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文档简介
AT-201晶体管测试仪操作说明书一、主要用途: 本测试仪性能稳定,能自动读出准确数据,使用方便,适用于电子爱好者、电子开发者、设计者、与电子维修者必需小仪器。它可测各种二极管,三极管,可控硅,MOS场效应管;能判断器件类型,引脚的极性,输出HFE,阀电压,场效应管的结电容,附加条件可测电容和电阻等。特别适合晶体管配对和混杂表贴元件识别。二、操作说明:1. 测试面板上说明如下图 :TEST 测试按键; :LED 测试指示灯; :测试槽分别1、2、3对应显示屏上显示123脚; :OUT TESTER测试输入接口以颜色黄、绿、红三色对应123脚; :LED充电指示灯 :USB标准mini USB充电接口 :LCD测试结果显示屏 :POWER SW 内置电源总开关 2使用时先将POWER SW开关置于“ON”状态。 3. 将被待测试器件放入测试槽后,启动测试键“TEST”键后显示屏上会显示出对应的数据等待 10S后自动关机。 4. 要测试大的器件,可以用外接线与“OUT”孔连接,测试线另一头与器件的引脚连接,并按“TEST”键测试。 5. 测试贴片晶体器件时,就要用到贴片匹配器与本机的测试槽连接并按“TEST”键 6. 使用完后(不使用时)应把“POWER SW”开关置于“OFF”状态,不使用时防止内部电池耗电。本机有自动关机功能, 自动关机时的工作电流只有20nA,可以突 7. 如本机使用电量不足,LCD屏幕上会显示“Battery Low!”,这时就要用迷你USB线进行充电,充电时将“POWER”开关置于“OFF”状态,USB接口上方的指示灯会亮,表示充电中一般充电5-8小时就可以使用。用USB充电器或电脑的USB接口都能进行充电。 8. 注意事项 (1)、测量电容时,必须将电容的电放干净方可接到测试仪上测量,带电的电容容易将测试仪的芯片击毁。不能将带电的器件进行测试,防止内部芯片被击坏。 (2)、本仪器如长时间不使用,应将POWER SW开关置于“OFF”状态, 至少半个月充一次电,以免电池变质、流液、损坏机件。 (3)、当待测试器件是坏的或引脚与测试接触不良时,会影响结果,测不出来数据;显示屏上显示测试失败“Test Failed!Defect Devive.”。三、测试项目例子解说:1、测试屏幕显示如下:表示“测试运行中.” 表示“测试失败!缺陷的装置.” 表示“时间超时” 表示“电池电压低!空的!” 表示“NPN管 基极B=1表示对应测试槽1 脚;集电极C=2表示对应测试槽2脚;发射极E=3表示对应测试槽3 ; 放大倍数hFE=275 正向压降Uf=785mV” 表示“PNP管 基极B对应测试槽1 ;集电极C对应测试槽2;发射极E对应测试槽3 放大倍数hFE=379 正向压降Uf=790mV” 表示“NPN达林顿管(即复合管) 基极B对应测试槽1 ;集电极C对应测试槽2;发射极E对应测试槽3 放大倍数hFE=0 正向压降Uf=1207mV” 表示“PNP达林顿管(即复合管) 基极B对应测试槽1 ;集电极C对应测试槽2;发射极E对应测试槽3 放大倍数hFE=0 正向压降Uf=1217mV” 表示“N沟道增强型MOS管 结电容C=6.19nF 栅漏源极GDS=321对应的引脚分别对应测试槽是321脚,开启电压Vt=3612mV” 表示“P沟道增强型MOS管 结电容C=0.79nF 栅漏源极GDS=321对应的引脚分别对应测试槽是321脚,开启电压Vt=3402mV” 表示“N沟道耗尽型MOS管 栅漏源极GDS=231对应的引脚分别对应测试槽是231脚” 表示“N沟道J结型MOS管 栅漏源极GDS=231对应的引脚分别对应测试槽是231脚” 表示“P沟道J结型MOS管 栅漏源极GDS=213对应的引脚分别对应测试槽是213脚” 表示“二极管 正极A=1对应测试槽1脚;负极K=2对应测试槽2脚 正向压降Uf=427mV” 表示“双向复合二极管共阴 负极K=2对应测试槽2脚;正极A1=1;A2=3分别对应测试槽1、3脚” 表示“双向复合二极管共阳 正极A=2对应测试槽2脚;负极K1=1;K2=3分别对应测试槽1、3脚” 表示“单向可控硅管 控制极G阳极A阴极K,GAK=231分别GAK对应测试槽2、3、1脚” 表示“双向可控硅管 控制极G阳极1:A1阳极2:A2,G=2对应测试槽2脚;A1=1对应测试槽1脚;A2=3对应测试槽3脚” 电阻、电容测试是本仪器附加的功能。 2、AT-201晶体管测试仪补充两点资料说明: (1)、Vt:是场效应管的开启电压,一般把在漏源电压作用下开始导电时的栅源电压Vgs叫做开启电压Vt。栅源电压Vgs的值越大,即Vt值越大,则沟道电阻越小,导通电路越大。Vt电压越大管子的性能是越好的。 (2)、Uf:是正向压降(正向直流电压)四、经典测试显示如下: 五、附件: USB 充电线
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