电容电感的选择及EMI中的应用.doc

电容电感的选择及EMI中的应用电容电感的选择及EMI中的应用电容电感的选择及EMI中的应用电容电感的选择及EMI中的应用云母电容：用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。它的特点是介质耗费小，绝缘电阻大年夜、温度系数小，合实用于高频电路。陶瓷电容：用陶瓷做介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜做极板制成。它的特点是体积小，耐热性好、耗费小、绝缘电阻高，但容量小，合实用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大年夜，然则耗费和温度系数较大年夜，合实用于低频电路。薄膜电容：构造和纸介电容雷同，介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介电常数较高，体积小，容量大年夜，稳定性较好，合适做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容，介质耗费小，绝缘电阻高，然则温度系数大年夜，可用于高频电路。金属化纸介电容构造和纸介电容基本相同。它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔，体积小，容量较大年夜，一般用在低频电路中。油浸纸介电容：它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能加强它的耐压。它的特点是电容量大年夜、耐压高，然则体积较大年夜。铝电解电容：它是由铝圆筒做负极，里面装有液体电解质，插入一片曲折的铝带做正极制成。还须要经过直流电压处理，使正极片上构成一层氧化膜做介质。它的特点是容量大年夜，然则漏电大年夜，稳定性差，有正负极性，合实用于电源滤波或低频电路中。应用的时刻，正负极不要接反。钽、铌电解电容：它用金属钽或铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌外面生成的氧化膜做介质制成。它的特点是体积小、容量大年夜、机能稳定、寿命长、绝缘电阻大年夜、温度特点好。用在请求较高的设备中。半可变电容：也叫做微调电容。它是由两片或两组小型金属弹片，中心夹着介质制成。疗养的时刻改变两片之间的距离或面积。它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。可变电容：它由一组定片和一组动片构成，它的容量跟着动片的迁移转变可以持续改变。把两组可变电容装在一路同轴转动，叫做双连。可变电容的介质有空气和聚苯乙烯两种。空气介质可变电容体积大年夜，耗费小，多用在电子管收音机中。聚苯乙烯介质可变电容做成密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中。NPO(COG)：电气机能最稳定，基本上不随温度、电压与时光的改变面改变，实用于对稳定性请求高的高频电路；X7R(2X1)：电气机能较稳定,在温度、电压与时光改变时机能的变更其实不明显，实用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性请求不太高的鉴频电路，因为X7R是一种强电介质，因面能造出容量比NPO介质更大年夜的电容器；Y5V(2F4)(Z5U)：具有较低高的介电常数，常常应用于临盆比容较大年夜的、标称容量较高的大年夜容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差，容量、耗费对温度，电压等测试前提较敏感。1.14.1、退藕电容的一班设备原则电源输入端跨接一个10100uF的电解电容器，假如印制电路板的地位许可，采取100uF以上的电解电容器的抗干扰后果会更好。为每个集成电路芯片设备一个0.01uF的陶瓷电容器。如碰到印制电路板空间小而装不下时，可每410个芯片设备一个110uF钽电解电容器，这类器件的高频阻抗特别小，在500kHz20MHz范围内阻抗小于1?，并且漏电流很小(0.5uA以下)。对噪声才能弱、关断时电流变更大年夜的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。去耦电容的引线不克不及太长，特别是高频旁路电容不克不及带引线。在印制板中有接触器、继电器、按钮等元件时.操作它们时均会产生较大年夜火花放电，必须RC电路来吸收放电电流。一般R取12K，C取2.247UF。CMOS的输入阻抗很高，且易受感应，是以在应用时对不消端要接地或接正电源。设计时应断定应用高频低频中频三种去耦电容，中频与低频去耦电容可根据器件与PCB功耗决定,可分别选47-1000uF和470-3300uF；高频电容计算为：C=P/V*V*F。每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。用大年夜容量的钽电容或聚酷电容而不消电解电容作电路充放电储能电容。应用管状电时，外壳要接地。因为大年夜部分能量的交换也是重要集中于器件的电源和地引脚，而这些引脚又是自力的直接和地电平面相连接的。如许，电压的波动实际上主如果因为电流的不公道分布引发。但电流的分布不公道主如果因为大年夜量的过孔和隔离带酿成的。这类情况下的电压波动将重要传输和影响到器件的电源和地线引脚上。为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应当为集成电路芯片添加去耦电容。这可以有效去除电源上的毛刺的影响并削减在印制板上的电源环路的辐射。当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电源层上时，其腻滑毛刺的后果最好。这就是为甚么有一些器件插座上带有去耦电容，而有的器件请求去耦电容距器件的距离要足够的小。1.14.2、设备电容的经验值好的高频去耦电容可以去除高到1GHZ的高频成分。陶瓷片电容或多层陶瓷电容的高频特点较好。设计印刷线路板时，每个集成电路的电源，地之间都要加一个去耦电容。去耦电容有两个感化：一方面是本集成电路的蓄能电容，供给和接收该集成电路开门关门刹时的充放电能；另外一方面旁路掉落该器件的高频噪声。数字电路中典范的去耦电容为0.1uf的去耦电容有5nH分布电感，它的并行共振频率大年夜约在7MHz阁下，也就是说对10MHz以下的噪声有较好的去耦感化，对40MHz以上的噪声几近不起感化。1uf，10uf电容，并行共振频率在20MHz以上，去除高频率噪声的后果要好一些。在电源进入印刷板的地方放一个1uf或10uf的去高频电容常常是有益的，即便是用电池供电的体系也须要这类电容。每10片阁下的集成电路要加一片充放电电容，或称为蓄放电容，电容大年夜小可选10uf。最好不消电解电容，电解电容是两层溥膜卷起来的，这类卷起来的构造在高频时表示为电感，最好应用胆电容或聚碳酸酝电容。去耦电容值的拔取其实不严格，可按C=1/f计算；即10MHz取0.1uf。因为不论应用如何的电源分派规划，全部体系会产生足够导致问题产生的噪声，额外的过滤办法是必须的。这一义务由旁路电容完成。一般来讲，一个1uf-10uf的电容将被放在体系的电源接入端，板上每个设备的电源脚与地线脚之间应放置一个0.01uf-0.1uf的电容。旁路电容就是过滤器。放在电源接入端的大年夜电容(约10uf)用来过滤板子产生的低频(比如60hz线路频率)。板上工作中的设备产生的噪声会产生从100mhz到更高频率间的合共振(harmonics)。每个芯片间都要放置旁路电容，这些电容比较小，大年夜约0.1u阁下。电容器是电路中最基本的元件之一，应用电容滤除电路上的高频骚扰和对电源解耦是所有电路设计人员都熟悉的。然则，跟着电磁干扰问题的日趋凸起，特别是干扰频率的日趋进步，因为不懂得电容的基本特点而达不到预期滤波后果的工作时有产生。本文介绍一些轻易被忽视的影响电容滤波机能的参数及应用电容器克制电磁骚扰时须要留意的事项。1电容引线的感化在用电容克制电磁骚扰时，最轻易忽视的问题就是电容引线对滤波后果的影响。电容器的容抗与频率成反比，恰是应用这一特点，将电容并联在旌旗灯号线与地线之间起到对高频噪声的旁路感化。但是，在实际工程中，很多人发明这类方法其实不克不及起到预期滤除噪声的后果，面对固执的电磁噪声束手无策。出现这类情况的一个启事是忽视了电容引线对旁路后果的影响。实际电容器的电路模型如图1所示，它是由等效电感(ESL)、电容和等效电阻(ESR)构成的串连网络。图1实际电容器的等效电路幻想电容的阻抗是跟着频率的升高降低，而实际电容的阻抗是图1所示的收集的阻抗特点，在频率较低的时刻，浮现电容特点，即阻抗随频率的增长而降低，在某一点产生谐振，在这点电容的阻抗等于等效串连电阻ESR。在谐振点以上，因为ESL的感化，电容阻抗跟着频率的升高而增长，这是电容浮现电感的阻抗特点。在谐振点以上，因为电容的阻抗增长，是以对高频噪声的旁路感化减弱，乃至消掉。电容的谐振频率由ESL和C合营决定，电容值或电感值越大年夜，则谐振频率越低，也就是电容的高频滤波后果越差。ESL除与电容器的种类有关外，电容的引线长度是一个十分重要的参数，引线越长，则电感越大年夜，电容的谐振频率越低。是以在实际工程中，要使电容器的引线尽可能短，电容器的精确安装方法和不精确安装方法如图2所示。图2滤波电容的精确安装方法与缺点安装方法根据LC电路串连谐振的道理，谐振点不但与电感有关，还与电容值有关，电容越大年夜，谐振点越低。许多人认为电容器的容值越大年夜，滤波后果越好，这是一种误会。电容越大年夜对低频干扰的旁路后果固然好，但是因为电容在较低的频率产生了谐振，阻抗开端随频率的升高而增长，是以对高频噪声的旁路后果变差。表1是不合容量瓷片电容器的自谐振频率，电容的引线长度是1.6mm(你应用的电容的引线有这么短吗?)。表1电容值自谐振频率(MHz)电容值自谐振频率(MHz)1mF 1.7820pF38.5 0.1mF4680pF42.5 0.01mF 12.6560pF45 3300pF 19.3470pF49 1800pF 25.5390pF54 1100pF33330pF60固然从滤除高频噪声的角度看，电容的谐振是不欲望的，然则电容的谐振其实不是老是有害的。当要滤除的噪声频率确准时，可以经由过程调剂电容的容量，使谐振点正好落在骚扰频率上。2.温度的影响因为电容器中的介质参数遭到温度变更的影响，是以电容器的电容值也跟着温度变更。不合的介质随着温度变更的规律不合，有些电容器的容量当温度升高时会减小70%以上，常常应用的滤波电容为瓷介质电容，瓷介质电容器有超稳定型：COG或NPO，稳定型：X7R，和通用型：Y5V或Z5U三种。不合介质的电容器的温度特点如图2所示。图3不合介质电容器的温度特点从图中可以看到，COG电容器的容量几近随温度没有变更，X7R电容器的容量在额定工作温度范围变化12%以下，Y5V电容器的容量在额定工作温度范围内变更70%以上。这些特点是必须留意的，不然会出现滤波器在高温或低温时机能变更而导致设备产生电磁兼容问题。COG介质固然稳定，但介质常数较低，一般在10100，是以当体积较小时，容量较小。X7R的介质常数高很多，为20004000，是以较小的体积能产生较大年夜的电容，Y5V的介质常数最高，为500025000。很多人在选用电容器时，单方面寻求电容器的体积小，这类电容器的介质固然具有较高的介质常数，但温度稳定性很差，这会导致设备的温度特点变差。这在选用电容器时要特别留意，特别是在军用设备中。3.电压的影响电容器的电容量不但跟着温度变更，还会跟着工作电压变更，这一点在实际工程必须留意。不合介质材料的电容器的电压特点如图3所示。从图中可以看出，X7R电容器在额定电压状况下，其容量降为原始值的70%，而Y5V电容器的容量降为原始值的30%！懂得了这个特点，在选用电容时要在电压或电容量上留出余量，不然在额定工作电压状况下，滤波器会达不到预期的后果。图4电容器的电压特点综合推敲温度和电压的影响时，电容的变更如图4所示。图5电容器的温度/电压特点5.穿心电容的应用在实际工程中，要滤除的电磁噪声频率常常高达数百MHz，乃至超越1GHz。对如许高频的电磁噪声必须应用穿心电容才能有效地滤除。通俗电容之所以不克不及有效地滤除高频噪声，是因为两个启事，一个原因是电容引线电感造成电容谐振，对高频旌旗灯号浮现较大年夜的阻抗，减弱了对高频旌旗灯号的旁路感化；另外一个原因是导线之间的寄生电容使高频旌旗灯号产生耦合，降低了滤波后果，如图5所示。图6通俗电容在高频滤波中的问题穿心电容之所以能有效地滤除高频噪声，是因为穿心电容不但没有引线电感造成电容谐振频率太低的问题，并且穿心电容可以直接安装在金属面板上，应用金属面板起到高频隔离的感化。然则在应用穿心电容时，要留意的问题是安装问题。穿心电容最大年夜的弱点是怕高平和温度冲击，这在将穿心电容往金属面板上焊接时造成很大年夜艰苦。很多电容在焊接过程中产生破坏。特别是当须要将大年夜量的穿心电容安装在面板上时，只要有一个破坏，就很难修复，因为在将破坏的电容拆下时，会造成附近其它电容的破坏。跟着电子设备复杂程度的进步，设备内部强弱电混淆安装、数字逻辑电路混淆安装的情况愈来愈多，电路模块之间的互相骚扰成为严重的问题。解决这类电路模块互相骚扰的方法之一是用金属隔离舱将不合性质的电路隔离开。然则所有穿过隔离舱的导线要经由过程穿心电容，不然会造成隔离掉效。当不合电路模块之间有大年夜量的联线时，在隔离舱上安装大年夜量的穿心电容是十分艰苦的工作。为懂得决这个问题，国外很多厂商开辟了滤波阵列板，这是用特别工艺事前将穿心电容焊接在一块金属板构成的器件，应用滤波阵列板可以或许轻而易举地解决大年夜量导线穿过金属面板的问题。然则这类滤波阵列板的价格常常较高，每针的价格约30元。1999年，北京天亦通公司开辟成功了TLZ1系列滤波阵列板(专利申请中)。这类滤波阵列板的滤波机能接近国外产品，但价格仅为国外产品的1/10以下。TLZ1系列滤波阵列板的密度是标准2.54mm，可以直接与扁平电缆插座合营，便于安装，可广泛用于电子设备的滤波隔离(图6)。图7滤波阵列板用于电路隔离%电感%在电子设备的PCB板电路中会大年夜量应用感性元件和EMI滤波器元件。这些元件包含片式电感和片式磁珠，以下就这两种器件的特点进行描述并分析他们的通俗应用处合和特别应用处合。外面贴装元件的好处在于小的封装尺寸和可以或许满足实际空间的请求。除阻抗值，载流才能和其他类似物理特点不合外，通孔接插件和外面贴装器件的其他机能特点基本相同。片式电感在须要应用片式电感的场合，请求电感实现以下两个基本功能：电路谐振和扼流电抗。谐振电路包含谐振产生电路，振荡电路，时钟电路，脉冲电路，波形产生电路等等。谐振电路还包含高Q带通滤波器电路。要使电路产生谐振，必须有电容和电感同时存在于电路中。在电感的两端存在寄生电容，这是由于器件两个电极之间的铁氧体本体相当于电容介质而产生的。在谐振电路中，电感必须具有高Q，窄的电感误差，稳定的温度系数，才能达到谐振电路窄带，低的频率温度漂移的请求。高Q电路具有尖利的谐振峰值。窄的电感偏置包管谐振频率误差尽可能小。稳定的温度系数包管谐振频率具有稳定的温度变更特点。标准的径向引出电感和轴向引出电感和片式电感的差别仅仅在于封装不一样。电感构造包含介质材料(通常为氧化铝陶瓷材料)上绕制线圈，或空心线圈和铁磁性材料上绕制线圈。在功率应用处合，作为扼流圈应用时，电感的重要参数是直流电阻(DCR),额定电流，和低Q值。算作为滤波器应用时，欲望宽带宽特点，是以，其实不须要电感的高Q特点。低的DCR可以包管最小的电压降，DCR定义为元件在没有交流旌旗灯号下的直流电阻。片式磁珠片式磁珠的功能主如果清除存在于传输线构造(PCB电路)中的RF噪声,RF能量是叠加在直流传输电平上的交换正弦波成分，直流成分是须要的有效旌旗灯号,而射频RF能量倒是无用的电磁干扰沿着线路传输和辐射(EMI)。要清除这些不须要的旌旗灯号能量，应用片式磁珠扮演高频电阻的角色(衰减器)，该器件许可直流旌旗灯号经由过程，而滤除交换旌旗灯号。平日高频旌旗灯号为30MHz以上，但是，低频旌旗灯号也会遭到片式磁珠的影响。片式磁珠由软磁铁氧体材料构成，构成高体积电阻率的独石构造。涡流耗费同铁氧体材料的电阻率成反比。涡流耗费随旌旗灯号频率的平方成正比。应用片式磁珠的好处：小型化和轻量化在射频噪声频率范围内具有高阻抗，清除传输线中的电磁干扰。闭合磁路构造，更好地清除旌旗灯号的串绕。极好的磁樊篱构造。降低直流电阻，以避免对有效旌旗灯号产生过大年夜的衰减。明显的高频特点和阻抗特点(更好的清除RF能量)。在高频放大年夜电路中清除寄生振荡。有效的工作在几个MHz到几百MHz的频率范围内。要精确的选择磁珠，必须留意以下几点：1、不须要的旌旗灯号的频率范围为若干；2、噪声源是谁；3、须要多大年夜的噪声衰减；4、情况前提是甚么(温度，直流电压，构造强度)；5、电路和负载阻抗是若干；6、是不是有空间在PCB板上放置磁珠；前三条经由过程不雅察厂家供给的阻抗频率曲线便可以断定。在阻抗曲线中三条曲线都异常重要，即电阻，感抗和总阻抗。总阻抗经由过程ZR22fL()2+：=fL来描述。典范的阻抗曲线以下图所示：经由过程这一曲线，选择在欲望衰减噪声的频率范围内具有最大年夜阻抗而在低频和直流下旌旗灯号衰减尽可能小的磁珠型号。片式磁珠在过大年夜的直流电压下，阻抗特点会遭到影响，别的，假如工作温升太高，或外部磁场过大年夜，磁珠的阻抗都邑遭到晦气的影响。应用片式磁珠和片式电感的启事：是应用片式磁珠照样片式电感重要还在于应用。在谐振电路中须要应用片式电感。而须要清除不须要的EMI噪声时，应用片式磁珠是最佳的选择。片式磁珠和片式电感的应用处合：片式电感：射频(RF)和无线通信，信息技巧设备，雷达检波器，汽车电子，蜂窝德律风，寻呼机，音频设备，PDAs(小我数字助理)，无线遥控体系和低压供电模块等。片式磁珠：时钟产生电路，模仿电路和数字电路之间的滤波，I/O输入/输出内部连接器(比如串口，并口，键盘，鼠标，长途电信，本地局域网)，射频(RF)电路和易受干扰的逻辑设备之间，供电电路中滤除高频传导干扰，计算机，打印机，录相机(VCRS),电视体系和手提德律风中的EMI噪声遏止。铁氧体在克制电磁干扰中的应用用铁氧体磁性材料克制电磁干扰(EMI)是经济简便而有效的方法，已广泛应用于计算机等各类军用或平易近用电子设备。那么甚么是铁氧体呢?若何选择，如何应用铁氧体元件呢?这篇文章将对这些问题作一扼要介绍。1、甚么是铁氧体克制元件铁氧体是一种立方晶格构造的亚铁磁性材料，它的制造工艺和机械机能与陶瓷类似。但色彩为黑灰色，故又称黑磁或磁性瓷。铁氧体的分子构造为MOFe2O3，个中MO为金属氧化物，平日是MnO或ZnO。衡量铁氧体磁性材料磁机能的参数有磁导率，饱和磁通密度Bs，剩磁Br和矫顽力Hc等。对克制用铁氧体材料，磁导率和饱和磁通密度Bs是最重要的磁性参数。磁导率定义为磁通密度随磁场强度的变更率。=B/H对一种磁性材料来讲，磁导率不是一个常数，它与磁场的大年夜小、频率的高低有关。当铁氧体遭到一个外磁场H感化时，例如当电流流经绕在铁氧体磁环上的线圈时，铁氧体磁环被磁化。跟着磁场H的增长，磁通密度B增长。当磁场H场加到必定值时，B值趋于安稳。这时候称作饱和。对软磁材料，饱和磁场H只有十分之几到几个奥斯特。跟着饱和的接近，铁氧体的磁导率敏捷降低并接近于空气的导磁率(相对磁导率为1)如图1所示。图1铁氧体的B-H曲线铁氧体的磁导率可以表示为复数。实数部分代表无功磁导率，它构成磁性材料的电感。虚数部分代表耗费，如图2所示。=-j图2铁氧体的复数磁导率磁导率与频率的关系如图3所示。在必定的频率范围内值(在某一磁场下的磁导率)保持不变，然后随频率的升高磁导率有一最大年夜值。频率再增长时，敏捷降低。代表材料耗费的虚数磁导率在低频时数值较小，跟着频率增长，材料的耗费增长，增长。如图3所示，图中tan=/图3铁氧体磁导率与频率的关系图4铁氧体克制元件的等效电路(a)和阻抗矢量图(b)2、铁氧体克制元件的阻抗和插入耗费当铁氧体元件用在交换电路时，铁氧体元件是一个有耗费的电感器，它的等效电路可视为由电感L和耗费电阻R构成的串连电路，如图4所示。铁氧体元件的等效阻抗Z是频率的函数Z(f)=R(f)+jL(f)=K(f)+jK(f)式中：K是一个常数，与磁芯尺寸和匝数有关，为角频率。耗费电阻R和感抗jL都是频率的函数，图5是材料850磁珠的阻抗、感抗和电阻与频率的关系。在低频端(10MHz)阻抗小于1 0?，跟着频率的增长，因为电阻分量增长，使阻抗增长，电阻逐步成为重要部分。在频率超越100M Hz时，磁珠的阻抗将大年夜于100?。如许就构成一个低通滤波器，使高频噪音旌旗灯号有大年夜的衰减，而对低频有效旌旗灯号的阻抗可以忽视，不影响电路的正常工作。这类滤波器优于通俗纯电抗滤波器。后者会产生谐振，造成新的干扰，而铁氧体磁珠则没有这类现象。图5铁氧体的阻抗与频率的关系铁氧体克制元件应用时的等效电路如图6所示。图中Z为克制元件的阻抗，Zs和ZL分别为源阻抗和负载阻抗，Z为铁氧体克制元件的阻抗。平日常应用插入耗费表示克制元件对EMI旌旗灯号的衰减才能。器件的插入耗费越大年夜，表示器件对EMI噪音克制才能越强。图6铁氧体克制元件应用电路插入耗费的定义为式中：P1、V1分别为克制元件接入前，负载上的功率和电压。P2、V2分别为克制元件接入后，负载上的功率和电压。插入耗费和克制元件的阻抗有以下关系：由上式可见，在源阻抗和负载阻抗一准时克制元件的阻抗越大年夜，克制后果越好。因为克制元件的阻抗是频率的函数，所以插入耗费也是频率的函数。克制元件的阻抗包含感抗和电阻部分，两部分对插入耗费都有供献。在低频时，铁氧体的的值较小，耗费电阻较小，主如果感抗起感化。在高频端，铁氧体的值开端降低，而值增大年夜，所以耗费起重要感化。低频时，EMI旌旗灯号被反射而遭到克制，在高频端，EMI旌旗灯号被接收并转换成热能。3、铁氧体克制元件的应用铁氧体克制元件广泛应用于PCB，电源线和数据线上。1、铁氧体克制元件在PCB上的应用EMI设计的重要方法是抑源法，即在PCB上的EMI源将EMI克制掉落。这个设计思惟是将噪音限制在小的区域，避免高频噪音耦合到其他电路，而这些电路经由过程连线可能产生更强的辐射。PCB上的EMI源来自周期开关的数字电路。其高频电流在电源线和地之间产生一个共模电压降，造成共模干扰。电源线或旌旗灯号线会将IC开关的高频噪声传导或辐射出去。在电源线和地之间加一个去耦电容，使高频噪音短路，然则去耦电容常常会引起高频谐振，造成新的干扰。在电路板的电源进口加上铁氧克制磁珠会有效的将高频噪音衰减掉落。2、铁氧体克制元件在电源线上的应用电源线会把外界电网的干扰、开关电源的噪音传到主机。在电源的出口和PCB电源线的进口设置铁氧体克制元件，既可克制电源与PCB之间的高频干扰的传输，也可抑P CB之间高频噪音的互相干扰。值得留意的是，在电源线上应用铁氧体元件时有DC偏流存在。铁氧体的阻抗和插入耗费跟着DC偏流的增长而削减。当偏流增长到必定值时，铁氧体克制元件会出现饱和现象。在EMC设计时要推敲饱和或插入耗费降低的问题。铁氧体的磁导率越低，插入耗费受DC偏流的影响越小，越不轻易饱和。所以用在电源线上的铁氧体克制元件，要选择磁导率低的材料和横截面积大年夜的元件。当偏流较大年夜时，可将电源的出线(AC的前哨，DC的十线)与回线(AC的中线，DC的地线)同时穿入一个磁管。如许可避免饱和，但这类方法只克制共模噪音。3、铁氧体克制元件在旌旗灯号线上的应用铁氧体克制元件最常常应用的地主就是旌旗灯号线，例如在计算机中，EMI旌旗灯号