Vacuum机台专用名词.ppt

真空概念&机台专有 名词导读 李海波 Air knife：长片状出气孔的 喷 气除屑装置 Ashing：光阻去除 Angstrom： Alignment：对准 ADI：显影后检查 EDI：蚀刻后检查 a-Si：非晶硅 Actone：丙酮 Air shower：空气洗尘室 Assembly：晶粒封装 Acceleration electrodes 加 速电极 Aging 老化 Alloy 合金 Alumina 铝土 Aluminum Flow 热流铝 Aluminum Plug 铝插塞 Amorphous Silicon 非晶硅 Anneal 回火 Argon 氩气 Argon instability 氩气抽气 不稳定性 Array 阵列 A 0 Backing Pump 辅抽泵 Barrier layer 阻障层 Base Pressure 基准压力 Binder 粘合剂 Buffer Agent 缓冲剂 Barrier layer：阻障层 Brass：黄铜管，用来提供设备的真空度，CDA，厂务氮气 的非制程直接使用气体的传输 BDG：保持剂，溶解PR防止PR再附着，因强碱性的MEA有 机溶剂较难将剥离的PR溶解，因此需加入保持剂 Breakdown voltage：崩溃电压 B.O.E. ：缓冲蚀刻液 Burn In：预烧试验 BIN：针测结果类别 Backstreaming 回流，逆流 Capacitance manometer 电 容式测压计 Cryo pump 冷冻邦浦 Check Valve 整流阀，防止 气体在管路中回流 Chemical Vapor Deposition ：CVD，化学气相沉积 Clean Room 洁净室 Coating 涂布 Combustible Gas 易爆性气 体 Compressor 压缩机 Contact Plug 接触窗插塞 Cryogenic Pump 低温泵 Cryosorption 低温吸附 CA：Cathode 阴极 Cathode dark space 阴极暗 区 CDA：compressed dry air 压缩的干燥空气 CD bias：circuit dimension 蚀刻完后线宽 Cross Section：横界面 Contact：接触窗 Concentration：浓度 CMOS：互补式金属氧化半 导体 CD measure：微距测量 Control Limit：管制界限 CP：电路针测 Cycle time：生产周期时间 Central Monitor：设备中 央监控系统 Condensation 冷凝 crane: 天车 DC Magnetron Sputter 磁控DC溅镀机 Developer 显影液 Development 显影 Dry Etcher 干蚀刻机 Wet Etcher 湿蚀刻机 Dummy Load：替代原设备的等效阻抗 DIW：去离子水，纯水，阻抗达16M ohm Desum：电浆预处理 Defect density：缺点密度 Down：设备故障 DIPC：站点周期时间 Discharge valve：排气阀 Displacer：置换器 Direction detection sensor 方向检测感应器 Exposure 曝光 Ellipsometer 椭圆测量仪（T, n) Epitaxy：磊晶 Exhaust：抽气装置 Electromigrate：电致迁移，因高电场流通下造成 金属原子沿材质本身边界向电子流方向移动造 成断路。 Electromigration resistance：抗电移能力 ESD：静电放电 EDC：工程资料分析系统 Effective pumping speed 有效抽气速率 ELB Electric Breaker EMO Emergency Mechanical Off Switch Fab 晶圆厂 FTIR:Fourier Transform 红外线光谱仪，测量键结强度 Facility Down：公用系统故障 Facility：公用系统 FT：封装后测试 Future Hold：预先扣留 FA：工厂自动化系统 Forepump 前级邦浦 Freeze drying 冷冻干燥 Filament 灯丝 Gate valve：闸阀 Gowning Room：更衣室 Gas flow 气流 Gauge 真空计 Hook Up：hardware连结，gas&cable tray 组立 Homogeneous nucleation：均匀成核 Heterogeneous nucleation：非均匀成核 Hot alumium：热铝制程，在高于400oC以上利用沉积铝 在高温下所具备的较佳的表面迁移的特性，使溅镀铝 对晶片表面几何结构的阶梯覆盖能力提升的多重金属 化制程方式。 HF：氢氟酸 HEPA：高效过滤器 Hot：急件 Halogen lamp 卤素灯 High vacuum 高真空 Hot cathode 热阴极 Inter lock：连锁装置 ITO：透光导电膜 InO 90%+SnO 10% 烧结而成的靶材电 极 Idle：闲置 Interbay：工程间搬运系统 Intrabay：工程内搬运系统 Ionization 电离 Isolation valve 隔离阀 Ion voltage 离子加速电压 Ion source 离子源 Ion desorption 离子逸出 Ion detector 离子侦测器 Indium 铟 LD：loading Lend：借机 Lot ID. ：料号 Liquid nitrogen 液态氮 Mercury Probe 水银测量仪，测临界电压 Mos：Metal-Oxide-Semiconductor，金属氧化半导体 Metallization：金属化制程 Multilevel interconnects：多重金属内连线，因在晶座上制 造两层以上的金属层而所需的导通方式 Multilevel metallization process：多层金属化制程 MTBF:mean time between failure，平均故障周期时间 MTTR:mean time to repair，平均每次修复时间 MFC：mass flow controller，质流控制器 MEA：剥离剂，剥除PR防止PR再附着 Monitor：例行测试 Merge：分批 Medium vacuum 中度真空 Mechanical booster pump 机械邦浦 Operation movement：站点转移量 O-ring O-型环 Passivation：保护层 Physical Vapor Deposition ：PVD，物理气相沉积 Photolithography：微影制 程 Poly silicon：多晶硅，由多 种不同结晶方向的单晶 硅晶粒所组成的纯硅物 质 Post bake：烘烤的预烤 Peeling rate：剥离速率 Positive：正片 Priming：涂底 Pilot：试作 Polymer 聚合物 Pumping speed 抽气速率 Pre-exposure bake：曝光 前的预烤 Pilo valve：专门控制气体 是否输入气动阀的开关 Process gas：制程气体 Pressure relief valve：舒 压阀，用于调节管件内 压力 PVC：塑胶管 PR：photo resist 光阻 PH3：氢化磷 Pass Room：空气缓冲室 Power Zone：设备维修间 Priority：派工级数 Reliability：可靠性 Rush：快件 Route：生产涂程 Rework：重工 Release：解除 Recycle：内部回收 Recipe：制程分发 Radiation 辐射 Regeneration 再生 Rough vacuum 粗略真空 Sputtering deposition：溅 镀 Spike：尖峰，因硅对铝有 一定的固态溶解度而造 成的 Suspector：晶座 SiH4：silane Spin dry：水洗之后，旋转 烘干的机台或是动作 Stainless steel：不锈钢管 ，用在与制程相关的制 程气体传输上 Stripper：剥离剂 Solvent：溶剂 Sensitivity:灵敏度 Supporting Room：生产支援室 SPEC. Limit：规格界限 SPC：statistic process control 统计制 程管制 SWR：特殊工程需求 STB：投片 Scrap：报废 Stage movement：阶段转移量 Split：分批 Scheduling：生产排程系统 Stocker：保管库 Teflon管：替代不锈钢不便使用的制程液氮气体传输场合 TLV：Threshold limit value，启时限值silane只需1.5ppm 则能爆炸 Trouble shooting：故障排除 Turn Ratio：周转率 Tour corridor：无尘室安全走道 Throughout：产速 TECN：短期工程变更通知 TAT：累计生产时间 Thermal conductivity gauge 热导真空计 Throughput 抽气量，排气量，气流通量 UPW：超纯水，阻抗达18M ohm Uniformity：（max-min)/(max+min) Utilization：动用率 Up-time：可供利用的时间 Ultrahigh vacuum 超高真空 Vacuum 真空 Vacuum stage 真空级 Vacuum system 真空系统 Valve 阀门 roughing 粗抽阀 high vacuum 高真空阀 Vent 破真空 Waive：规格外放行品 Wait：待修 WIP：在制品 WAT：晶片接受测试 Window ： 视窗 Yield：良率 Vacuum Class 粗略真空（rough vacuum） 760torr1torr 中度真空(medium vacuum) 1torr10-3torr 高真空 (high vacuum) 10-3torr10-7tor 超高真空 (ultra-high vacuum ) 10-7torr以上 Parameter of Vacuum Pump l所能達到之最低的壓力 其大小有邦浦本身氣體逆流的大小或所用抽气媒體的 蒸汽壓大小來決定。 l有效之工作壓力範圍 指在此壓力範圍内，邦浦有足夠的抽气速率。 l抽气速率大小 邦浦的抽气速率隨壓力而改變，並非定值。 l排氣口壓力 主要針對排氣式邦浦而言，排氣口壓力不為一大氣 壓的邦浦必須使用輔助邦浦（或前级邦浦）组合工 作以达到抽气目的。 Function of Vacuum System nExhaust nRough Vacuum 10 torr nHigh Vacuum 10 torr nVent nSlow Vent (N2) nNormal Vent (CDA) nProcess Gas In(Ar,O2,N2,H20) nFlush(通入N2,再抽出带走particle) -7 -3 Pump Units nDry Pump (2 units): Roughing Pumps nSystem pump:iF1800 nLoad/Lock pump:diF600KDD nCryo Pump (6 units): High Vacuum Pumps nCP1,2(U8HSP,C30V):L/ch nCP01,02(U12HSPL,C30MV):T0/ch nCP3,4(U16HSPL,C31MV):S/ch Vacuum Gauge nPIG (Pirani Indication Gauge) nIG (Iron Gauge) nDG (Balatron Vacuum Gauge) nColor Indications ATM PIG High PIG Low IG High IG Low 真空计之作用 n有離子真空計和Pirani真空計 n離子真空計利用系統中之氣體分子踫撞並 且將游離，正離子被集極收集，其所造成 之電流大小與分子數目多少，既系統壓力 成比例關係，由電流之量測以作壓力之指 示。 n Pirani真空計利用熱電偶電阻值的改變以 量測壓力 Exhaust principle Vacuum chamber Compressor unit RP IGPiG2PS2 PiG1 MV MB PS1v1 v2 N2 N2 v4 Helium gas flow Cooling water Cryo-u RBH RV2 RV3 RV1 v3 PR N2 1.第一級冷凝500K800K 水氣與二氧化碳。 2.第二級冷凝10200K 氮氣、氧氣、氬氣。 3.活性炭吸附級 氫氣、氦氣、氖氣。 Cryo Pump Cryo Pump Gas Flow Gas He. Low Temp He. High Temp Cooling Water First Condensation Second Condensation Gas Water inWater out Compressor Oil filter Absorber Regeneration of the Cryo pump Sta