GB∕T8756-2018锗晶体缺陷图谱

ICS29045H 80 .中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T87562018 代替 GB/T87561988 锗晶体缺陷图谱 Collectionofmetallographsondefectsofgermaniumcrystal2018-12-28发布 2019-07-01实施 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 发 布 中国国家标准化管理委员会 GB/T87562018 前 言 本标准按照 给出的规则起草 GB/T1.12009 。 本标准代替 锗晶体缺陷图谱 本标准与 相比 主要技术变 GB/T87561988 。 GB/T87561988 ,化如下 : 删除了原标准缺陷图谱 张 分别为图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 34 , 1、 2、 3、 4、 6、 8、 9、 15、 16、 20、 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 21、 23、 24、 28、 29、 30、 32、 33、 78、 87、 88、 90、 91、 95、 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 见 年版的第 96、 102、 106、 113、 114、 115、 116、 124、 125、 132( 1988 1 章 第 章 第 章 、 2 、 3 ); 增加了术语和定义 见第 章 ( 3 ); 增加了图谱 张 分别为图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 44 , 1、 2、 3、 4、 6、 8、 9、 13、 14、 15、 16、 22、 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 23、 24、 29、 30、 31、 33、 34、 80、 89、 90、 92、 93、 96、 97、 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 图 98、 99、 105、 106、 116、 117、 118、 119、 120、 128、 129、 130、 图 图 图 图 图 图 见第 章 131、 132、 133、 135、 141、 142( 4 ); 完善了各类缺陷的特征及产生原因 见第 章 ( 4 ); 增加了资料性附录 晶体缺陷消除方法 给出了部分晶体缺陷的消除方法 见附录 A“ ”, ( A); 删除了原标准中的 附录 透射电子显微镜技术 补充件 见 年版的附录 “ B (TEM)( )”( 1988 B)。 本标准由中国有色金属工业协会提出 。 本标准由全国有色金属标准化技术委员会 归口 (SAC/TC243) 。 本标准起草单位 云南临沧鑫圆锗业股份有限公司 有研光电新材料有限责任公司 云南中科鑫圆 : 、 、晶体材料有限公司 中锗科技有限公司 广东先导稀材股份有限公司 云南东昌金属加工有限公司 有色 、 、 、 、金属技术经济研究院 。 本标准主要起草人 普世坤 惠峰 董汝昆 冯德伸 柯尊斌 尹士平 朱刘 李素青 : 、 、 、 、 、 、 、 。 本标准所代替标准的历次版本发布情况为 : GB/T87561988。 GB/T87562018 锗晶体缺陷图谱1 范围 本标准规定了锗多晶 锗单晶制备和机械加工过程中产生的缺陷 给出了各类缺陷的特征 产生原 、 , 、 因及消除方法 。 本标准适用于区熔锗锭 锗单晶 锗研磨片和锗抛光片生产过程中产生的缺陷 、 、 。2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改单 适用于本文件 。 , ( ) 。 半导体材料术语 GB/T14264 3 术语和定义 界定的以及下列术语和定义适用于本文件 GB/T14264 。31 . 杂质管道 impuritiespipeline 在锗单晶中 沿晶体纵向形成的管道状杂质富集区 , 。4 锗晶体缺陷 41 锗多晶 . 411 氧化物 . 4111 特征 . 晶体表面失去银灰色金属光泽 呈现不同颜色的表面膜 如图 所示 , , 1 。4112 产生原因 . 氧化物是由于晶体在高温状态下或长期暴露在空气中 以及在操作过程中引进的有机物在高温下 , 分解后 氧与锗反应生成 , 。412 浮渣 . 4121 特征