《电子电路教学资料》习题课1-2章-概念.pptx

模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室1 第一章 集成电路元、器件基础 二极管：特性，用途，交流直流电阻 三极管：特性曲线，工作区，电流间关系，微变等效模型 FET：各种类型的FET特性曲线，特性方程 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室2 二极管的伏安特性曲线： U I 死区电压 硅管 0.6V,锗管0.2V。 导通压降: 硅 管0.60.8V,锗 管0.20.3V。 反向击穿 电压VBR 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室3 二极管的电阻 直流等效电阻 RD： 交流（动态）电阻 rd： 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室4 共射（共E）BJT工作原理 以发射极（E极）作为公共端，EB结正偏，CB结反偏。 令： 则： 是共射BJT输出交流短路下的交流电流增益 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室5 共射BJT的伏安特性曲线 共射BJT的输出特性曲线 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室6 IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V)36912 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域中 : IB=0,IC=ICEO,VBEV(BR)后，iC开始剧增的区域， iB=0对应的V(BR)为V(BR)CEO； iE=0对应的V(BR)为V(BR)CBO； V(BR)CBOV(BR)CEO。 输出特性上的击穿都是集电结雪崩击穿。 参见 P12 图1.3.4 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室8 3. 饱和区IC(mA ) 1 2 3 4 VCE(V)36 9 12 IB=0 20A 40A 60A 80A 100A 此区域中VCEVBE,集电结正 偏，IBIC，VCE0.3V称为 饱和区。 vCE0 vCEvBE 发射结合适正偏 集电结反偏 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室10 混合型等效电路及等效参数 小信号等效模型是在小信号条件下，描述BJT极间交流 （动态）电压与电流关系的线性电路。 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室11 考虑沟道长度调制效应以后的JFET大信号特性方程： N沟道JFET： P沟道JFET： 上面两式适用于耗尽型JFET工作在恒流区。 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室12 第二章 模拟集成基本单元电路基础 直流交流通路分析方法 电流源：输出电流、输出电阻 三种组态放大电路：共射、共基、共集，共源、共栅、共漏 Ri, Ro, Av, 微变等效电路 差动放大器：（差模、共模）Rid, Rod, Avd, Ric, Roc, Acc, 乙类推挽放大器：工作原理，Po, Pe, 效率 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室13 直流通路通常的计算方法： 直流通路的计算主要用于确定半导体器件的工作点，从而为 进一步的小信号分析提供依据。 一般来说，计算工作点是通过近似的方法得到的，通常可以 近似（必须是在可以近似的条件下）的有： 二极管的PN结正向导通电压：0.60.7V 稳压管的两端的电压：稳压值 三极管的BE结正向导通电压：0.60.7V 三极管的Ib电流：忽略 三极管的Ie和Ic：近似相等 FET的栅级流入的电流：忽略 对于BJT，根据偏置（电阻和电流源）计算出三极管的Ic。 对于FET，根据偏置（Id, Vgs的传输方程）计算出Id, Vgs 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室14 电流传输特性动态输出电阻 基本电流镜 接入共集管的电流镜 串接电流镜 威尔逊电流源 比例电流源 微电流源 主要镜像电流源 书P70 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室15 三种基本组态放大电路特性与分析 三种组态为：BJT的共射、共基、共集 FET的共源、共栅、共漏 BJTFET差放 共射 共射 （带反馈Re） 共集共基共源共漏共栅差模共模 微变等效电路p74 Ri Ro Av 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室16 共射小信号（微变）等效分析 输入电阻、输出电阻和增益 共射放大器的Ri一般比较大 电压放大倍数为负数（反向），一般比较大 共射放大器的Ro一般比较小 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室17 共集（射随器）的微变等效分析 共集放大器的Ri比共射大很多 电压放大倍数接近于1（小于1）因此称为射随器 共集放大器的Ro比共射的小很多 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室18 共基小信号（微变）等效分析 共基Ri比共射低很多，比较小 vo和vi同相，其值和共射放大器的Av相同 共基输出电阻大于rce，比较大 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室19 串接放大电路与达林顿组态 JFET 放大电路 对应存在三种组态： 共源共射 共栅共集 共漏共基 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室20 基本共射差放理想对称时的微变等效分析 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室21 共射对称差放双端输出时的Avd等于半边差模等效电路 （即单管共射电路）的电压增益。如果差放带有负反馈电阻 Re，分析方法和带有负反馈电阻Re的共射放大器一样 单端时： 低频差模特性 模拟电路习题课（一） 2007-4-29北京航空航天大学202教研室22 可见，Rcm只对共模有很强的负反馈，对差模无负反馈 故称Rcm为共模负反馈电阻，Rcm越大共模干扰抑制能 力越强，因此要尽量增大R