课件：ARM嵌入式接口技术应用》第三章存储器.ppt

,第三章 存储器件,一、存储器概述 二、EEPROM存储器件 三、SRAM存储器件 四、Nor-Flash存储器件 五、Nand-Flash存储器件 六、附录 - Nor-Flash与Nand-Flash比较, ,一、存储器件概述,存储器的重要性 存储器是嵌入式系统的主要组成部分，运行的程序需要存储器，处理数据需要存储器，存储数据也需要存储器。没有存储器，系统无法工作。,存储器的种类 只读存储器 (简称ROM) ROM是一种非易失性的存储器，即在电源被关掉之后也不会丢失数据的。 随机访问存储器 (简称RAM) RAM是一种易失性的存储器，即在电源被关掉之后数据会丢失。, ,1.1存储器ROM,ROM的种类很多，一般分为以下5种：,1只读存储器( ROM ) 2可编程ROM (PROM) 3电可编程ROM ( EPROM) 4电可擦除可编程ROM ( EEPROM) 5闪存（Flash Memory）, ,1.2 随机访问存储器RAM,与ROM相比，RAM具有如下一些优点： 1、读取速度比ROM快 2、写入数据跟从RAM读出的速度一样。, ,二、EEPROM存储器件,EEPROM的种类很多，它们大致可分为以下3种: 并行EEPROM 串行EEPROM 加密型EEPROM,EEPROM概述, ,1.1 CAT24WC16介绍,CAT24WC16是CATALYST公司生产的EEPROM，同系列还有CAT24WC02、CAT24WC04、CAT24WC08、CAT24WC32等。 CAT24WC16的存储空间 内部总共有128页，每一页为16字节（byte），每一字节为8位（bit），共有2K个存储字节单元（即16K比特位）。 CAT24WC16的其他特性 1.8 到6.0 伏工作电压范围。 16字节页写缓冲器。 与400KHz的I2C总线兼容，符合双向数据传输协议。 具有硬件写保护和软件数据保护功能。 自动定时擦写周期。, ,引脚说明, ,（注意：I2C是个漏极开路的接口，需要外接上拉电阻）,电路连接, ,1.2 CAT24WC16工作时序,1. 起停信号 起始信号： 时钟线SCL保持高电平期间，数据线SDA电平发生从高到低的跳变。 停止信号： 时钟线SCL保持高电平期间，数据线SDA电平发生从低到高的跳变。 2. 设备选址 3. 应答信号 4. 写操作 5. 读操作, ,设备选址,主器件发送1个起始信号启动发送过程，然后发送寻址的从器件地址。 8位从器件地址的高4位固定为1010，接下来3位（A10、A9、A8）为从器件的地址位。R/W为读写控制位。 CAT24WC16监测总线当其地址与发送的从地址相符时发出1个应答信号， CAT24WC16根据读写控制位的状态准备读写操作。, ,应答信号,在SCL时钟线上的第9个时钟周期将SDA线拉低就表示一个应答信号。 I2C总线每成功传送1Byte，接收器都必须产生1个应答信号。 CAT24WC16在接收到起始信号和从器件地址之后也要产生应答信号。 如果该器件工作于读模式时，在发送1个8位数据后释放SDA线并等待1个应答信号。, ,写操作,写操作分为“字节写”和“页写” 。 在“字节写”操作模式下，主器件首先给从器件发送起始信号和从器件地址信息，在从器件送回应答信号后，然后主器件再发送一字节的地址信息到CAT24WC16地址指针，主器件在收到从器件的应答信号后，最后发送1Byte的数据到被寻址的存储单元，从器件再次应答，并在主器件产生停止信号后开始内部数据擦写。, ,在“页写”操作模式下，页写操作的启动和字节写一样，不同在于传送了一字节数据后并不产生停止信号，主器件被允许发送15个额外的字节。 如果在发送停止信号之前主器件发送超过16个字节,地址计数器将自动翻转先前写入的数据被覆盖。 在发送最后一个字节后，主器件发送一个停止信号通知数据传输结束，如图所示。, ,读操作,CAT24WC16支持三种读操作方式： 1、当前地址读 2、随机地址读 3、连续读,在“当前地址读”操作方式时，CAT24WC16地址计数器内容为最后操 作字节的地址上加1。 CAT24WC16接收到从器件地址信号后，首先发送一个应答信号，然后发送 一个8位字节数据。如图所示：, ,“随机地址读”操作允许主器件对存储器的任意字节进行读操作。 1、主器件首先通过发送起始信号、从器件地址并选择写操作。 2、等CAT24WC16应答之后主器件重新发送起始信号和从器件地址。 3、CAT24WC16响应并发送应答信号，然后输出该地址处的一个字节数据，最后主器件发送一个停止信号结束此次读操作。过程如图 ：, ,“连续读”操作既可以是当前地址读，也可以是随机地址读，工作时序上大体相同。 不同的是：当主器件每接收到一个数据字后，会回应一个应答信号给CAT24WC16，而不是停止信号。CAT24WC16在接收到应答信号后会将地址加1。直到主器件发送停止位才结束此操作。 CAT24WC16输出的数据按顺序由地址N开始输出。读操作时地址计数器在CAT24WC16内部增加。如果上次读写地址为芯片末地址，则计数器将翻转到第一个字节地址（0x00）处。, ,1.3 实验目的与内容,实验目的：通过实验，理解I2C数据传输的原理，掌握I2C接口电路连接和软件编程。 实验内容：事先往CAT24WC16的某个地址区域Addr写入一个字符串“Hello”，然后从地址Addr处读取5个字节内容，并在屏幕上显示，检查读出来的字符串是否也为“Hello”。, ,1.4 实验原理分析,电路原理分析 EEPRROM（CAT24WC16）通过I2C接口与处理器进行通信，电路中将EEPRROM 的地址线A0、A1、A2接地，SCL和SDA线上都接一个10K的上拉电阻。, ,软件设计 为了方便编程与程序可读性，首先定义几个宏，这些宏分别对应I2C控制寄存器I2CONSET的某些控制位。 #define SI 0x08 /I2C中断标志位 #define STO 0x10 /I2C停止位 #define STA 0x20 /I2C起始位 #define AA 0x04 /I2C应答位 #define I2EN 0x40 /I2C使能位 根据实验内容我们设计了3个底层驱动函数，这三个底层驱动函数分别是： CAT24WC16_Init() 初始化设置函数。 CAT24WC16_Write() CAT24WC16的写函数。 CAT24WC16_Read() CAT24WC16的读函数。, ,CAT24WC16_Init(),/* *名称: CAT24WC16_Init() *功能: I2C初始化。 *入口参数: fi2c初始化I2C总线速率，最大值为40K *出口参数:无 */ void CAT24WC16_Init(uint32 F_I2C) PINSEL0 = (PINSEL0 /使能主I2C , ,CAT24WC16_Write(),/* *名称: CAT24WC16_Write() *功能: 主发送模式，向CAT24WC16写入数据。 *入口参数: sla 器件地址； slaveAddr 器件子地址 pWriteData 待发送数据缓存区指针 num 待写入字符的个数 *出口参数: 1 代表发送成功 I2STAT 返回错误状态码，代表发送不成功 */ uint8 CAT24WC16_Write(uint8 sla,uint8 slaveAddr,uint8 *pWriteData,uint8 num) uint8 i; /-通过软件置位STA进入主发送模式- I2CONCLR = AA | SI | STA; /清零：SI位，起始标志位，应答标志位 I2CONSET = I2EN | STA; /启动总线 while(I2CONSET /返回错误状态码 , ,/-发送器件地址W位- I2CONCLR = SI | STA; /清零：SI位，起标志位标志位 I2DAT = sla /返回错误状态码 , ,/-发送数据- for(i=num;i0;i-) I2CONCLR = SI; /SI位清零 I2DAT = *pWriteData+; while(I2CONSET , ,CAT24WC16_Read(),/* *名称: CAT24WC16_Read() *功能: 主接收模式，从器件CAT24WC16读取数据。 *入口参数: slaveAddr CAT24WC16器件中具体的某一存储单元； pWriteData 数据接收缓冲区指针； num 要读取的数据个数； *出口参数: 1 代表发送成功 I2STAT 返回错误状态码，代表发送不成功 */ uint8 CAT24WC16_Read(uint8 sla,uint8 slaveAddr, uint8 *pReadData, uint8 num) uint8 i ,state=0; /-定位CAT24WC16器件的存储单元- state = CAT24WC16_Write(sla,slaveAddr,0,0); if(state != 1) return(state); /-发送起始标志位- I2CONCLR = SI | AA; /清零：起始、中断、应答标志位 I2CONSET = STA; /启动总线 while(I2CONSET /等待SI置位, ,if(I2STAT !=0x08) /查看状态码 I2CONSET = STO; /结束数据传输结束 return(I2STAT); /返回错误状态码 /-发送器件地址R位- I2CONCLR = SI | STA; /SI位,STA位清零 I2DAT = sla | 0x01; while(I2CONSET , ,1.5 实验参考程序,uint8 EEPROM_TAB10=“Hello!0“; /* * 名称：main() * 功能：对EEPROM进行读写控制 */ int main (void) uint8 REEPROM_buf5; uint8 flag; /-初始化- IO1DIR = IO1DIR | BEE; /设置蜂鸣器控制引脚 BEEOFF(); /关闭蜂鸣器 CAT24WC16_Init(10000); /-写数据- flag = CAT24WC16_Write(CAT24WC16,0x00,EEPROM_TAB,5);, ,DelayMS(1); /等待内部写操作完成 if(flag != 1) BEEON(); DelayMS(1); BEEOFF(); /-读数据- flag = CAT24WC16_Read(CAT24WC16,0x00,REEPROM_buf,5); if(flag != 1) BEEON(); DelayMS(1); BEEOFF(); return(0); , ,全速运行，我们将在变量观察窗口中观察到数组REEPROM_buf中的内容也为 “Hello”。 正确运行结果如下图：, ,三、SRAM存储器件,SRAM概述 RAM分为SRAM和DRAM两种类型。 DRAM的存取速度没有SRAM快，但是DRAM更容易做成大容量的RAM。在存放信息比较多的嵌入式系统中，主存储器采用 DRAM，而快速存储器则采用 SRAM。 SRAM它不具有掉电保持数据的特性，但其存取速度高于Flash存储器，且具有读/写的属性。系统及用户堆栈、运行数据也都放在SRAM中。 SRAM架构是处于同一列的基本存储单元共用一条列地址线，而处于同一行的基本存储单元共用一条行地址线，组成一个基本存储单元构成的矩阵架构。, ,1.1 IS61LV25616AL介绍,IS61LV25616AL是美国ISSI公司生产的高速SRAM器件。IS61LV25616AL的特性如下： 高速访问时间1012ns CMOS低功耗工作 单个3.3V电源工作，TTL兼容接口电平 完全静态操作无需时钟和刷新 三态输出 高低字节数据控制 可用的工业级温度, ,IS61LV25616AL内部功能模块与引脚描述,IS61LV25616AL内部主要由4部分组成： 1、控制电路 2、数据电路 3、译码器电路 4、存储器阵列,内部功能框图 IS61LV25616AL引脚图, ,IS61LV25616AL芯片一共有44条引脚，其中18根地址线、16根数据线、5根控制线、4根电源线和1根闲置线。 IS61LV25616AL引脚描述见表所列。, ,IS61LV25616AL的读写和擦除操作,ARM是通过操作IS61LV25616AL的控制线而执行相应的操作。IS61LV25616AL可工作在输出禁能、读操作、写操作3种工作模式下 。 IS61LV25616AL工作模式：, ,1.2实验目的与内容,实验目的：通过实验，深刻理解RAM器件操作与电路连接。 实验内容：完成一块内存区域的自检（类似于台式机的开机内存自检），具体做法是：向这块内存区域的每个单元写入数据0x55，然后从该单元读出数据，若读出的数据也为0x55，表明该单元没有问题；若读出的数据不为0x55，表明该内存单元已坏，蜂鸣器短叫一声，并且将损坏的单元地址保存起来加以标记。, ,1.3实验原理分析,当IS61LV25616AL与LPC2220的外部接口Bank0连接时，则IS61LV25616AL的芯片地址范围为0x8000 0000。,当IS61LV25616AL与LPC2220的外部接口Bank1连接时，则IS61LV25616AL的芯片地址范围为0x8100 0000；, ,RAM_Write()、为SRAM(IS61LV25616AL)写数据函数 RAM_Read()、为SRAM读数据函数。,#define RAM_ADDR 0x81000000 /* *名称: RAM_Write(uint32 Addr,uint16 Data)。 *功能: 向RAM写一个半字数据。 *入口参数: AddrRAM器件中具体的某一存储单元地址； Data待发送的数据（16位数据） */ void RAM_Write(uint32 Addr,uint16 Data) volatile uint16 *addr; addr = (volatile uint16 *)(RAM_ADDR|(Addr1); *addr = Data; ,驱动子程序, ,/* *名称: uint16 RAM_Read (uint32 Addr) *功能: 从RAM某个单元地址读取一个半字的内容。 *入口参数: Addr 内存单元地址 *出口参数: 返回一个半字数据 */ uint16 RAM_Read (uint32 Addr) volatile uint16 *addr; addr = (volatile uint16 *)(RAM_ADDR|(Addr1); return(uint16)*addr); ,RAM的读子程序, ,1.4 实验参考程序,/* * 名称：main() * 功能：完成某块内存区域的自检，损坏的单元地址保存在数组Remake中 */ int main (void) uint8 i,j; uint32 Remake50; uint16 data; IO1DIR = IO1DIR | (124); / 设置P1.24为I/O输出 IO1CLR = (124); / P1.24 = 0, 关闭蜂鸣器, ,/-检查起始地址为0x81000100的100个内存单元(字节单位)- for(i=0,j=0;i50;i+) RAM_Write(100+i,0x5555); data = RAM_Read (100+i); if(data!=0x5555) /判断内存单元地址是否损坏 Remakej=100+i; j+; IO1SET = (124); / 打开蜂鸣器 DelayMS(10); IO1CLR = (124); / 关闭蜂鸣器 DelayMS(10); return(0); , ,运行程序，for循环体中的程序每运行一次，则对应的地址上的内容就会更改为0x55。正确运行结果如下图所示：, ,四、 Nor-Flash存储器件,Nor-Flash存储器是一种可以在系统(In-System)进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。 常用的Flash为8位或16位的数据宽度。 优点：它具有低功耗、大容量、擦写速度快、可整片或分扇区在系统编程(烧写)、擦除等特点，在体积、抗震性方面都有很大的优势。 最大的特点：是可在芯片内执行，即应用程序可以直接在上面运行，不必再把代码读到系统RAM中。而其他类型的Flash存储器不具备这个特点。, ,1.1 NorFlash器件SST39VF1601,SST39VF1601是由SST公司推出的，是一个多功能Flash器件，存储容量为2MB，16位数据宽度。SST39VF1601由SST提供了固定的擦除和编程时间，与擦除/编程周期数无关。 SST39VF1601的特性 存储空间组织 1M16。 读写操作采用单一电源2.73.6V。 低功耗、高可靠性。 具有地址和数据锁存功能。 自动写时序内部产生Vpp。 写结束检测, , SST39VF1601引脚描述,SST39VF1601一共有48个引脚，48个引脚中包括：20根地址线、16根数据线、3根控制线、3根电源线和其他不用连接的引脚。, ,SST39VF1601内部主要由控制逻辑电路、缓冲区电路、译码器电路、存储器电路四大部分组成。, , SST39VF1601的读写和擦除操作,NOR Flash存储采用的是SRAM接口，其地址线和数据线是分开的。SST39VF1601芯片可工作在读模式、写模式、擦除模式 3种模式之下。,工作模式选择, , SST39VF1601的读操作,SST39VF1601具备快速读访问能力。 SST39VF1601的读操作是CE和OE信号线控制的。 读操作的时序如图所示 ：, , SST39VF1601的写操作,SST39VF1601的写操作主要是以一个半字接一个半字的方式进行写入的。写操作分3步进行： 第1步，送出“软件数据保护”的3字节，SW0,SW1,SW2。 第一字节SW0：地址线载入地址0x5555，数据线载入0xXXAA； 第二字节SW1：地址线载入地址0x2AAA，数据线载入0xXX55； 第三字节SW2：地址线载入地址0x5555，数据线载入0xXXA0； 第2步，送出地址和数据，地址在CE或WE的下降沿（无论哪一个后产生下降沿）锁存。, ,第3步，内部写入处理阶段。在内部写入阶段，任何指令都将被忽略。WE控制的字写入时序如图所示:, , 扇区/块/整片擦除操作,SST39VF1601扇区是统一的2 K半字（16位）大小，块是统一的 32 K半字大小。SST39VF1601存储容量为2M字节大小。SST39VF1601支持以下操作： 1、扇区擦除操作 2、块擦除操作 3、整片擦除操作 扇区或块擦除操作允许SST39VF1601以一个扇区接一个扇区，或一个块接一个块地进行擦除。, ,这三种擦除操作都是通过6字节的指令序列进行的。其中前面5字节的指令序列是相同的，唯一不同的在第6个字节指令中。3种擦除操作的流程图如左图所示：, ,3中擦除操作时序如图：,扇区擦除操作时序,块擦除操作时序,整片擦除操作时序, , 内部操作查询,芯片进入内部编程或擦除操作状态后，允许处理器查询DQ6位来判别芯片内部操作是否完成。 当内部操作进行中，所得的DQ6在1和 0之间跳变 当内部操作结束后，DQ6位的值不再变化。, ,1.2 实验目的与内容,实验目的：通过实验，理解Nor-Flash操作时序和电路连接，深刻掌握Flash烧写算法。 实验内容1：擦除SST39VF1601中某段未用的扇区，往这个扇区填充0x55，然后通过AXD调试工具观察该段扇区的内容。 实验内容2：擦除SST39VF1601中某段未用的扇区，往这个扇区拷入某个程序的二进制代码，比如一段蜂鸣的子程序代码，然后让程序指针跳到该扇区执行。, ,1.3 电路原理分析,SST39VF1601与LPC2220的连接如图所示。LPC2220使用外部的存储器接口Bank0上的存储器引导程序运行。, ,编写2个子程序： SST_SErase()和SST_Write()，分别完成SST39VF1601扇区擦除功能和字编程功能。,扇区删除函数,#define FLASH_ADDR 0x80000000 #define GetAddr(addr) (volatile uint16 *)(FLASH_ADDR|(addr1) /* *名称: SST_SErase(uint32 SA) *功能: SST39VF1601扇区擦除。 *入口参数: SA 扇区号(1512) *出口参数: 返回1表示成功，返回0表示失败 */,1.4 软件设计, ,uint8 SST_SErase(uint32 SA) volatile uint16 *ip; uint16 data1,data2; if(SA512) | (SA1) /检查扇区号是否在1512范围内 return(0); SA = 4096 * (SA-1) ; /根据扇区号，计算扇区地址 /*写入六个字节的扇区擦除指令序列*/ ip = GetAddr(0x5555); *ip = 0xaaaa; / 第一个写周期，地址0x5555，数据0xAA ip = GetAddr(0x2aaa); *ip = 0x5555; / 第二个写周期，地址0x2aaa，数据0x55 ip = GetAddr(0x5555); *ip = 0x8080; / 第三个写周期，地址0x5555，数据0x80 ip = GetAddr(0x5555); *ip = 0xaaaa; / 第四个写周期，地址0x5555，数据0xAA ip = GetAddr(0x2aaa);, ,*ip = 0x5555; / 第五个写周期，地址0x2aaa，数据0x55 ip = (volatile uint16 *)(FLASH_ADDR|(SA); *ip = 0x30; / 第六个写周期，扇区地址SA，数据0x30,执行扇区擦除操作 /*等待操作完成*/ while(1) /若编程操作没有完成，每次读操作DQ6会跳变 data1 = *ip; data2 = *ip; if(data1=data2) if( data1 != 0xffff) return(0); else return(1); , ,/* *名称: SST39VF1601_WriteByte () *功能: SST39VF1601的半字写入。 *入口参数: Addr 写入地址 WriteData 写入的数据 *出口参数: 0 操作不成功 1 操作成功 */ uint8 SST_Write(uint32 Addr,uint16 WriteData) volatile uint16 *ip; volatile uint16 *SADDR; uint16 data1,data2; SADDR = (volatile uint16 *)(FLASH_ADDR|(Addr,字编程函数, ,ip = GetAddr(0x5555); / 转换地址0x5555 ip0 = 0xaaaa; / 第一个写周期，地址0x5555，数据0xAA ip = GetAddr(0x2aaa); ip0 = 0x5555; / 第二个写周期，地址0x2aaa，数据0x55 ip = GetAddr(0x5555); ip0 = 0xa0a0; / 第三个写周期，地址0x5555，数据0xA0 *SADDR = WriteData; / 第四个写周期，地址Addr，数据Writ /*等待操作完成*/ while(1) /若编程操作没有完成，每次读操作DQ6会跳变 data1 = *SADDR; data2 = *SADDR; if(data1=data2) if(data1!=WriteData) return(0); else return(1); , ,实验1参考程序,#define Ssize 4096 /一个扇区4096个字节大小 /* * 名称：main() * 功能：往NOR-FLASH最后一个扇区填充数据0x55； */ int main (void) uint32 i,Addr; SST_SErase(512); /擦除最后一个扇区 for(i=0; iSszie; i=i+2) /往最后一个扇区填充0x55 Addr = Ssize * 511 + i; SST_Write(Addr,0x5555); return(0); , ,实验2参考程序,首先用汇编函数定义了一个程序跳转函数uint32 JUMP(uint32 addr)，参数addr为给定的程序地址。,EXPORT JUMP AREA JUMPC,CODE,READONLY ENTRY JUMP MOV PC, R0 END, ,然后用C语言定义了一个BEE_Function()函数,#define BEE (124) / BEE连接P1.24 /* * 名称：BEE_Function() * 功能：控制蜂鸣器叫 */ void BEE_Function(void) PINSEL2 = PINSEL2 , ,#define Ssize 4096 /一个扇区4096个字节大小 extern uint32 JUMP(uint32 addr); /声明跳转函数 /* * 名称：main() * 功能：首先擦除第6号扇区，然后找到BEE_Function函数地址，将BEE_Function函数复制到第6号扇区，最后将程序跳转到第6号扇区起始处运行。 */ int main (void) uint16 i,Data1; uint32 Addr,Data,*P; SST_SErase(6); /擦除6号扇区 P = (uint32 *)BEE_Function; /指针指向BEE_Function函数 Addr = 0x80000002 + (Ssize * 5); /地址Addr指向第6个扇区的开始位置,主函数main。, ,for(i=0;i16); SST_Write(Addr+2,Data1); P+; Addr+=4; Addr = 0x80000002 + (Ssize * 5); JUMP(Addr); /程序跳转到第6号扇区运行 return(0); , ,五、Nand-Flash存储器件,NOR和NAND是目前市场上两种主要的非易失性闪存技术。Nand-Flash存储器结构则能提供极高的单元密度，可以达到很大的存储容量，并且写入和擦除的速度也很快。但Nand-Flash存储器需要特殊的接口来操作。二者以其各自的特点，在不同场合中发挥着各自的作用。 Nand-Flash存储器是Flash存储器的一种技术规格，其内部采用非线性宏单元模式，现在得到了越来越广泛的应用。 由于 Nand-Flash（非线性 Flash）存储器内部结构不同于Nor-Flash（线性Flash）存储器。一般来讲，读写的过程要靠软件编程来完成。, ,1.1 K9F6408U0C介绍,K9F6408U0C是SAMSUNG公司生产的NAND型Flash存储器，存储容量为66Mb。 片内写控制逻辑自动实现所有的编程和擦除功能，包括脉冲的周期、内部校验和数据冗余。 K9F6408U0C的其他特性 存储空间组织 （8M+256K）byte 页寄存器 （512+16）byte 支持页编程；支持块擦除。 命令/地址/数据复用I/O口。 可靠性高：耐久力可经受100K次擦写，数据保存10年。 命令寄存器操作。 工作电压：2.73.6V。 采用唯一ID号保护版权。 48脚封装TSOP。, ,K9F6408U0C引脚描述, , K9F6408U0C内部结构,K9F6408U0C由1024块组成，每块由16页组成，每页中有51216个字节。K9F6408U0C的有效总容量为16K页，合计8M字节。这种结构，满足文件系统中划分簇和扇区的结构要求 。, ,K9F6408U0C有效地址空间为8M字节，那么片内必须提供23根地址线进行选址，其中A9A22称为行地址，送入X译码器；A0A8称为列地址，送入Y译码器中。 K9F6408U0C芯片的内部结构框图如图所示 ：, , K9F6408U0C的内部指令,K9F6408U0C具备自己的操作指令。有一些指令只需要一个总线周期完成；另外一些指令，则需要2个周期。 K9F6408U0C具备的指令和功能如右图：, , K9F6408U0C的内部操作-读操作,2种读的方式： 页读方式1： 默认的页读方式，用于读取页寄存器的前半页、后半页或整个页（0511）。 页读方式2： 用来读取备用区域（512527）, ,通过将00h/01h指令写入指令寄存器，接着写入3字节地址来启动。,写入指令和地址后，处理器可以通过对信号线R/B的分析来判断该操作是否完成。,要读取的数据被送入了K9F6408U0C内部的页寄存器。外部控制器可以RE脉冲信号的控制下，从I/O口依次读出数据。,连续页读操作中，输出的数据是从指定的列地址开始，直到该页的最后一个列地址的数据为止。, 页读方式1的操作时序, ,页读方式2操作通过将50h指令写入指令寄存器，同样写入3字节地址来启动。 页读方式2的其他时序与页读方式1相同。, 页读方式2的操作时序, ,K9F6408U0C的写操作同样以页为单位。 页写入周期总共3个步骤： 1、写入串行数据输入指令 2、然后写入 3个字节的地址信息 3、最后串行写入数据, 写操作, ,内部写入操作开始后，器件自动进入“读状态寄存器”模式。此时，系统控制器可以读取状态寄存器，或检测R/B的输出来判断内部写入是否结束。,写操作时序图, ,擦除操作是以块为单位进行的。启动擦除，随后输入块地址，接