标准解读
《GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法》是中国国家标准之一，该标准规定了碳化硅单晶片表面平整度的测量方法。其主要适用于直径不小于2英寸（约50.8毫米）且厚度不超过635微米的碳化硅单晶片。
根据此标准，平整度定义为样品表面上任意两点间最大高度差值。标准中推荐使用接触式或非接触式的轮廓仪作为主要检测工具，并对这些仪器的操作条件进行了详细说明，比如环境温度应控制在23±2℃范围内，相对湿度保持在45%～75%之间等。
对于具体的测试步骤，《GB/T 32278-2015》给出了详细的指导：首先需要清洁待测样品表面，然后将样品放置于指定位置进行固定；接着按照选定的方法调整好设备参数后开始扫描整个表面；最后通过分析获得的数据来计算出样品的最大峰谷值即为其平整度。
此外，该标准还提供了不同尺寸规格下碳化硅单晶片的平整度要求以及如何处理异常数据等方面的指导信息。例如，在某些情况下如果发现有明显缺陷或者污染点影响到了最终结果，则需排除这部分数据再重新计算平均值。
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- 现行
- 正在执行有效
- 2015-12-10 颁布
- 2017-01-01 实施
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文档简介
ICS77040 H 21 . 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T322782015 碳化硅单晶片平整度测试方法 Testmethodforflatnessofmonocrystallinesiliconcarbidewafers2015-12-10发布 2017-01-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发 布 中 国 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 GB/T322782015 前 言 本标准按照 给出的规则起草 GB/T1.12009 。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 与全国半导体设备和材料标准 (SAC/TC203)化技术委员会材料分会 共同提出并归口 (SAC/TC203/SC2) 。 本标准起草单位 北京天科合达蓝光半导体有限公司 中国科学院物理研究所 : 、 。 本标准主要起草人 陈小龙 郑红军 张玮 郭钰 : 、 、 、 。 GB/T322782015 碳化硅单晶片平整度测试方法1 范围 本标准规定了碳化硅单晶抛光片的平整度 即总厚度变化 局部厚度变化 弯曲度 , (TTV)、 (LTV)、 翘曲度 的测试方法 (Bow)、 (Warp) 。 本标准适用于直径为 厚度 碳化硅单晶抛光片平整 50.8mm、76.2mm、100mm, 0.13mm1mm 度的测试 。2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改单 适用于本文件 。 , ( ) 。 半导体材料术语 GB/T14264 洁净厂房设计规范 GB50073 3 术语和定义 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 GB/T14264 。31 . 局部厚度变化 localthicknessvariation LTV ; 以晶片的底平面为参考面 晶片表面特定 面积 区域内厚度最高点 最大值 和最低点 最小值 之 , ( ) ( ) ( ) 间的差 晶片的 指整片上所有测试区域 的最大值 示意图见图 。 LTV LTV , 1。 图 1 局部厚度变化 LTV 示意图 ( )4 方法提要 一束平行光被分光镜 棱镜 分为两束光 其中一束经过固定的反射镜形成参考光 另一束经过移动 ( ) , , 的反射镜形成
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