厂、乙认、飞1U、(、飞(夕、，一入(,!乡U试样上加入反向直流电压，最小取。电压。、和相应的电容己。可以测得，井记入表中。连续取测点(二，C)反向电压升高时、应使其电容仇比前一电容仇小10,/ 至接近击穿，当反向电流密度人3fA/，:.=，可计算得一组值:卜 了12 一一(一，一l卜r 14146一93。，“，。.、)一一少二N二一一e.已。月2.呼.，(6式中;.:一一第!次测m;N(,)一一对应于势垒扩展宽度二，处的载流子浓度,一第!次测量的势垒电容值,，二第+1次测量的势皇电容值,一一第;次和第i+ ;一一第!次测向偏压随势垒电容的变化率，V (;一1,. .z;)值在其平均值周围相对涨落小于10%时，则载流子浓度N (r,)s)对、作图，可得载流子浓度分布曲线7. 2自动测量的计算用1g N(二)一二或N(二)一峡二载流子浓度分布自动记录图可直接表示出侧量结果8精密度载流1001 方法多个实验室测量精密度为土10% (外延片载流子浓度测量点位,测者和检测口期附加
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