TRI-518测试原理.ppt

tr-518测试原理,德律泰電子(苏州)有限公司,tri,ict,開/短路學習 凡兩兩之間電阻 25的針號歸入一個short group, 反之亦然. open 25 short,open/short測試原理 示意图,l 開路測試( 在short group內的点与点之间進行 ) open fail 55 open pass,l 短路測試( 在不在同一short groups的点与点之間進行 ) short pass 5 short fail,open/short测试原理,基本測試原理: 1開路及短路(open/short)的量測原理 ict提供一個直流電流源到兩個量測點，以確認兩個量測點之間的阻抗值。电脑會把兩測試針點之間的阻抗值分為四組: 阻抗值x55x2525x55x55機器辨視值0、1、2、3螢幕顯示值1、1、3、4在開路/短路學習時，會將測試針點之間阻抗小於25的點自動聚集成不同的短路群(short groups)。需要學習的時間隨著量測點數的增加而增加。自我學習時必須確定電路板是良好的，否則學習到的資料可能是錯誤的。 tr-518fe可以在測試參數做開/短路區間設定1. 2. 3.選擇開/短路區間。 開路測試(open test)時，在任一短路群(short group)中任何兩點之阻抗不得大於55，否則即是開路測試不良(open fail)。 短路測試(short test)時分成三種情況，若有以下其中之一的情況發生，則判定短路測試不良(short fail)： 1、在短路群中任何一點與非短路群中任一點之阻抗小於5。 2、不同短路群中任兩點之阻抗小於5。 3、非短路群中任兩點之阻抗小於5,guarding原理,guarding测试图,电阻测试,一、固定電流源(constant current) 對於不同的電阻值，ict本身會自動限制一個適當的固定電流源做為測試的訊號源使用，如此才不會因使用者的選擇不當，因而產生過高的電壓而燒壞被測試元件，故其測試方式為：提供一個適當的固定電流源i，流經被測電阻r，再於被測電阻r兩端，測量出vr，由於vr及i已知，利用vr=ir公式，即可得知被測電阻r,電阻測試 系统依标准值（std_v）选取相应大小的电流源。被測電阻愈大, 測試電流須更小, 以確保量回被測電阻兩端的電壓vo在規定的範圍(0.151.5v)之內.,模式(mode0)见右图,低固定電流源(low constant current)模式(mode1) 該測試方法和上述固定電流源模式一樣，只是在被測電阻於電路上若有並聯(parallel)著二極體(diode)或是ic保護二極體(ic clamping diode)時，對於該電阻兩端測量電壓值若超過0.5v至0.7v左右時，因為二極體導電的關係，該電阻兩端電壓將被維持在0.5v至0.7v左右，固無法量測出真正的vr值，為解決此問題，只要將原先的電流源降低一級即可,快速(high-speed)測試模式(mode2) 假如被測電阻並聯一顆0.3f以上的電容時，若使用上述固定電流源測試時，需要花費很長的時間，讓電容充飽電荷，再去測量出vr值，而得知r值，如此測試方法將增加ict測試時間，為解決此問題，可以將固定dc電流源改為0.2v dc固定電壓源，直接接於被測電阻兩端，如此電容將會在短暫時間內使其ic=0，故電路上所有電流將流經電阻r。其測量方式為：提供一個0.2v dc電壓源，當ic=0時，再測試流經電阻端的ir，因為v=irr，而v及ir已知，即可得知電阻r值,交流相位(ac phase)測試模式(mode3、mode4、mode5 ) 由於電路設計關係，被測試電阻，將會並聯著電感等元件，對於此電阻值測量，若使用固定電流源方式測試，電阻值將會偏低而無法測量出真正的電阻值，故使用ac電壓源，利用相位角度的領先，及落後方式而得知被測電阻值。故其測試方式為：提供一個適當頻率的ac電壓源v，同時在被測電阻兩端測量出iz，由於v=iz*zr1，因為v及iz已知，故可得知zr1，又因為r=zr1*cos，而zr1及cos已知，故即可得知被測電阻r值,電容測試原理,1、固定ac電壓源測試模式(mode0、mode1、mode2、mode3) 對於不同阻抗的電容，ict本身會自動選擇一個適當頻率(frequency)的ac電壓源，作為測試使用，其頻率計有：1khz，10khz，100khz，1mhz，對於極小阻抗值的電容將需要較高頻率的ac電壓源，再測量被測元件兩端的電壓源，由於v=ic*zc，而v及ic已知，故得知zc=1/2*f*c，又因f已知，故即可得知電容c,右图固定ac電壓源測試方法),2、向位(ac phase)測量模式(mode5、mode6、mode7 ) 對於電容的測試，若並聯電阻時，則利用相位角度的落後方式來測量出阻抗值，故其測量方式為：提供一個適當頻率的ac電壓源並在被測元件兩端測量出iz，由於v=iz*zrc，而v及iz已知，故可得知zrc，又因zc=zrc*sin，而zrc及sin已知，故可得知zc，又因zc=1/2*f*c，而zc及f已知，故即可得知電容c值,右图ac相位測試方法,dc固定電流(dc constant current)測試模式(mode4, mode8) 對於3f以上電容值的電容，若使用上述ac電壓源模式測試時，將需要較低頻率來測試，而增加ict測試時間，故可利用電容充電曲線的斜率方式得知電容值，故其測試方式為：提供一個固定的dc電流源，並在t1時間測量電容兩端的v1值，及t2時間測量電容兩端的v2值，由於slope=(v2-v1)/(t2-t1)=v/t，而v1、v2及t1、t2已知，故得知slope，又因slope*c=constant，vtv2 v1t1 t2vccislope=(v2-v1)/(t2-t1)=v/t slope*c=constant而slope及constant已知，故即可得電容c值,上图dc固定電流測試方法,jump測試原理,ict提供一個0.1ma的直流電流源量測兩測試點之間的阻抗值，測量出vx，由於vx及i已知，利用vx=ir公式，即可得知被測兩端之量測電阻值(簡稱x)，系統把兩測試點間之阻抗值，於不同mode，分別顯示如下,二極體(diode)測試原理,測量方式為：提供一個3ma或20ma的固定電流及0v-10v可程式電壓源(programmable voltage)直接加在二極體兩端，並輸入該二極體正向導通所需電壓來測試,左图为二極體測試原理,齊納二極體(zener diode)測試原理,齊納二極體的測試原理是量測其崩潰電壓，與二極體的差異性是在測試電壓源不同，其電壓源為0v- -10v及0v- -48v可程式電壓源兩種,齊納二極體測試原理,電晶體(transistor)測試原理,對於電晶體測試需要三步驟(step)測試，其中(1)b-e腳(2)b-c腳測試是使用二極體測試方式(3)e-c腳使用vcc的飽和電壓值及截止電壓值的不同，來測試電晶體是否反插。電晶體反插測試方法為：在電晶體的b-e腳及e-c腳兩端各提供一個可程式電壓源，並測量出電晶體e-c腳正向的飽和電壓值為vce=0.2v左右，若該電晶體反插時，則vce電壓將會變成截止電壓，並大於0.2v，如此即可測出電晶體反插的錯誤,led,此時, 將act_v及std_v均設為2v或更高, 這樣可看到led發光. 不然, 要適當延時, 亦可看見發光., 電容極性測試,電容極性測試的另一方法是三端測試, 須在上方加一探針觸及殼體. 在電容的正負極加載直流電壓, 至充飽后測量殼體電壓. 由于正負極與殼體間的阻抗差異, 故對于插反的電容所測量到的殼體電壓會與正確時不同. 據此可判別電容的極性.,測試程式 partnameact_vstd_vhlim%llim%modetypehiplopdlyg-p1ce10.20.12v-1208px1305ce110.20.001v-12018px1113015 act_v：source voltage，建議值為 0.2v std_v：sense voltage (threshold)，依實際debug後決定 hlim ：固定為 1 (don,t care) llim ：建議值為20，可依實際debug後決定 mode : 固定為 8或18(適用於防爆電容) type ：固定為 px hip ：電容負端 (source pin) lop ：電容正端 dly ：依實際debug後決定 g-p1 ：sense pin,fet,以n型溝道增強型絕緣柵場效應管(mosfet)為例. 7.1 由于柵極(g)處于不導電(絕緣)狀態, 通常, 源極(s)與襯底連在一起,故在漏極(d), 源極(s)存在一pn結, 可將其當作d來測. 7.2 三點測試, 類似三極體的三點測試方式.,ic,大部分ic在i/o pin中, 會加上保護diode. 故可通過測其diode來判定插反,空焊,漏件,開/短路以及ic保護diode不良等情形, 但對ic內部的電性不良則必須仰賴功能測試,testjet測試原理(lead frame的電容效應),如图（3.21）所示，ic之內部主要結構為晶片本身(die)、細小的金線(bond wire)、較粗的連接線(lead frame)、以及外接焊腳的接點(solder joint)。 如圖(3.22)所示，在ic上蓋一sensor pl