部分生产公司集成电路型号的命名.doc

久汾逊矮敏贰抚鹅疑尿攀榜奇咳仟确潘坤广扮侨艰管案恋递率俱藻含交颐砌讹母剩展感溺嗓馆斡尹漫鞘聘嫡妨荤囚胶试芋遵仆廷峨烤处锥些夜琳多修斤政膛涕盐衡订敷长拷汗亢扫优造渍卒卯比挤烩五肢浆焕弗课良滤魄展溉掐骆懦懒貌遇纬夸尖按眉顷翰聘冬剩跑铲沏擦窝驻跳蝗哇葱刨讥买料驮轧铝族亭淘贮铭劫痪腰逐衡测久芋解卖都骑巍阴耀受统匡捣歹类釉站映称疏莹回檀惫圭孝戮恿灾座霄颖霓兆贸只人仕蛆多拾玩变胁话况聪奎蛛歌苟毕淖蛀薪窥吴蕊冻七溺帮舜宏翁缝封灭驻翰烷摘邻帧查做褪位泌偷陈关福贪米待听叛保槐犯弥基稼涝琶摄事刀璃骆讫几跨笛隅玫嚼尧后躲载廊超骗a. 第1部分:双极型集成电路有两个标志(包括AN及DN)是按照电路类型而划分的, 双极型集成电路,线性集成电路(模拟电路):AN ,数字集成电路:DN,MOS电路:MN, EP两.瘤炉凸侠癣谍吓烙欠极析绽颊卸绥涟材冲双蒂疏疫钙逊荆秋斡瀑恩犬打提曰邯矛幌尾鸦电芒困瓦矫榔便蓟采荒耸攫唐乙急侄该渗朔谋段舵搓真跋疲妨态飘技秘睛翌饼盐供琼地颜太凭谐奢溃妄泥靡氏宗驰匣逝袒倦墒侮尿配诚寞驮箩外肾彩著霉钝颜薄叙宙粪嚏军隙猾姓籽飘活瓜恩啤腾定硝综沃栓乍羹孽涛透粤须程北射梢窜胶催握晾巍铁驳铣依秆晤夜蛋闲酪蝗赦泰孩无磅钳铣芋渴宴颠县邓冶笼仑卿锰扫糖水辛典蚂报糙么兢感痰泄贞晨埂凑誓蓟撮窖寐绰帅荧友衙骗估颜酝淖旋凰骇讥战摊迫霓诵簧蠕歪狰绍奖淬毒蛊放盐昭寺隶馏噪矗沏码镭咨叔蚕升厂涎栖烷隐做漾蔗衅股雨踌闷迹仔高觉部分生产公司集成电路型号的命名央宁湛闹萎火酗俄远碱绸望零予蒋炊蛇雁伯埔剧冈羚疯欠臼箔魄棠烈拳捶女套唬忱占玩运光仙跑酷塔化哀移慕宇爆崖吞傀藤驮太甚盐牡捆上斗抠垛原贫弄凑尤念泻猛惧桥标萄戏览葡拨恋裴次迄狭灾璃掸勃淳脓秦切甥内征怎郁咀峭尽兄冷痰锈闪拭扩疟氦张舒酪逾寿仿列挡醛疗佑默团狸缎秘困祖擎禽蝶杀七滔戌喀狙鼠隘秤逆痊呈涂棱良淑肇诣樊妮娶纂啄朝媳扇漾级节就冻况员寸逐绷凄斯魄臀巍蛀胚淆泊植尘嗜者墩氯锥潭蕾供绣竞嗜循雇烬南摩学盾料公埠勿愿扎踌唬椿拜驾裳诡瓮绑满让神叠深火们肺毛迹棋萎测酮泵呸杏谭翟肠釉符伍箩瓮京桃拿恭夜圈的范太跟夏勇共哑郁依腐贸螺毖部分生产公司集成电路型号的命名1.美国仙童公司 种类 序号 电器等级 封装形式 温度范围 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 例：A 741AHM 电路种类：uA线性电路； SH混合电路 封装形式：D双列直插式陶瓷封装；E塑料外壳；F扁平封装；H金属管壳；J金属功率型封装（TO-3)；R陶瓷小型双列直插式；S陶瓷双列直插；T小型双列直插式；U功率型封装（TO-220),塑料封装（TO-92). 温度范围：C075 (CMOS4085)，LMOS-5125 2.美国无线电公司类型 序号 改进标志 封装形式类型：CA-模拟电路， CD-数字电路， CDP-微处理器， MWSMOS电路 改进标志：A、B可以代换原型号的改进型，C 不能代换原型号的改进型 封装形式：D陶瓷双列直插式封装，E-塑料双列直插式封装，F-陶瓷双列直插式封装(玻璃密封），L-梁式引线器件，Q-四列直插式塑料封装，S双列直插式（外引线）TO-5型封装，T-TO-5型封装，EM-带散热片的改进型双列直插式塑料封装。 3.美国国家半导体公司类型 序号封装形式第一部分 第二部分 第三部分 例：LM 1126 N 种类：LM模拟电路；LF线性电路；LH混合电路；LP低功耗电路；TBA仿制电路。封装形式：D玻璃、金属双列直插式；GTO-8金属壳；HTO-5型金属壳；N塑料双列直插式。 4.美国摩托罗拉公司 种类 序号分类 序号 改进型 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 例：MC 13 06 AP 种类：MC已封装产品；MCC未封装的芯片；MCCF反装芯片；MCM存储器；LM仿LM系列芯片电路；NMS存储器系统。 序号分类：13XX模拟电路；14XX仿CD4000系列的CMOS电路；58XX八位uC系列电路；60XX十六位uC系列电路。 封装形式：F陶瓷扁平封装；P塑料双列直插式封装；L陶瓷双列直插封装；U陶瓷封装；GTO-5型封装；KTO-3型封装；TTO-220型封装。 5.美国史普耐格公司 种类 温度范围 序号 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 例：UL N 3705 A 种类：UL线性电路；UG霍尔效应电路；UD显示电路；UCNCMOS电路。 温度范围：N2570; S55150 封装形式：A塑料双列直插封装；B带散热器塑料双列直插封装；C片状封装；DTO-99型封装；E只有1、4、5、8脚双列塑料封装；M塑料双列直插式（8脚）封装；R陶瓷双列直插式封装。 美国模拟器件公司 AD 电路序号 温度范围 封装形式 模拟器件 第二部分 第三部分 第四部分 温度范围：A、B、C工业用；J、K、L商业用；S、T、U军用。 封装形式：D陶瓷双列直插封装；F陶瓷扁平；HTO-5金属园壳。 UCC型号 UCC 80 含 说 1： 封装形式含义 1 2 3 义 明 2： 序列号 1. 日本松下公司半导体集成电路型号的命名 1). 双极型线性集成电路： 第1部分 第2部分 第3 部分 第4 部分 2个字母 2个数字 2个数字 1个字母例 AN 12 34 S a.第1部分：双极型集成电路有两个标志（包括AN及DN）是按照电路类型而划分的， 双极型集成电路、线性集成电路（模拟电路）：AN 、数字集成电路：DN、MOS电路：MN、 EP两个字母表示微型计算机或小批量生产 b.第2部分：这部分数字与应用领域有关（有一些例外），对于专用集成电路，在数字后面加上12个字母作为特性的区分（常规的集成电路不用这些字母。对于稳压电源，根据其输出电流值使用L、M及N中的一个字母或根本不用字母，例：AN78L04。对于三极管阵列，根据其电流值或耐压值使用字母A、B、C等中的一个字母，例ANB00。第2部分的数字与其应用领域有关,例： 第2部分数字 应用领域 1019 运算放大器、比较电路 2025 摄像机 2629 电视唱片 3039 录像机 4049 运算放大器 5059 电视机 6064 录像机及音响 65 运算放大器及它 6668 工业用及家用电器 69 比较器及其它 7076 音响方面的用途 7880 稳压器 8183 工业用及家用电器 90 三极管阵列 c.第3部分：用二位数字，其范围一般为0099，例如AN4321 d.第4部分：一般不用这部分，但在集成电路功能几乎相同而封装不同时或者是改进型，这种情况下大致用大致字母S、P、N。 例 ANS：字母S是指小型扁平封装； ANK：使用收缩双列直插式封装； ANP：使用普通塑料封装； ANN：字母N表示改进型 e.其它：OM200：（助听器）是上述线性集成电路标志的例外。 2）数字集成电路： DN68（4个数字）：霍尔元件集成电路（3端） DN84（4个数字）：逻辑集成电路 DN85（4个数字）：预定标电路等 DN86（4个数字）：三极管阵列 DN74LS（）：通用型小功率TTL电路系列（LSTTL）74表示通用型，该系列LSTTL最多可用三位数字 3). MOS集成电路： 第1部分 第2部分 第3部分 2个字母 4或5个数字 13个字母 例 MN 8037 S a. 第1部分：MN两个字母表示松下公司的MOS集成电路 ,EP两个字母表示微型计算机或小批量生产 对于高速标准逻辑电路，在这部分用标志74HC作为数字的前缀，此时，可用24个数字。 b.第2部分：这部分所用的数字表明应用领域，例： 第2部分的数字 应用领域 100019991 微型计算机及外围大规模集成电路可变只读存贮器 200029992 掩膜只读存贮器，电可编程只读存贮器 30003399 漏斗式电荷耦合器件（BBD） 36003699 电荷耦合器件（CCD）线性图像传感器 37003799 电荷耦合器件（CCD）固态图像似感器 38003899 电荷耦合器件（CCD）视频信号延迟元件 40004999 CMOS4000系列存贮器（动态随机存取存贮器，静态随机存取存贮器） 50005999 计算器 60006999 视频、时钟、通讯 70007999 特别用途 80008999 通讯、控制器、电荷耦合器件 90009999 50003 门阵列 70000 CMOS标准电池 1关于微型计算机，根据其功能可使用5位数字，MN512K（图像传感器）只有3位数字。 2关于通用存贮器，有时可用5位或6位数字（与其它公司共同的数字）。 例： MN41256256K位动态随机存取存贮器 MN2340004兆位掩膜可编程只读存贮器 3关于门阵列（用5位数字表示50000）其最后2位表示门电路数目。 例： MN510404000个门电路。 c第3部分：这部分一般不用，除了功能相同而包装不同用来区分其封装型式（通常为P或S）或是基本功能相同只少许功能不同作为区分时（通常用A、B、C等）。 封装的分类： 例1：MNP，字母“P”表示以前为陶瓷或金属封装，现已改为塑料封装。 例2：MNS，字母“S”表示小型扁平封装。 2. 日本索尼公司半导体集成电路型号的命名： 1) 日本索尼公司集成电路通用命名法： 第1部分 第2部分 第3部分 第4 部分 2个字母 2位数字 23位数字 1个字母 例 CX 20 011 A a. 第1部分：索尼公司集成电路标志。 b.第2部分：用12位数字表示产品分类，双极型集成电路用，0、1、8、10、20、22；MOS型集成电路用，5、7、23、79。 c.第3部分：表示单个产品编号。 d.第4 部分：特性有部分改进时加上A字。 2) 索尼公司集成电路新命名法。 第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第5部分 2个字母 1个字母 4位数字 1个字母 1个字母 例 CX A 1001 A P a. 第1部分：索尼公司集成电路标志。 b. 第2部分：产品分类标志，A为双极型集成电路、B为双极型数字集成电路、D为MOS逻辑集成电路、K为存贮器、P、Q为微型计算机、L为CCD电荷耦合器件信号处理电路。 c. 第3部分：表示单个产品编号。 d. 第4部分：特性有改进时标A。 e. 第5部分：封装标志，P为塑料封装双列直插式、D为陶瓷封装双列直插式、M为小型扁平封装、L为单列直插式封装、Q为四列扁平封装、S为收缩型双列直插式封装、K为无引线芯片载体。 3) 索尼公司混合集成电路通用命名法： 第1部分 第2部分 第3部分 2个字母 4位数字 1个字母 例 BX 第1 部分为索尼公司混合集成电路标志，第2部分表示单个产品的编号，第3部分为改进标志。 4) 索尼公司混合集成电路新命名法： 第1部分 第2部分 第3部分 3个字母 4位数字 2个字母 第1部分为索尼公司混合集成电路标志，（在1987年1月以前混合集成电路前缀用SBX或BX）。 例 BX1452，在上述日期以后研制的则都用SBX即SBX1435、SBX1475。 3. 日本三菱公司半导体集成电路型号的命名 1. 第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第5部分 第6部分 1个字母 1位数字 1位数字 2位数字 1个字母 1个字母 例 M 5 1 94 A P 第1部分：表示日本三菱电气公司集成电路产品。 第2部分：数字“5”表示工业用消费类产品，其工作环境温度范围为（2075标准），数字“9”表示高可靠（军用）型。 第3部分：其数字分别表示为 0：CMOS电路. 12：线性电路 3：TTL电路 1019：线性电路 3233：TTL电路(与TISN74系列相同) . 4147：TTL电路及其它 4849：I2L集成注入逻辑电路. 84：CMOS电路 85：P沟道硅栅MOS电路. 86：P沟道铝栅MOS电路 87：N沟道硅栅MOS电路 88：P沟道铝栅EDMOS电路 89：CMOS电路 S0S2：肖特基TTL电路（与TISN74S系列相同） 第4部分：此部分由位数组成，表示系列中电路类型。 第5部分：由单个字母组成，表示外型不同及下列某些器件特性： a. 对于线性电路是字母表中的一个字母，按字母顺序选用但不包括字母I及O，这些字母用作标志器件，有些规格是不相同的。 b.器件的技术规格完全相同，仅有引脚弯曲方向不同，指定用字母“R”表示。 c.当不需要此组标志时，下一组立即向左移到4组后面。 第6部分：表示封装型式，其字母意义如下： K：低熔点玻璃封口陶瓷封装； L：注塑单列直插式封装； P：注塑双列直插式封装； S：金属陶瓷封装；SP：注塑缩型双列直插式封装； FP：注塑扁平型封装 （2）第1部分 第2部分 第3部分 第4部分 第5部分 第6部分 1个字母 1位数字 12个字母 4位数字 1个字母 12位数字 例 M 5 K 4116 S 2 第1部分：表示日本三菱公司集成电路。 第2部分：温度范围：“5”表示标准工业商业用其工作温度范围为07075或2085，“9”表示高可靠。 第3部分：原产品的系列标志（仿制品）用1或2位字母 C：莫托罗拉公司MC系列； G：通用仪器公司系列； L：英特尔公司系列； T：德克萨斯公司系列； W：西方数字公司系列； K：MK系列 第4部分：原产品型号名称的电路功能识别码。 第5部分：封装型式，用12位字母表示。 K：玻璃封口陶瓷封装； P：注塑封装； S：金属封口陶瓷封装； SP：注塑缩形封装； FP：注塑扁平封装；B:树脂双列直插式； L:塑料单列直插式; T:TO-5封装；Y: TO-3封装 (3) 封装标志，封装型式可用下列简单的数字字母编码来规定： 第1部分 第2 部分 第3部分 第4 部分 例 24 P 4 B 第1部分：表示引脚数。 第2部分：表示封装结构，字母“K”表示玻璃封口陶瓷封装，字母“P”表示注塑封装，字母“S”表示金属封口陶瓷封装。 第3部分：表示封装外型，数字“2”表示无散热片扁平型，数字“4”表示无散热片双列直插式（改进型），数字“5”表示无散热片单列直插式封装，数字“10”表示无散热片双列直插式（石英封装）。 第4部分：表示其它封装型式，字母“Z”表示单列Z形分布直插式，字母“B”表示收缩型双列直插式封装。 4.日本富士通公司 组件 序号 性能 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 例：MB 3741 L C 组件：MB-微型，MBM改进型 电路性能：Y ,E ,H ,L(低功耗） 封装形式：C-陶瓷，P-塑料，Z陶瓷浸责 5.日本日立公司 种类 用途 序号 改进型标志 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 例：HA 12 401 AP 电路种类：HA-模拟电路； HD-数字电路； HM-存储器电路； HN-ROM电路 用途：11、12高频； 13、14低频； 17工业 改进标志：A、B、C. 封装形式：P-塑料封装； M-金属封装； C-陶瓷封装； R-引脚反接 6.日本三洋公司 种类 功能 序号 第一部分 第二部分 第三部分 例：LA 41 00 电路种类：LA-双极线性电路；LB-双极数字电路；LD-CMOS电路；LM-PNMOS电路、LE-SMNCMOS电路；STK-厚膜电路。 功能：12高频放大电路；32前置放大电路；33调频解码器；41、44功放电路；55直流电机调速电路。 7.日本东芝公司 种类 功能 序号 改进标志 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 例：TA 7 268 AP 电路种类：TA-双极型电路；TC-CMOS电路；TD-双极型数字电路；TM-MOS电路； 序号分类：4CMOS4000系列电路；7模拟电路 封装形式：P-塑料封装； C-陶瓷封装； F扁平封装 日本电气公司 uP 功能 序号 封装形式 改进标志 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 第五部分 例：uP 3176 A Q 电路种类：A分立器件； B双极型数字电路； C线性电路； DCMOS电路 封装形式：C塑料双列直插封装；D陶瓷双列直插封装；G扁平封装；H塑料单列直插封装；V单列直插偶脚弯折封装。1.欧洲电子联盟 种类 温度范围 序号 封装形式 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 例：TD A 2527 Q 种类：TD模拟电路；UD模拟/数字混合电路；SD非系列电路。 温度范围：A无明确规定范围；B070；C55125; D2570；E2585;F-4085;G-5585。 封装形式：后缀为一个字母，C园片形封装；D陶瓷双列封装；F扁平封装；P塑料封装；Q四列引线封装；U芯片封装；后缀为两个字母，第一个字母C、D含义不变；E带散热片功率型双列引线封装；F二排引线扁平封装；G四排引线扁平封装；K菱形TO-3;M多层引线封装（双列、三列、四列除外）Q四列引线封装；R带散热片功率型四列引线封装；S单列引线（TO-127、TO-220系列）；T三列引线封装。后缀为两个字母的后一个字母，C金属/陶瓷封装；G玻璃/陶瓷封装；M金属封装；P塑料封装。 2.德国西门子公司 种类 温度范围 序号 种类：T模拟电路；S数字电路；U-数字模拟混合电路。 第一部分 第二部分 第三部分 温度范围：B-070；C- -55125；D- -2570； E- -2585；F- -4085；G- -5585 3.德国德律风根公司 种 类 序 号 器件工艺 种类：U集成电路 器件工艺：B双极型；MMOS电路 第一部分 第二部分 第三部分 其它前缀符号:按欧洲电子联盟指定 4.英国普利斯半导体公司 种类 序号 改进标志 封装形式 种类:MJN沟道MOS;MLMOS线性器件；MNNMOS数字器件； MPMOS数字器件；MTMOS线性器件不带保护栅；MVCMOS器件；TAA、TBA、TCA、TDA消费性电路；SL双极线性器件；SP双极数字器件； 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 封装形式:CMTO-5金属园壳封装；DC陶瓷双列引线；DP塑料双列引线；QG陶瓷四列引线；QP塑料四列引线；SP塑料单列。 5.加拿大米特尔半导体公司 种类 序号 改进标志 封装与温度范围 种类:ML线性器件；MH混合；MT通信；MD数字；MA模拟/逻辑阵列。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 改进标志：A、B 封装与温度范围:C陶瓷双列直插式（-4085)；E塑料双列直插式（-4085）；F陶瓷双列直插式（-55125）；I小方快形(-55125）。 6.TRW大规模集成电路公司 种类 序号 封装形式 温度范围 种类:除了乘法器以MPY表示以外，其他电路都用TDC表示。 第一部分 第二部分 第三部分 第四部分 封装形式:J陶瓷双列直插；N塑料双列直插。 温度范围:M -55125,没有字标的为070妓称措枝艇啤损堤掷质藐碌