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本科毕业设计（论文）格式模板本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到教材科领取纸质封面及资料袋后再装订毕业设计（论文）诚信声明本人郑重声明：所呈交的毕业设计（论文）是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。就我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。如在文中涉及抄袭或剽窃行为，本人愿承担由此而造成的一切后果及责任。本人签名 导师签名_ 年 月 日华东交通大学毕业设计（论文）任务书姓名艾菊敏学号20090111080240毕业届别应届专业桥梁工程毕业设计（论文）题目52m+80m+52m混凝土连续梁桥及三角挂篮设计指导教师桂水荣学 历职 称具体要求：（一）设计图纸：（0）图纸封页及目录（1）全桥桥式总体布置图（手工制图）主梁横断面布置图（仅示出主要断面）（2）箱梁总体布置图（反映立面剖面、平面剖面、主要截面横断面情况）（3）纵向预应力钢束布置图（立面、平面）（4）纵向预应力钢束大样图（或曲线要素表）（5）主梁预应力束锚固大样图（如锚固齿块或锚端大样）（选8个断面）（6）箱梁竖向预应力束布置图（7）箱梁顶板横向预应力束布置图（8）挂篮施工立面总图（9）箱梁预留孔（筋）位置图（立面图、顶板及底板预留孔位平面图）（10）全桥施工步骤示意图（二）设计内容：（1）设计任务书（填写内容打印后粘贴到指定位置）（2）毕业设计中、英文摘要（3）设计说明书（4）论文目录（各章节内容标题、对应页码范围）（5）详细的计算、设计过程：包括主要原理、设计手算过程、程序输入数据、输出重要结果数据表格和图形、结果分析、自编小程序等。建议写出设计中处理难题的体会（或各章小结）。（6）施工方法和步骤说明；施工关键工艺简介。（7）参考文献（8）毕业实习报告（三）进度安排：周次工作内容安排1分组；复印设计资料；熟悉计算软件、设计规范；借阅设计参考书；准备开题报告2桥型方案比选、横向预应力钢束设计（手算）3完成全桥单元和节点划分；结构尺寸输入软件，完成结构纵向整体计算模型的建立45粗略模拟施工过程，估算主梁纵向预应力钢束数量（估束时可计及温度影响力和基础沉降）；初拟各截面的通过束数量、各梁段锚固束数量。注：配束按持久状态下1）正常使用极限状态下的应力要求配束 2）按承载能力极限状态下的强度要求配束67拟定锚固点位置，初定纵向预应力束的竖弯线形（导线点坐标）；同时仿真模拟桥梁实际施工过程（各阶段挂篮操作和钢束张拉）；进行加载计算，观察输出效应变化，调整钢束线形（坐标），直至满足规范要求。 模拟实际施工过程时应计入混凝土收缩和徐变、梁段竖向预加力。注意定义使用阶段活载信息。钢束线形设计时需考虑平弯。8输出预应力损失（或有效预应力值）；预加力效应；混凝土徐变效应；基础沉降效应；温度效应。输出主梁单元强度、应力、挠度验算结果。911熟悉挂篮结构、相关图纸资料及设计规范验算主梁、前上横梁、前下横梁、后锚固系统、吊挂系统等强度、应力及变形1214绘制连续梁桥设计图纸，绘制施工挂篮设计图纸15整理毕业论文计算手稿；指导教师检查论文和图纸；修改论文和图纸16毕业设计答辩 指导教师签字： 年 月 日教研室意见： 教研室主任签字： 年 月 日题目发出日期设计（论文）起止时间附注：华东交通大学毕业设计（论文）开题报告书课题名称52m+80m+52m混凝土连续梁桥及三角挂篮设计课题来源自选题目课题类型AY导 师桂水荣学生姓名艾菊敏学 号20090111080240专 业桥梁工程 （一）.现状和发展趋势桥梁界面临将面临伟大的海峡工程建设。从各国国内的交通网络发展到国际、洲际连线网络，以适应信息革命形成智能化与高效率的工农业生产需要，实现用桥梁沟通世界的梦想。现今的海峡工程桥梁跨径没有超过2000米，深水基础深度也在50米左右。而设想中的新的海峡工程将挑战前所未有的跨径和深水基础深度，如20世纪就曾提出桥梁方案的白令海峡工程（总长75公里）、联系欧洲与非洲的直布罗陀海峡工程（总长25公里，最大水深900米）等等。这些工程的建设将让桥梁工程发展到一个新的高度。其次，科学家和工程师们还会对与建桥有关的课题和关键技术进行探讨。比如超大跨径桥梁的新型建筑材料；新的桥梁结构形式；能适应更高要求的抗风、抗震、抗海浪的技术；100500米深水基础施工方法；材料防腐措施及方法；智能化结构的设计理论等等。以桥梁工程的发展为契机，全方位的推动人类社会和科学技术的发展。最后，除了面对新的工程建设外，桥梁建设者们还担负着对20世纪上半世纪建造的桥梁的加固、改建与修复的重任。约占上世纪总建桥梁数的50%。由此不但引发科学家与工程师们研究有效的维修、加固措施，而且还提出安全耐久性和可靠性研究的新课题。包括结构的施工控制与质量保证体系，桥梁生命期的检测系统，桥梁损伤判断与评估等等。（二）主要内容：1) 三个方案比选，确定最优方案；2) 拟定主要结构尺寸；3) 选取计算简图，进行结构内力计算；4) 配筋设计计算与验算；5) 强度、刚度、稳定性计算；6) 施工图绘制。（三）研究方法：1) 广泛查阅桥梁文献资料；2) 充分利用网络资源查阅相关内容；3) 利用桥梁博士软件处理和分析数据；4) 学习诸如结构力学求解器等专业软件进行计算；5) 请教老师，帮助解决疑难问题。（四）预期的目的：（1）通过毕业设计系统地巩固基本理论知识和专业知识，能综合运用所学课程自主创新，培养学生分析问题和解决问题的能力；（2）掌握设计原则、设计方法、步骤，提高计算、绘图、查阅文献、使用桥梁规范手册和编写技术文件及计算机辅助设计计算等基本技能，从而深入了解公路预应力混凝土桥梁在桥式方案比选、结构计算及施工架设等方面的设计规范、计算方法及设计思想等内容和要求，为毕业后从事桥梁技术工作打好基础；(3) 通过桥梁毕业设计，使大家运用所学的课程知识，系统地训练和分析，以便掌握桥梁的基本理论，基本知识，基本的计算方法；(4) 通过桥梁毕业设计，不断提高计算、绘图，查阅文献（包括外文文献），使用规范手册和编写技术文件及计算机辅助设计计算等基本技能，了解生产设计的主要内容和要求，掌握设计原则、设计方法、设计步骤；(5) 通过桥梁毕业设计，系统地掌握WORD，CAD，桥梁博士以及结构力学求解器等程序的基本技能，并且可以熟练的运用；(6) 树立正确的设计思想以及严谨负责、实事求是、刻苦钻研、用于创新的作风，为桥梁建设事业服务。课题类型：（1）A工程设计；B技术开发；C软件工程；D理论研究； （2）X真实课题；Y模拟课题；Z虚拟课题 （1）、（2）均要填，如AY、BX等。华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(1)姓名学号专业毕业设计(论文)题目指导教师评语：得分指导教师签字：年 月 日评阅人评语：得分评阅人签字：年 月 日等级华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(2)姓名学号专业毕业设计(论文)题目答辩小组评语：等级 组长签字：年 月 日答辩委员会意见： 等级 答辩委员会主任签字：年 月 日（学院公章）注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。“等级”用优、良、中、及、不及五级制（可按学院制定的毕业设计(论文)成绩评定办法评定最后成绩）。华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录姓名学号毕业届别专业题目答辩时间答辩组成员（签字）：答辩记录： 记录人（签字）： 年 月 日 答辩小组组长（签字）：年 月 日附注：摘要中文摘要：独占一页；论文题目用小2号黑体字、居中页眉：中文宋体，小五号，居中III-族氮化物及其高亮度蓝光宋体，5号，对齐居中LED外延片的MOCVD生长和性质研究摘要用3号黑体字、居中专 业： 学 号：学生姓名： 指导教师： 摘要正文用小4号宋体字 宽禁带III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以及高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度保密状态，材料生长的关键思想及核心技术仍未公开，还无法从参考文献及专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理及化学问题，为生长可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863计划、国家自然科学基金以及教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词用小4号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔 关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 - 31 -Abstract页眉：外文Times New Roman字体，五号，居中的居中英文摘要：独占一页；论文题目用Times New Roman字体小2号加粗、居中Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafers ABSTRACT用Times New Roman字体3号加粗、居中Abstract正文用Times New Roman字体小4号 GaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.关键词用Times New Roman小4号加粗、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔 Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption目录页眉：中文宋体，小五号，居中目录目录用小2号黑体字、居中摘要Abstract第一章 GaN基半导体材料及器件进展（多数文章为“绪论”）11 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用11. 2 III族氮化物的基本结构和性质41. 3 掺杂和杂质特性121. 4 氮化物材料的制备131. 5 氮化物器件191. 6 GaN基材料与其它材料的比较22目录内容最少列出第一级标题（章）和第二级标题（节）；前者用4号黑体字，后者用4号宋体字，第三级标题用4号楷体字，居左顶格、单独占行，每一级标题后应标明起始页码1. 7 本论文工作的内容与安排24第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺31 2. 1 MOCVD材料生长机理31 2. 2本论文氮化物生长所用的MOCVD设备32结论136参考文献（References）138致谢150页眉：奇数页书写“华东交通大学毕业设计（论文）”，用宋体小五号书写华东交通大学毕业设计（论文）节标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居左第一章 GaN基半导体材料及器件进展1 .1 III族氮化物材料及其器件的进展与应用正文文字：中文宋体，英文Times New Roman，小四，两端对齐，段落首行左缩进2个汉字符。章标题：中文宋体，英文Times New Roman，四号居中 在科学技术的发展进程中，材料永远扮演着重要角色。在与现代科技成就息息相关的千万种材料中，半导体材料的作用尤其如此。以Si为代表的第一代半导体诞生于20世纪40年代末，它们促成了晶体管、集成电路和计算机的发明。以GaAs为代表的第二代半导体诞生于20世纪60年代，它们成为制作光电子器件的基础。III族氮化物半导体材料及器件研究历时30余年，前20年进展缓慢，后10年发展迅猛。由于III族氮化物特有的带隙范围，优良的光、电性质，优异的材料机械和化学性能，使得它在短波长光电子器件方面有着广泛的应用前景；并且非常适合制作抗辐射、高频、大功率和高密度集成的电子器件。III族氮化物半导体材料已引起了国内外众多研究者的兴趣。 表标题置于表的上方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，表序与表名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号。12 III族氮化物的基本结构和性质 表1-1 用不同技术得到的带隙温度系数、Eg0、ac和T0的值样品类型实验方法带隙温度系数dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)参考文献GaN/Al2O3光致发光-5.3210-43.5035.0810-4-99661GaN/Al2O3光致发光3.4897.3210-470059GaN/Al2O3光致发光-4.010-4-7.210-460062GaN/Al2O3光吸收-4.510-43.471-9.310-477263偶数页书写“学生姓名：毕业（论文）论文的题目”，用宋体小五号书写，居中张三：III-族氮化物及其高亮度蓝光LED外延片的MOCVD生长和性质研究加热电阻气流测温元件测温元件图1-1 热风速计原理图标题置于图的下方，中文宋体，英文Times New Roman ，五号加粗居中，图序与图名文字之间空一个汉字符宽度；内容：中文宋体，英文Times New Roman，五号。华东交通大学毕业设计（论文）第二章 氮化物MOCVD生长系统和生长工艺2.1 MOCVD材料生长机理转换控制频率信 号 源频率控 制 器地址发生 器波形存储 器转换器滤波器频率设置波形数据设置图2-1