晶体管毕业设计论文.doc

摘要电子产品是人类社会生活的重要内容，因此人们一直都在寻求“轻、薄、短、小”的电子产品。因而出现了现在的集成电路，它具有体积小、重量轻、引出线和焊接点少、寿命长、可靠性高、性能好等优点，同时成本低，便于大规模生产。它不仅在工、民用电子设备如收音机、电视机、计算机等方面得到广泛的应用，同时也在军事、通讯、遥控等方面也得到广泛的应用。由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这就使制造像高速电子计算机之类的高精密装置变成了现实。众所周知，电子产品发展的主流和不可阻挡的趋势是“轻、薄、短、小”，这给光刻技术提出的技术方向是不断提高其分辨，即提高可以完成转印图形或者加工图形的最小间距或者宽度，以满足产业发展的需求；另一方面，光刻工艺在整个工艺过程中的多次性使得光刻技术的稳定性、可靠性和工艺性成品率对产品质量、良率和成本有着重要的影响。1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家巴丁博士、布莱顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。这个器件就是在科学史上具有划时代意义的成果晶体管。晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。关键词：晶体管、光刻、集成电路。目录摘要i第一章 引言3第二章 三极管的基本识别方法42.1三极管的识别法42.2判断好坏5第三章 晶体三极管的结构和类型73.1、三极管的叙述73.2、三极管的封装形式和管脚识别73.3、晶体三极管的电流放大作用83.4、电子三极管83.5、mos场效应管93.6、mos场效应晶体管使用注意事项10第四章 三极管的生产工艺流程11第五章 三极管的基本说明135.1、双极型三极管的介绍135.2、三极管的命名方法14第六章 三极管mos管操作规范16第七章 三极管的封装18结束语22致谢23参考文献24第一章 引言随着中国的经济飞速发展，国内外经济日趋变化，每天都不断有新的东西涌现，电子产品就在其列，因而国内外的电子厂商不断推出了新的电子产品，它们越来越小，功能越来越多，这就是电子产品发展的主流和不可阻挡的趋势 “轻、薄、短、小”。“十五”期间，我国电子材料和元器件产业保持了较快增长速度，产业规模进一步扩大，其销售收入、工业增加值、；利润总额等指标均实现了快速增长，成为电子信息产业增长的重要力量。到“十五”末，我国电子材料和元器件产业规模仅此于日本和美国，居全球第三位。随着电子整机向数字化、多功能化和小型化方向发展，电子系统向网络化、高速化和宽带的方向发展，电子材料和元器件技术将发生深刻变化。未来几年，随着下一代互联网、新一代移动通信、数字电视的逐步实现商用，将带动电子材料和新型电子元器件的市场需求，电子材料和元器件产业已进入新一轮的快速增长期。未来几年，世界电子材料和元器件市场将继续保持年均10%左右的增长速度，市场规模将由2005年的5400亿美元增至2010年的9000亿美元。国内市场需求分析；随着综合国力的提高，投入能力不断提升，国家和企业重视程度不断加深。国家科技中长期规划、国民经济和社会发展第十一个五年规划纲要以及信息产业“十一五”规划中重大专项实施，tft-lcd、led等产业的专项扶持政策落实，国家电子信息产业园建设工作不断深入，将为电子基础产品产业的健康发展创造更为有利的宏观环境。未来几年，电子整机产品的更新换代，对电子材料和元器件产业的发展提出了更高的要求。新技术、新产品的开发和产业化所需的技术和资金门槛越来越高，投资风险增大，产品更新换代速度进一步加快，电子信息产业链垂直整合和企业横向整合趋势将更加明显，产业集中度不断提高，国内企业面临严峻挑战。第二章 三极管的基本识别方法晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。2.1、三极管的识别法三极管的管型及管脚的判别是电子技术初学者的一项基本功，为了帮助读者迅速掌握测判方法，总结出四句口诀：“三颠倒，找基极；pn结，定管型；顺箭头，偏转大；测不准，动嘴巴。”下面让我们逐句进行解释吧。2.1.1、三颠倒，找基极大家知道，三极管是含有两个pn结的半导体器件。根据两个pn结连接方式不同，可以分为npn型和pnp型两种不同导电类型的三极管。测试三极管要使用万用电表的欧姆挡，并选择r100或r1k挡位。对于指针式万用电表有，其红表笔所连接的是表内电池的负极，黑表笔则连接着表内电池的正极。假定我们并不知道被测三极管是npn型还是pnp型，也分不清各管脚是什么电极。测试的第一步是判断哪个管脚是基极。这时，我们任取两个电极(如这两个电极为1、2)，用万用电表两支表笔颠倒测量它的正、反向电阻，观察表针的偏转角度；接着，再取1、3两个电极和2、3两个电极，分别颠倒测量它们的正、反向电阻，观察表针的偏转角度。在这三次颠倒测量中，必然有两次测量结果相近：即颠倒测量中表针一次偏转大，一次偏转小；剩下一次必然是颠倒测量前后指针偏转角度都很小，这一次未测的那只管脚就是我们要寻找的基极。2.1.2、pn结定管型找出三极管的基极后，我们就可以根据基极与另外两个电极之间pn结的方向来确定管子的导电类型。将万用表的黑表笔接触基极，红表笔接触另外两个电极中的任一电极，若表头指针偏转角度很大，则说明被测三极管为npn型管；若表头指针偏转角度很小，则被测管即为pnp型。2.1.3、 顺箭头偏转头找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时可以用测穿透电流iceo的方法确定集电极c和发射极e。(1)对于npn型三极管，由npn型三极管穿透电流的流向原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻rce和rec，虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔c极b极e极红表笔，电流流向正好与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。(2)对于pnp型的三极管，道理也类似于npn型，其电流流向一定是：黑表笔e极b极c极红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。2.1.4、 测不出 动嘴巴若在“顺箭头，偏转大”的测量过程中，若由于颠倒前后的两次测量指针偏转均太小难以区分时，就要“动嘴巴”了。具体方法是：在“顺箭头，偏转大”的两次测量中，用两只手分别捏住两表笔与管脚的结合部，用嘴巴含住(或用舌头抵住)基电极b，仍用“顺箭头，偏转大”的判别方法即可区分开集电极c与发射极e。其中人体起到直流偏置电阻的作用，目的是使效果更加明显。2.2、判断好坏晶体三极管是电子电路中最常见的器件之一。但是判定三极管的好坏及极性是初学者常碰到的一个难点。利用数字万用表可以判别三极管的极性和好坏。将数字万用表转到二极管挡时，红表笔代表正电极，用红表笔去接三极管的某一管脚(假设是基极)，用黑笔分别接另外两个管脚，如果表的液晶屏上两次都显示有零点几的数字(锗管为03左右，硅管为07左右)，则此管应为npn管，且红表笔所接的那一个管脚是基极。如果两次所显的为“ol”，则红表笔所接的那一个管脚便是pnp型管的基极。在判别出管子的型号和基极的基础上，可以再判别发射极和集电极。仍用二极管挡。对于npn管，令红表笔接其“b”极，黑表笔分别接另两个脚上，两次测得的极间数字中，其值微高的那一极为“e”极，其值低一些的那极为“c”极。如果是pnp管，令黑表笔接其“b”极，同样所得数据高的为“e”极，数据低一些的为“c”极。例如：用红表笔接c9018的中间那个脚(b极)，黑表笔分别接另外两个管脚，可得0719、0731两个值。其中0719为“b与“c”之间的测试值，0731为“d”与“k”之间的测试值。判别三极管的好坏时，只要查一下三极管各pn结是否损坏，通过数字万用表测量其发射极、集电极的正向电压和反向电压来判定。如果测得的正向电压与反向电压相似且几乎为零，或正向电压为“ol”，说明三极管已经短路或断路。测试的三极管都为to-92封装。只要环境温度在5-35的条件下测试都正确。文中的“ol”是指万用表不能正常显示数字时出现的一固定符号，出现什么样的固定符号，要看是使用什么牌子的万用表而定。如有的万用表则会显示一固定符号“1”。本文数据为采用fluke数字万用表测得。第三章 晶体三极管的结构和类型3.1、三极管的叙述晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的pn结，两个pn结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种，如图从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的pn结叫发射结，集电区和基区之间的pn结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，pnp型三极管发射区发射的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；npn型三极管发射区发射的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是pn结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有pnp型和npn型两种类型。3.2、三极管的封装形式和管脚识别常用三极管的封装形式有金属封装和塑料封装两大类，引脚的排列方式具有一定的规律，对于小功率金属封装三极管，按位置放置，使三个引脚构成等腰三角形的顶点上，从左向右依次为e b c；对于中小功率塑料三极管使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为e b c。目前，国内各种类型的晶体三极管有许多种，管脚的排列不尽相同，在使用中不确定管脚排列的三极管，必须进行测量确定各管脚正确的位置，或查找晶体管使用手册，明确三极管的特性及相应的技术参数和资料。3.3、晶体三极管的电流放大作用晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ic/ib的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。3.3.1、晶体三极管的三种工作状态截止状态：当加在三极管发射结的电压小于pn结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。放大状态：当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数ic/ib，这时三极管处放大状态。饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于pn结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。3.4、电子三极管在弗莱明为改进无线电检波器而发明二极管的同时，美国物理学博士弗雷斯特也在潜心研究检波器。正当他的研究步步深入时，传来了英国的弗莱明发明成功真空二极管的消息，使他大受震动。是改弦易辙还是继续下去呢？他想到弗莱明的二极管可用于整流和检波，但还不能放大电信号。于是，德弗雷斯特又经过两年的研制，终于改进了弗莱明的二极管，作出了新的发明。在二极管的阴极和阳极中间插入第三个具有控制电子运动功能的电极（棚极）。棚极上电压的微弱信号变化，可以调制从阴极流向阳极的电流，因此可以得到与输入信号变化相同，但强度大大增加的电流。这就是德弗雷斯特发明的三极管的“放大”作用。1912年，德弗雷斯特又成功地做了几个三极管的连接实验，得到了比单个三极管大得多的放大能力。很快，德弗雷斯特研制出第一个电子放大器用于电话中继器，放大微弱的电话信号，他是在电话中使用电子产品的第一人。此外，三极管还可振荡产生电磁波，也就是说，所以，国外许多人都将三极管的发明看作是电子工业真正的诞生。3.5、mos场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015）。它也分n沟道管和p沟道管。通常是将衬底（基板）与源极s接在一起。根据导电方式的不同，mosfet又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当vgs=0时管子是呈截止状态，加上正确的vgs后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当vgs=0时即形成沟道，加上正确的vgs时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。以n沟道为例，它是在p型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区n+和漏扩散区n+，再分别引出源极s和漏极d。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。前头方向是从外向电，表示从p型材料（衬底）指身n型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使vgs=0时，沟道电流（即漏极电流）id=0。随着vgs逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的n型沟道，当vgs大于管子的开启电压vtn（一般约为+2v）时，n沟道管开始导通，形成漏极电流id。mos场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（u=q/c），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使g极与s极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。下面介绍检测方法。3.5.1、准备工作测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触mosfet的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。3.5.2、判定电极将万用表拨于r100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极g。交换表笔重测量，s-d之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为d极，红表笔接的是s极。日本生产的3sk系列产品，s极与管壳接通，据此很容易确定s极。3.5.3、 检查放大能力（跨导）将g极悬空，黑表笔接d极，红表笔接s极，然后用手指触摸g极，表针应有较大的偏转。双栅mos场效应管有两个栅极g1、g2。为区分之，可用手分别触摸g1、g2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为g2极。目前有的mosfet管在g-s极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。3.6、mos场效应晶体管使用注意事项：mos场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。mos场效应晶体管由于输入阻抗高（包括mos集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：1. mos器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装。2. 取出的mos器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。3. 焊接用的电烙铁必须良好接地。4. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再mos器件焊接完成后在分开。5. mos器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。6. 电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。7. mos场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。第四章 三极管的生产工艺流程三极管的生产工艺流程：划片固晶打线塑封冲筋去溢料沾锡底筋测试打印包装流程说明：1. 划片：用进口自动化精密设备对硅圆片进行分离切割，切割过程会使用冷却水冷却，根据建设单位介绍，冷却水将循环利用。2. 上芯：用进口全自动化精密仪器对切割后的硅圆片进行粘合铜引线框架。根据建设单位介绍，上芯粘合的工作原理为：粘合工作设备工作温度为450摄氏度，硅圆片北面的金层在高温下融化，然后在铜引线框架和硅圆片之间就形成了金层粘合，工作过程不需外加粘合剂。热源为电加热。3. 焊线：用自动对位设备对粘合后的晶圆片用金线进行焊接，焊接也是通过热熔直接粘合。4. 塑封：用塑料将焊接完的引线框架和晶片金线包封起来。5. 冲筋：用液压动力把铜引线框架的部分固定架的连接冲剪出来。6. 去溢料：用高压水对有溢出塑料的毛刺进行去除。高压水经过过滤系统后，可以循环利用。7. 沾锡：对三极管管脚用封闭式的设备进行表面处理，其方式为工件通过熔融从而表面覆盖锡熔液，沾锡采用全自动设备操作，工作是全封闭进行，设备本身具有排风管，风量为5000m3/hr。沾锡的含量为63%，其余为铅、锌、锑等37%。8. 切筋：对连接各个三极管的底边固定筋进行去除。9. 测试：用电脑自动化参数测试仪对三极管参数进行检测。10. 打印：用激光打印机打印标签，对三极管进行身份标识。11. 包装：对产品按要求分类包装入库。第五章 三极管的基本说明5.1、双极型三极管的介绍：双极结型三极管相当于两个背靠背的二极管 pn 结。正向偏置的 eb 结有空穴从发射极注入基区，其中大部分空穴能够到达集电结的边界，并在反向偏置的 cb 结势垒电场的作用下到达集电区，形成集电极电流 ic 。在共发射极晶体管电路中 , 发射结在基极电路中正向偏置 , 其电压降很小。绝大部分 的集电极和发射极之间的外加偏压都加在反向偏置的集电结上。由于 vbe 很小，所以基极电流约为 ib= 5v/50 k = 0.1ma 。如果晶体管的共发射极电流放大系数 = ic / ib =100, 集电极电流 ic= *ib=10ma。在500的集电极负载电阻上有电压降vrc=10ma*500=5v，而晶体管集电极和发射极之间的压降为vce=5v，如果在基极偏置电路中叠加一个交变的小电流ib，在集电极电路中将出现一个相应的交变电流ic，有c/ib=，实现了双极晶体管的电流放大作用。金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅 g 电压 vg 增大时， p 型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在 n+ 源区 s 和 n+ 漏区 d 之间形成导电沟道。当 vds 0 时，源漏电极之间有较大的电流 ids 流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压 vt 。当 vgsvt 并取不同数值时，反型层的导电能力将改变，在相同的 vds 下也将产生不同的 ids , 实现栅源电压 vgs 对源漏电流 ids 的控制。5.2、晶体管的命名方法晶体管：最常用的有三极管和二极管两种。三极管以符号bg（旧）或（t）表示，二极管以d表示。按制作材料分，晶体管可分为锗管和硅管两种。按极性分，三极管有pnp和npn两种，而二极管有p型和n型之分。多数国产管用xxx表示，其中每一位都有特定含义：如 3 a x 31，第一位3代表三极管，2代表二极管。第二位代表材料和极性。a代表pnp型锗材料；b代表npn型锗材料；c为pnp型硅材料；d为npn型硅材料。第三位表示用途，其中x代表低频小功率管；d代表低频大功率管；g代表高频小功率管；a代表高频大功率管。最后面的数字是产品的序号，序号不同，各种指标略有差异。注意，二极管同三极管第二位意义基本相同，而第三位则含义不同。对于二极管来说，第三位的p代表检波管；w代表稳压管；z代表整流管。上面举的例子，具体来说就是pnp型锗材料低频小功率管。对于进口的三极管来说，就各有不同，要在实际使用过程中注意积累资料。常用的进口管有韩国的90xx、80xx系列，欧洲的2sx系列，在该系列中，第三位含义同国产管的第三位基本相同。型号 材料与极性 pcm(w)icm(ma) bvcbo(v) ft(mhz) 3dg6c si-npn 0.1 20 45 100 3dg7c si-npn 0.5 100 60 100 3dg12c si-npn 0.7 300 40 300 3dg111 si-npn 0.4 100 20 100 3dg112 si-npn 0.4 100 60 100 3dg130c si-npn 0.8 300 60 150 3dg201c si-npn 0.15 25 45 150 c9011 si-npn 0.4 30 50 150 c9012 si-pnp 0.625 -500 -40 c9013 si-npn 0.625 500 40 c9014 si-npn 0.45 100 50 150 c9015 si-pnp 0.45 -100 -50 100 c9016 si-npn 0.4 25 30 620 c9018 si-npn 0.4 50 30 1.1g c8050 si-npn 1 1.5a 40 190 c8580 si-pnp 1 -1.5a -40 200 2n5551 si-npn 0.625 600 180 2n5401 si-pnp 0.625 -600 160 100 2n4124 si-npn 0.625 200 30 300 选用欧姆档的r*100（或r*1k）档，先用红表笔接一个管脚，黑表笔接另一个管脚，可测出两个电阻值，然后再用红表笔接另一个管脚，重复上述步骤，又测得一组电阻值，这样测3次，其中有一组两个阻值都很小的，对应测得这组值的红表笔接的为基极，且管子是pnp型的；反之，若用黑表笔接一个管脚，重复上述做法，若测得两个阻值都小，对应黑表笔为基极，且管子是npn型的。判别集电极因为三极管发射极和集电极正确连接时大（表针摆动幅度大），反接时就小得多。因此，先假设一个集电极，用欧姆档连接，（对npn型管，发射极接黑表笔，集电极接红表笔）。测量时，用手捏住基极和假设的集电极，两极不能接触，若指针摆动幅度大，而把两极对调后指针摆动小，则说明假设是正确的，从而确定集电极和发射极。 第六章 三极管mos管操作规范三极管mos管操作规范：1、 静电手环，静电手套和口罩要戴好，接触芯片或接触上芯后框架时尤其要注意。（备注：装配车间操作人员和中检qc必须戴有线的防静电手环，戴防静电手套或手指套，手套要干净且不能碰到芯片，只戴手指套时要戴上至少三个手指套拇指、食指、中指，进入装配车间的人员戴口罩时必须遮住口鼻。）2、 所有mos芯片来料，iqc全部进行外观检验。如检出有不良芯片（如划伤），iqc把不良芯片独立存放并盖上待处理章。出份来料异常报告给客户；市场部把客户回传信息以书面形式移交质量部文员，文员再移交iqc， 并由iqc负责把不良芯片用墨笔点掉后盖上合格章并通知仓管员，再由仓管员通知装配车间领片，进行划片并生产。 (注:iqc须把每异常片不良数量一一填写到每片芯片卡上，仓管员在点数时必须戴口罩)。划片时的防静电和防沾污措施要做好，车间安排专人在显微镜下全检划好的芯片，看有无沾污等异常，并在蓝膜上写上自己的名字，如有沾污：一定要及时再次清洗。质量部巡检每隔1个小时到划片房全检划好的芯片，并监控积压，每个品种划好片的积压不能超过8片。3、 划片房机台、放芯片的桌子(下面的架子)、贴蓝膜的桌子、洗片台、芯片柜、氮气柜、上芯焊线机台要每班清洁并要有记录质量部要对此进行检查。对上芯设备的保养应做到：（1）吸嘴清洗2次/机/班；（2）压模头清洗3次/机/班；（3）轨道清洗1次/机/月。对焊线设备的保养应做到：（1）劈刀清洗1次/机/班；（2）轨道清洗1次/机/月并做记录。4、 上芯工序按各产品加工规范上工艺要求做，品质要求按质量部文件要求为准。换框架遵循先进先出原则。5、 mos管焊线顺序要求先焊粗线径铝线，后焊细线径铝线。自动机台焊完最后一根线应隔行放，即每个料盒装15条产品，半自动机或手动机则不管焊那一条线都要隔行放。6、 焊线过程和完工后车间要安排自检，看有无脱口脱球，未焊线，焊线短路或拉力不够的异常(手法要经技术质量部确认)，并且每条mos管须吹氮气，确保芯片表面无铝渣。7、 上芯完工后6小时内完成焊线(焊4条铝线);4小时内完成焊线(焊2条铝线)并且上芯待焊线不能超过2批积压，焊不同线径工序之间不能有超过2批的积压，正在上芯或正在焊线的那一批不计入。8、 上芯后在任何工序料盒都要反放（正在作业不能反放的除外），即芯片在框架的下方，达到防沾污的目的。9、 mos管要求用自动机切筋，机台须有离子风机吹风且操作工戴防静电指套或防静电手套、有线静电手环。10、 用自动电镀线电镀，保证电镀外观良好。11、 塑封移交测试时，要求测试车间进行点数并签收。防止过多损耗。12、 测试、打印、包装员工及qc戴防静电指套或防静电手套、防静电手环。13、 在生产过程中，质量部要按文件规定，对生产过程中的所有异常有准确的判定和有力的监控。mos管的特性、工作原理，与真空电子管类似：栅极没有电流，即没有输入电流，具有高输入阻抗；漏极电流由栅极电压控制，是电压控制器件工作特性：1、三极管用电流控制，mos管属于电压控制，2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。3、功耗问题：三极