设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等.docVIP

（设备技术性能指标及参数、目的、用途、环境要求等）1. 设备用途1.1. *可实现ITO、SiO2等氧化物薄膜和Al、Ti等金属薄膜的溅射沉积。1.2. *投标厂家提供多种工艺调试和开发的服务。2. 设备规格2.1. 反应腔体：2.1.1. 真空窗口，可观察腔体内部状况。2.1.2. 反应腔体内部包含防镀衬板组。2.2. 反应腔体抽真空模块：2.2.1. *采用进口涡轮分子泵（国际知名品牌例如：Ulvac、CTI、Alcatel、Pfeiffer、Edwards等）或者进口冷凝泵（国际知名品牌例如：Ulvac、CTI、Alcatel、Pfeiffer、Edwards等）。2.2.2. *采用进口干泵。（国际知名品牌例如：Edwards、Ulvac、Alcatel、Pfeiffer等）。2.2.3. 25min内，反应腔体可从大气抽真空至3E-6 Torr。2.2.4. 本底真空： 3E-7 Torr。2.2.5. 配备自动压力控制装置(APC)。2.3. 磁控溅射靶枪： 2.3.1. *进口磁控溅射靶枪，靶材尺寸不小于3英寸，磁性靶枪1台，非磁性靶枪1台。（采用国际知名品牌例如：Angstron、AJA、US、HHV等）2.3.2. 进口非磁性靶枪2台，靶材尺寸不小于3英寸。2.3.3. *DC/RF电源兼容设计，可针对不同材料进行溅射沉积。2.3.4. 可调整靶枪溅射距离。2.3.5. 溅射靶枪具备独立自动开关挡板装置。2.3.6. 靶枪具备独立供气功能。2.4. 直流电源：2.4.1. *进口直流电源1台，功率不低于1kW，可切换供不同磁控溅射靶枪使用。（国际知名品牌例如：ADL、AE、KRI/HHV等）2.5. 射频电源：2.5.1. *进口射频电源1台，功率不低于600W，频率为13.56MHz，可进行全自动匹配，并可切换供不同磁控溅射靶枪使用。（采用国际知名品牌例如：AE、ADTEC、SEREN等）2.6. 芯片基座： 2.6.1. *芯片基座转速可调。2.6.2. *可承载6圆形基板或4x4 cm玻璃片。2.7. 加热控制系统：2.7.1. *载物盘最高温可达250，控温精度1 。2.8. 反应气体模块：2.8.1. *工艺气体：至少配置3路。2.8.2. *采用进口MFC，精准度1%。（国际知名品牌例如：BROOKS、MKS、BRONKHORST等）2.8.3. 采用美国Swagelok气动隔离阀或者电磁隔离阀。2.8.4. 采用1/4 SUS316电抛光EP管及VCR接头。2.9. 自动控制系统：2.9.1. 全自动智能化控制软件，并可切换为手动控制，可一键控制真空泵抽气及排气以及所有挡板及阀门。2.10. 配套附件：2.10.1. *靶材：ITO（氧化铟锡），SiO2（二氧化硅），铝，钛3. 工艺要求3.1. *不均匀度5% （6英寸硅片内沉积厚度为200 nm的铝，6英寸硅片内沉积厚度为200 nm的ITO)。4. 用户培训4.1. 交机安装完成后将免费提供设备操作的训练课程，训练课程包含介绍系统特色、系统架构与说明、系统联机与保养及实际操作训练。4.2. 将提供中文和英文