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文档简介

江西旭阳雷迪高科技股份有限公司DOC NO.( 文件编号 )：SO-SIP-QA-REV NO.( 版次 ) ：0南京中电成品硅片检验标准PAGE (页) ： 2 OF 31、目的 为了规范硅片的检验工作，明确硅片检验的项目和检验标准，特制定本文件。2、范围适用于对南京中电电气公司硅片的分选工序。3、职责品质管理中心：负责对硅片进行检验，确保分选后的硅片等级达到客户的要求。 4、作业内容 多晶硅片检验项目和标准 类别（Sort）项目（Item）单位（Unit）指标/参数/要求（Index/Parameter/Request）规格尺寸（Dimension）宽度（Width）mm1560.5mm硅片对角（Wafer Diagonal）mm219.20.5mmBevel angle 0.52mm in 450厚度（Thickness）um20020m电学性能参数（performance parameter）生长方法（Growth method）多晶硅片导电类型（Conductivity type）P电阻率范围（Resistivity）.cm1-3.cm少子寿命（Lifetime）us；2us碳含量（Carbon concentration）atoms/cm35.0 1017atoms/cm3氧含量（Oxygen concentration） atoms/cm31.0 1018atoms/cm3TTVum40um线痕（Saw marks）um20um外观质量指标（Surface quality）边缘角度（Rectangular angle）009000.30弯曲度（Warpage）um40um裂痕、穿孔（Crack、Hole）目视不可见小亮边（Tiny Luminance Edge）长度硅片边长的1/2，宽度片厚的1/3边缘缺陷（Edge defact）深不大于0.5 mm；长不大于1.5mm；每片总数量不多于2处 表面质量（Surface quality）表面干净，无污染5、抽样方案与接收标准采用GB/T2828.1-2003正常检验水准级, 外观、尺寸、性能全检（Ac=0,Re=1）。注：当检验出现异常时，由品管、生产、技术等部门现场确认，最终由技术对异常情况做出判决。
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