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文档简介

,2.3.1 半导体二极管的结构,2.3.2 二极管的伏安特性,2.3.3 二极管的参数,实物图片,2.3 半导体二极管,在PN结上加上引线和封装，就成为一个分立的半导体二极管元件。,2.3.1 半导体二极管的结构（物理形态）,根据制造材料的不同，有硅和锗两种不同种类的二极管，两者性能上也有差异。,根据制造工艺的不同，二极管有不同结构，分别适用于不同应用场合。,集成电路中的二极管不是分立元件。,2.3.1 半导体二极管的结构,(1) 点接触型二极管,PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。,(b)面接触型,2.3.1 半导体二极管的结构,(2) 面接触型二极管,PN结面积大，用于工频大电流整流电路。,(4) 二极管的代表符号,2.3.1 半导体二极管的结构,(3) 平面型二极管,往往用于集成电路制造工艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。,(1) 二极管元件的伏安特性曲线逐点测量,2.3.2 二极管的伏安特性,(2) 二极管元件的伏安特性公式表示,2.3.2 二极管的伏安特性,与PN结的伏安特性类似而不完全相同 硅管的正向压降0.5-0.7伏，锗管的正向压降0.2-0.3伏 硅管的反向电流极小，锗管的反向电流较大,二极管的分类,2.3.3 二极管的参数,按材料：硅二极管、锗二极管 按结构：点接触、面结合 按用途：整流管、检波管、稳压管、开关管 (国标) ：国产二极管的命名方案,最大整流电流（平均值） IF （最大整流电流时的）正向压降 VF 反向电流 IR 反向击穿电压 VBR 最高反向工作电压 VRM,2.3.3 二极管的参数,二极管的直流参数（工作参数和极限参数）,结电容 Cj: 含势垒电容、扩散电容、封装电容 最高工作频率 FM,2.3.3 二极管的参数,二极管的交流参数（高频特性）,二极管的温度特性,正向: 温度升高 PN结电压减小（-2.5mV/） 反向: 温度升高 反向电流增大（ ）,晶体管分立元件参数特点,同一型号元件中还有系列分挡的参数差异 同一型号同一分挡的元件也有参数差异 注意查阅器件手册和器件代换手册 注意手册中元件参数的测量条件（电压电流温度） 器件手册的参数仅供选型参考，必要时实测,2.3.3 二极管的参数,PN结构造与二极管结构,二极管的伏安特性：正向、反向、击穿,二极管的参数定义：直流、交流、极限,分立晶体管元件参数的典型值及离散性,本节中的有关概念,end,半导体二极管
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