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文档简介

1,1) 清华工艺录像,n阱硅栅cmos工艺流程,2,初始氧化,3,光刻1，刻n阱,4,n阱形成,n阱,5,si3n4淀积,6,光刻2，刻有源区，场区硼离子注入,n阱,7,场氧1,n阱,8,光刻3(n阱场区磷离子注入),n阱,9,场氧2,n阱,10,栅氧化,n阱,11,多晶硅淀积,n阱,12,光刻4，刻nmos管硅栅， 磷离子注入形成nmos管,用光刻胶做掩蔽,13,光刻5，刻pmos管硅栅， 硼离子注入及推进，形成pmos管,用光刻胶做掩蔽,14,磷硅玻璃淀积,n阱,15,蒸铝、光刻7，刻铝、 光刻8，刻钝化孔 （图中展示的是刻铝后的图形）,16,n阱硅栅cmos工艺流程,17,cmos集成电路工艺 -以p阱硅栅cmos为例,1、光刻i-阱区光刻，刻出阱区注入孔,18,2、阱区注入及推进，形成阱区,19,3、去除sio2，长薄氧，长si3n4,20,4、光ii-有源区光刻，刻出pmos管、nmos管的源、栅和漏区,21,5、光iii-n管场区光刻，n管场区注入孔，以提高场开启，减少闩锁效应及改善阱的接触。,22,6、长场氧，漂去sio2及si3n4，然后长栅氧。,23,7、光-p管场区光刻（用光i的负版），p管场区注入， 调节pmos管的开启电压，然后生长多晶硅。,24,8、光-多晶硅光刻，形成多晶硅栅及多晶硅电阻,25,9、光i-p+区光刻，刻去p管上的胶。p+区注入，形成pmos管的源、漏区。,26,10、光-n管场区光刻，刻去n管上的胶。 n管场区注入，形成nmos的源、漏区。,27,11、长psg（磷硅玻璃）。,28,12、光刻-引线孔光刻。,29,13、光刻-引线孔光刻（反刻al）。,30,2) 简化n阱cmos 工艺演示,31,氧化层生长,32,曝光,33,氧化层的刻蚀,光刻1，刻n阱掩膜版,34,n阱注入,光刻1，刻n阱掩膜版,35,形成n阱,36,氮化硅的刻蚀,n阱,37,场氧的生长,n阱,38,去除氮化硅,n阱,39,重新生长二氧化硅（栅氧）,n阱,40,生长多晶硅,n阱,41,刻蚀多晶硅,n阱,42,刻蚀多晶硅,n阱,43,p+离子注入,n阱,44,n+离子注入,n阱,45,生
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